| 1 |
1
기판 스테이지가 마련되는 챔버;
불소성분을 포함한 반응가스를 상기 챔버로 공급하는 제1공급관; 및
상기 제1공급관 상에 마련되어 상기 반응가스를 플라즈마화하는 제1원격플라즈마발생기를 포함하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
산소 및 질소성분을 포함한 제1촉매가스를 챔버로 공급하는 제2공급관과, 상기 제2공급관 상에 마련되어 상기 제1촉매가스를 플라즈마화하는 제2원격플라즈마발생기를 포함하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,
산화질소성분을 포함한 제2촉매가스를 챔버로 직접 공급하는 제3공급수단을 포함하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,
상기 기판 스테이지의 내부에 마련되는 하부전극과, 상기 하부전극에서 상향으로 소정 간격 이격되는 상부전극과, 상기 상부 및 하부전극에 고주파 전원을 공급하는 전원공급수단을 더 포함하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,
상기 반응가스는 F2, NF3 중 하나 이상, 그리고 N2, O2, N2O, NO2 중 하나 이상이 조합된 가스인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,
상기 제1촉매가스는 N2, O2, N2O, NO2 중 하나 이상이 조합된 가스인 것을 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,
상기 제2촉매가스는 NXOX, Ar 중 하나 이상이 조합된 가스인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치
|
| 8 |
8
제4항에 있어서,
상기 제1 및 제2원격플라즈마발생기는 토로이달 타입, 마이크로웨이브 타입 및 유도결합플라즈마 타입 중 어느 하나의 타입인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치
|
| 9 |
9
태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법에 있어서,
불소성분을 포함한 반응가스를 플라즈마화하여 생성된 제1라디칼에 기판의 표면을 노출하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,
산소 및 질소성분을 포함한 제1촉매가스를 플라즈마화하여 제2라디칼을 생성하고, 상기 제1 및 제2라디칼에 기판의 표면을 노출하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법
|
| 11 |
11
제9항 또는 제10항에 있어서,
산화질소성분을 포함한 제2촉매가스를 추가로 사용하여 기판의 표면을 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,
기판의 상부 및 하부 중 적어도 일측에서 고주파 전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,
기판의 상부 및 하부에서 교번하여 고주파 전원이 인가되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,
상기 반응가스는 F2, NF3 중 하나 이상, 그리고 N2, O2, N2O, NO2 중 하나 이상이 조합된 가스인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,
상기 제1촉매가스는 N2, O2, N2O, NO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법
|
| 16 |
16
제13항에 있어서,
상기 제2촉매가스는 NXOX, Ar 중 하나 이상이 조합된 가스인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법
|
| 17 |
17
제13항에 있어서,
기판의 온도를 25~300℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법
|
| 18 |
18
제13항에 있어서,
기판은 단결정 또는 다결정 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 방법
|
