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정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조 방법
- 기술번호 : KST2014013720
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 발광 다이오드용 구성요소의 일부가 형성된 발광 다이오드용 기판과 전극층이 형성되어 있는 다이오드 역할을 하는 전도성 기판을 웨이퍼 본딩하여 back to back 구조를 형성한 후 발광 다이오드용 기판을 제거하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 다이오드 특성의 전도성 기판과 전극에 와이어 본딩함으로써 정전기 방전 특성과 광학적 특성, 전기적 특성 및 열적 특성의 향상을 꾀할 수 있으며, 2번의 와이어 본딩만으로 정전기 방전 특성을 갖는 발광 다이오드를 제조할 수 있으므로 공정이 간단하여 경제적인 측면에서도 우수하다.발광 다이오드, 정전기 방전 구조, 전도성 기판, 와이어 본딩 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/36 (2014.01) |
| CPC | H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) H01L 33/36(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060065877 (2006.07.13) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0809822-0000 (2008.02.26) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0006753 (2008.01.17) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20080304) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.07.13) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박성주 | 대한민국 | 광주 북구 |
| 2 | 박태영 | 대한민국 | 광주 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김삼용 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩) (인비전 특허법인) |
| 2 | 김상철 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상) |
| 3 | 이재관 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 | 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.07.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0501299-06 |
| 2 | 대리인변경신고서 Agent change Notification |
2007.06.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0448738-05 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.07.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0419029-19 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2007.09.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0701356-81 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.09.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0701390-23 |
| 6 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0050022-36 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 발광 다이오드용 기판 상에 n형 반도체층, 발광 활성층, p형 반도체층, 반사전극층 및 접합층을 순차적으로 형성하는 단계와;다이오드 역할을 하는 전도성 기판을 마련하는 단계와;상기 전도성 기판 상에 다이오드용 전극층을 형성하는 단계와;상기 다이오드용 전극층을 상기 접합층에 접합시키는 단계와;상기 발광 다이오드용 기판을 제거하는 단계와;상기 반사전극층의 소정영역이 노출되도록 상기 n형 반도체층, 상기 발광 활성층 및 상기 p형 반도체층을 메사 식각하는 단계와;상기 n형 반도체 상의 소정영역에는 n형 전극을 형성하고 상기 반사전극층에 있어서 노출된 영역에는 p형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 다이오드는 p-n 다이오드, Schottky 다이오드 및 Zener 다이오드 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 반사전극층은 Ag, Al, Ni, Pt, Pd, Ag 합금, Al 합금, Ni 합금, Pt 합금, 및 Pd 합금 중에서 선택된 어느 하나를 이용하여 30nm~5㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 다이오드가 p-n 다이오드 또는 Zener 다이오드이면 상기 다이오드용 전극층은 일함수가 그 다이오드들의 일함수보다 큰 물질을 사용하고,상기 다이오드가 Schottky 다이오드이면 상기 다이오드용 전극층은 일함수가 그 다이오드의 일함수보다 작은 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 5 |
5 제 4항에 있어서, 상기 다이오드용 전극층은 Al, Ta, Ag, Ti, Fe, Mo, Sn, W, Cr, Cu, Ru, Rh, Co, Pd, Ni, Re, Au 및 Pt 중에서 선택된 어느 하나가 포함된 합금을 이용하여 30nm~5㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 다이오드용 전극층을 상기 접합층에 접합시키는 단계는 10~1200℃의 온도와 10kgf/㎠~500kgf/㎠의 압력으로 실시하는 것을 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 7 |
7 제 6항에 있어서, 상기 접합층은 상기 다이오드용 전극층과 공정 반응이 일어나는 물질을 사용하여 10nm~1㎝ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 다이오드용 전극층 상에 제2 접합층을 10nm~1㎝ 두께로 형성하며, 상기 다이오드용 전극층을 상기 접합층에 접합시키는 단계는 상기 접합층과 상기 제2 접합층을 접합시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 접합층과 상기 제2 접합층으로는 서로 공정 반응이 일어날 수 있는 물질이 각각 사용되는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 10 |
10 제 1항에 있어서, 상기 발광 다이오드용 기판은 레이저 리프트 오프 방법, 기계적 연마 방법 및 화학적 에칭 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 11 |
11 제 1항에 있어서, 상기 발광 다이오드용 기판의 두께가 100㎛~1nm 될 때 까지 기계적 연마 방법으로 연마한 화학적 에칭으로 제거하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 12 |
12 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 화학적 에칭 방법은 상기 발광 다이오드용 기판을 100℃ 이상의 강산용액에 담금으로써 상기 발광 다이오드용 기판을 제거하는 것임을 특징으로 하는 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0809822-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20060713 출원 번호 : 1020060065877 공고 연월일 : 20080304 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080130 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주 북구... |
| 2 |
(권리자) 일진머티리얼즈(주) 전북 익산시 ... |
| 2 |
(의무자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
| 3 |
(권리자) 일진엘이디(주) 경기도 안산시 단원구... |
| 3 |
(의무자) 일진머티리얼즈(주) 전북 익산시 ... |
| 4 |
(권리자) 일진엘이디 주식회사 안산시 단원구... |
| 5 |
(권리자) 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘버 * |
| 5 |
(의무자) 일진엘이디(주) 경기도 안산시 단원구... |
| 6 |
(권리자) 일진엘이디 주식회사 안산시 단원구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 303,000 원 | 2008년 02월 26일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2011년 02월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2012년 02월 02일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2013년 02월 04일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2014년 02월 03일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2015년 02월 02일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2016년 02월 04일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 1,062,000 원 | 2017년 08월 29일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2018년 02월 02일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2019년 01월 03일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 1,020,000 원 | 2020년 02월 14일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.07.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0501299-06 |
| 2 | 대리인변경신고서 | 2007.06.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0448738-05 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2007.07.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0419029-19 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2007.09.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0701356-81 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.09.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0701390-23 |
| 6 | 등록결정서 | 2008.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0050022-36 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 기술번호 | KST2014013720 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 광주과학기술원 |
| 기술명 | 정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조 방법 |
| 기술개요 |
정전기 방전 구조를 갖는 발광 다이오드의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, 발광 다이오드용 구성요소의 일부가 형성된 발광 다이오드용 기판과 전극층이 형성되어 있는 다이오드 역할을 하는 전도성 기판을 웨이퍼 본딩하여 back to back 구조를 형성한 후 발광 다이오드용 기판을 제거하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 다이오드 특성의 전도성 기판과 전극에 와이어 본딩함으로써 정전기 방전 특성과 광학적 특성, 전기적 특성 및 열적 특성의 향상을 꾀할 수 있으며, 2번의 와이어 본딩만으로 정전기 방전 특성을 갖는 발광 다이오드를 제조할 수 있으므로 공정이 간단하여 경제적인 측면에서도 우수하다.발광 다이오드, 정전기 방전 구조, 전도성 기판, 와이어 본딩 |
| 개발상태 | 특허만신청(등록) |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | - |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345072455 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R17-2007-078-01001-0 |
| 연구과제명 | 고효율광원및디스플레이개발을위한넓은띠간격반도체기술연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200705~201002 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345084797 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1415092143 |
|---|---|
| 세부과제번호 | INFRA11 |
| 연구과제명 | 특허경비지원 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 한국산업기술진흥협회 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200604~201103 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1350010624 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 212-11 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1410030576 |
|---|---|
| 세부과제번호 | b0008643 |
| 연구과제명 | 특허경비지원 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 한국산업기술진흥협회 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200604~201103 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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