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다이아몬드층, 금속 전극층, 및 다이아몬드층과 금속 전극층 사이에 위치하는 버퍼층을 포함하는 소자에 있어서, 상기 버퍼층이 (i) 금속 질화물층(Me-N) 및 (ii) 실리콘 질화물층(Si-N), 금속-실리콘 질화물층(Me-Si-N), 보론 질화물층(B-N) 및 금속-보론 질화물층(Me-B-N)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 층을 나노두께로 반복적층한 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자
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제1항에 있어서,
상기 금속 질화물층(Me-N)이 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자
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제1항에 있어서,
상기 버퍼층이 다이아몬드층과 접하는 면에 제1 금속층을 추가로 포함하거나 또는 상기 버퍼층이 금속전극층과 접하는 면에 제2 금속층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 소자
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제1항에 있어서,
상기 버퍼층이 다이아몬드층과 접하는 면에 제1 금속층을 추가로 포함하고, 상기 버퍼층이 금속 전극층과 접하는 면에 제2 금속층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 소자
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제1항에 있어서,
상기 금속 질화물층(Me-N)이 알루미늄을 포함하는 복합 금속 질화물층(Me1-xAlxN, 여기서 0003c#X003c#1)인 것을 특징으로 하는 소자
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제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 제1 금속층 또는 제2 금속층이 티탄 또는 크롬 단원자 금속층, 또는 알루미늄을 포함하는 복합 금속층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 소자
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7
제1항에 있어서,
상기 반복적층한 층 하나의 두께가 0
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제1항에 있어서,
상기 버퍼층의 총 두께가 10 nm 내지 1 ㎛인 것을 특징으로 하는 소자
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제1항에 있어서,
상기 금속 전극층이 Pt 및 Au인 것을 특징으로 하는 소자
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10
(a) 실리콘 웨이퍼 상에 다이아몬드층을 적층하는 단계,
(b) 상기 다이아몬드층 상에 버퍼층을 적층하는 단계, 및
(c) 상기 버퍼층 상에 금속 전극층을 적층하는 단계
를 포함하는 소자의 제조방법으로서, 상기 버퍼층이 (i) 금속 질화물층(Me-N) 및 (ii) 실리콘 질화물층(Si-N), 금속-실리콘 질화물층(Me-Si-N), 보론 질화물층(B-N) 및 금속-보론 질화물층(Me-B-N)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 층을 나노두께로 반복적층한 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 제조방법
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