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플라즈마 방전 방식을 응용한 정전방전보호 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2014014412
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마 방전 방식을 응용한 정전 방전보호 발광 다이오드는 기판 상에 형성된 하부 클래드층, 하부 클래드층의 일부영역 상에 형성된 발광활성층, 발광활성층 상에 형성된 상부 클래드층, 상부 클래드층 상에 형성된 음극, 하부 클래드층의 다른 일부영역 상에 형성된 양극, 및 기판의 배면 상에 형성된 금속전극층을 포함하되, 금속전극층은 서로 이격되어 형성되고, 상기 음극 및 양극 각각과 전기적으로 접속되어 역바이어스가 인가되는 경우, 플라즈마 방전을 일으키는 한 쌍의 금속전극패턴들을 구비한다. 따라서, 발광 다이오드에 평행한 금속 전극을 증착하여 전기적으로 연결하면, 정전방전 현상에 대한 내구성이 향상되어 소자의 파괴를 감소시킬 수 있으며, 제조 공정이 간단하기 때문에 생산비를 절감할 수 있다. 발광 다이오드, 금속전극층, 플라즈마 방전, 정전방전
Int. CL H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01)
출원번호/일자 1020080001133 (2008.01.04)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0942367-0000 (2010.02.05)
공개번호/일자 10-2009-0075317 (2009.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20100212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박태영 대한민국 광주광역시 북구
2 박성주 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0006404-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051276-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0306469-47
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0583526-80
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0585451-01
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0585462-03
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0031320-06
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
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기판 상에 형성된 하부 클래드층; 상기 하부 클래드층의 일부영역 상에 형성된 발광활성층; 상기 발광활성층 상에 형성된 상부 클래드층; 상기 상부 클래드층 상에 형성된 음극; 상기 하부 클래드층의 다른 일부영역 상에 형성된 양극; 및 상기 기판의 배면 상에 형성된 금속전극층을 포함하되, 상기 금속전극층은 서로 이격되어 형성되고, 상기 음극 및 양극 각각과 전기적으로 접속되어 역바이어스가 인가되는 경우, 플라즈마 방전을 일으키는 한 쌍의 금속전극패턴들을 구비하는 정전방전보호 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 금속전극패턴들 사이의 거리를 20㎛ 내지 200㎛의 범위로 하는 것을 특징으로 하는 정전방전보호 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 금속전극층은 1nm 내지 400nm 두께 범위로 형성하는 정전방전보호 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 금속전극층은 금, 은, 구리, 티타늄, 알루미늄, 니켈, 망간, 철, 주석, 마그네슘, 은합금, 구리합금, 티타늄합금, 알루미늄합금 및 주석합금 중 어느 하나를 사용하여 형성하는 정전방전보호 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.