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화합물 반도체 소자의 전극 형성방법
- 기술번호 : KST2015174597
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법이 개시된다. 개시된 전극 형성방법은, p형 화합물 반도체층 위에 제1 전극층을 형성하는 단계; 및 제1 전극층을 산소(O2)가 포함된 분위기에서 플라즈마 처리하는 단계;를 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/36 (2014.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020040090351 (2004.11.08) |
| 출원인 | 삼성전기주식회사, 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0657909-0000 (2006.12.08) |
| 공개번호/일자 | 10-2006-0041004 (2006.05.11) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20061214) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2004.11.08) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전기주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 곽준섭 | 대한민국 | 경기도 화성군 |
| 2 | 성태연 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 3 | 송준오 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
| 2 | 이해영 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 2 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2004.11.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0515672-26 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2005.02.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2005-0004954-37 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2006.04.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0238385-78 |
| 4 | 의견서 Written Opinion |
2006.05.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0364309-49 |
| 5 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.05.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0364310-96 |
| 6 | 등록결정서 Decision to grant |
2006.10.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0586283-37 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2007.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5062967-87 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5050935-32 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5200786-38 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 p형 화합물 반도체층 위에 제1 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 전극층을 산소(O2)가 포함된 분위기에서 플라즈마 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극층 위에 제2 전극층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 3 |
3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 산소(O2)가 포함된 분위기에서 플라즈마 처리됨으로써 상기 제1 전극층의 적어도 일부가 산화되거나 상기 제1 전극층의 적어도 일부에 산소(O2)가 포함되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극층을 질소(N2) 및 산소(O2) 중 적어도 하나를 포함하는 분위기 또는 진공 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법 |
| 5 |
5 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극층을 질소(N2) 및 산소(O2) 중 적어도 하나를 포함하는 분위기 또는 진공 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 제조방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층은 p형 질화갈륨(GaN) 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 니켈(Ni), 니켈합금(Ni-alloy), 아연(Zn), 아연합금(Zn-alloy), 마그네슘(Mg), 마그네슘합금(Mg-alloy), 루테늄(Ru), 루테늄합금(Ru-alloy) 및 란타늄합금(La-alloy)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 투명 전도성 산화물(transparent conducting oxides)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 아연산화물(ZnO)인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 전자빔(e-beam) 증착방법 또는 스퍼터링(sputtering) 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 제1 전극층은 0 |
| 12 |
12 제 2 항에 있어서, 상기 제2 전극층은 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru) 및 투명 전도성 산화물로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 아연산화물(ZnO)인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 14 |
14 제 2 항에 있어서, 상기 제2 금속층은 고반사 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 제2 금속층은 은(Ag), 알루미늄(Al) 및 로듐(Rh)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 제조방법 |
| 16 |
16 제 2 항에 있어서, 상기 제2 금속층은 전자빔 증착방법 또는 스퍼터링 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 17 |
16 제 2 항에 있어서, 상기 제2 금속층은 전자빔 증착방법 또는 스퍼터링 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP01655786 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 2 | EP01655786 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | JP04812351 | JP | 일본 | FAMILY |
| 4 | JP18135293 | JP | 일본 | FAMILY |
| 5 | US20060099806 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP1655786 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 2 | EP1655786 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 3 | JP2006135293 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 4 | JP4812351 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 5 | US2006099806 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0657909-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20041108 출원 번호 : 1020040090351 공고 연월일 : 20061214 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20061009 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 화합물 반도체 소자의 전극 형성방법 존속기간(예정)만료일 : 20141209 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 삼성전기주식회사 경기 수원시 영통구... |
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
| 2 |
(권리자) 삼성엘이디 주식회사 경기도 용인시 기흥구... |
| 2 |
(의무자) 삼성전기주식회사 경기도 수원시 영통구... |
| 3 |
(의무자) 삼성엘이디 주식회사 경기도 용인시 기흥구... |
| 3 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 945,000 원 | 2006년 12월 11일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2009년 10월 16일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2010년 09월 29일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2011년 09월 16일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 708,000 원 | 2012년 11월 30일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 708,000 원 | 2013년 11월 29일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2004.11.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2004-0515672-26 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2005.02.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2005-0004954-37 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2006.04.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0238385-78 |
| 4 | 의견서 | 2006.05.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0364309-49 |
| 5 | 명세서등보정서 | 2006.05.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0364310-96 |
| 6 | 등록결정서 | 2006.10.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0586283-37 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2007.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5062967-87 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5050935-32 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5200786-38 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1350010624 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 212-11 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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