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질화갈륨계 발광다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013705
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 균일한 전류 분포가 이루어지는 질화갈륨계 발광다이오드 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화갈륨계 발광다이오드는 기판과; 기판 상에 형성되며, 상면에 자신들끼리 서로 연결되는 복수 개의 제 1핑거 및 자신들끼리 서로 연결되는 복수 개의 제 2핑거를 가지되, 제 2핑거들이 제 1핑거들 보다 낮게 위치되도록 상면에는 단차가 있으며 각각의 제 1핑거들과 각각의 제 2핑거들이 교대로 배열되는 n형 질화갈륨계 박막과; n형 질화갈륨계 박막에 형성된 제 1핑거들 상면에 형성되는 발광층과; 발광층 상에 형성되는 p형 질화갈륨계 박막과; p형 질화갈륨계 박막 상에 형성되는 p형 전극 및 n형 질화갈륨계 박막의 제 2핑거들 상에 형성되는 n형 전극이 구비되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 질화갈륨계 발광다이오드는 복수 개의 핑거로 이루어진 전극구조만으로 전류의 균일한 분포를 이룸으로써, 낮은 비저항, 발광강도 향상 및 수명 연장으로 인한 광소자의 신뢰성을 확보하여 차세대 광소자의 상업화에 유리할 것으로 기대된다. 질화갈륨, 발광다이오드, 핑거, 단차, 양자우물, 사파이어기판
Int. CL H01L 33/38 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020010023653 (2001.05.02)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0387099-0000 (2003.05.28)
공개번호/일자 10-2002-0084710 (2002.11.11) 문서열기
공고번호/일자 (20030612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.05.02)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 광주광역시북구
2 박성주 대한민국 광주광역시북구
3 황현상 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2001-0100936-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2003-0013110-78
4 등록결정서
Decision to grant		 2003.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0192958-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

기판과;

상기 기판 상에 형성되며, 상면에 자신들끼리 서로 연결되는 복수 개의 제 1핑거 및 자신들끼리 서로 연결되는 복수 개의 제 2핑거를 가지되, 상기 제 2핑거들이 상기 제 1핑거들 보다 낮게 위치되도록 상기 상면에는 단차가 있으며 각각의 상기 제 1핑거와 각각의 상기 제 2핑거가 교대로 배열되는 n형 질화갈륨계 박막과;

상기 n형 질화갈륨계 박막에 형성된 상기 제 1핑거들 상면에 형성되는 발광층과;

상기 발광층 상에 형성되는 p형 질화갈륨계 박막과;

상기 p형 질화갈륨계 박막 상에 상기 제 1핑거들과 같은 형상으로 형성되는 p형 전극 및 상기 n형 질화갈륨계 박막의 상기 제 2핑거들 상에 상기 제 2핑거들과 같은 형상으로 형성되는 n형 전극이 구비되는 질화갈륨계 발광다이오드

2 2

제 1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어로 이루어지며, 상기 기판과 상기 n형 질화갈륨계 박막 사이에 완충층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드

3 3

제 1항에 있어서, 상기 제 1핑거들 및 상기 제 2핑거들은 스트라이프 타입으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드

4 4

제 1항 또는 제 3항에 있어서, 각각의 상기 제 1핑거들 및 각각의 상기 제 2핑거들의 폭은 1㎛∼40㎛인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드

5 5

제 1항 있어서, 상기 p형 질화갈륨계 박막 및 상기 n형 질화갈륨계 박막은 질화갈륨, 알루미늄질화갈륨 또는 인듐질화갈륨으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드

6 6

제 1항에 있어서, 상기 발광층은 양자우물 구조인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드

7 7

기판을 마련하는 단계와;

상기 기판 상에 n형 질화갈륨계 박막, 발광층, p형 질화갈륨계 박막을 순차적으로 형성하는 단계와;

상기 n형 질화갈륨계 박막의 소정영역이 상기 n형 질화갈륨계 박막의 상면으로부터 낮은 단차가 형성되어 노출되도록 상기 발광층, 상기 p형 질화갈륨계 박막 및 상기 n형 질화갈륨계 박막을 식각하되, 잔류한 상기 발광층, 상기 p형 질화갈륨계 박막 및 노출되지 않은 상기 n형 질화갈륨계 박막의 소정영역은 자신들끼리 서로 연결되는 복수 개의 제 1핑거로 이루어지고, 상기 n형 질화갈륨계 박막의 노출된 영역은 자신들끼리 서로 연결되는 복수 개의 제 2핑거로 이루어지며, 각각의 상기 제 1핑거들 및 각각의 상기 제 2핑거들이 각각 교대로 배열되도록 식각하는 단계와;

상기 p형 질화갈륨계 박막 상에 상기 제 1핑거들과 같은 형상으로 p형 전극을 형성하고, 상기 제 2핑거들 상에 상기 제 2핑거들과 같은 형상으로 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조 방법

8 8

제 7항에 있어서, 상기 기판은 사파이어로 이루어지며, 상기 기판을 마련하는 단계와 상기 기판 상에 n형 질화갈륨계 박막을 형성하는 단계 사이에 완충층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조 방법
9 9

제 7항에 있어서, 상기 제 1핑거들 및 상기 제 2핑거들은 스트라이프 타입으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 방법

10 10

제 7항 또는 제 9항에 있어서, 각각의 상기 제 1핑거들 및 상기 제 2핑거들의 폭은 1㎛∼40㎛인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조방법

11 11

제 7항에 있어서, 상기 발광층은 양자우물 구조인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조 방법

12 12

제 7항 있어서, 상기 p형 질화갈륨계 박막 및 상기 n형 질화갈륨계 박막은 질화갈륨, 알루미늄질화갈륨 또는 인듐질화갈륨으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 발광다이오드 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.