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박막 태양전지 제조방법과 이에 사용되는 비정질 실리콘의 결정화 방법

  • 기술번호 : KST2014027673
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 비정질 실리콘 박막 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 박막 태양전지 제조방법은, 유리기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 투명전극층을 형성하는 단계; 상기 투명전극층 위에 p형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 p형의 비정질 실리콘층 위에 i형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 i형의 비정질 실리콘층 위에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층 위로 레이저광선을 주사하여 상기 i형의 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계; 결정화된 i형의 실리콘층 위에 n형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 n형의 비정질 실리콘층 위에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 레이저광선을 주사하는 면에 씨드층을 형성함으로써 적은 데미지로 비정질 실리콘층을 균일하게 결정화하여 간단한 공정으로 효율이 향상된 박막 태양전지를 제조할 수 있다. 태양전지, 박막 태양전지, 비정질 실리콘 박막 태양전지, 결정화
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/075 (2014.01)
CPC H01L 31/075(2013.01) H01L 31/075(2013.01) H01L 31/075(2013.01) H01L 31/075(2013.01)
출원번호/일자 1020080086990 (2008.09.03)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1013432-0000 (2011.01.31)
공개번호/일자 10-2010-0027896 (2010.03.11) 문서열기
공고번호/일자 (20110214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울특별시 서초구
2 한규민 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 이영석 대한민국 광주광역시 북구
4 김영국 대한민국 경기도 수원시 권선구
5 허종규 대한민국 경기도 하남시 신
6 유진수 대한민국 충청북도 충주시 수

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0628356-79
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0305823-53
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0580590-91
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0580597-10
5 등록결정서
Decision to grant
2011.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0042517-85
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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유리기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 투명전극층을 형성하는 단계; 상기 투명전극층 위에 p형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 p형의 비정질 실리콘층 위에 i형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 i형의 비정질 실리콘층 위에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층 위로 레이저광선을 주사하여 상기 i형의 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계; 결정화된 i형의 실리콘층 위에 n형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 n형의 비정질 실리콘층 위에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 씨드층이 CeO2층, SiNx층 및 SiO2층 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 레이저광선을 주사하기 위해 사용하는 레이저가 파이버레이저인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 파이버레이저를 이용한 레이저광선의 파장이 1064㎚이며, 상기 파이버레이저가 5~15W의 파워로 주사되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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삭제
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패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학재단 국가지정연구실사업 차세대 태양전지용 재료 및 공정기술 개발