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전자빔으로 조절된 분역의 분극방향에 따른 식각속도차이를 이용한 강유전체 나노점의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015121831
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔으로 조절된 강유전체 박막의 분역이 분극방향에 따라 식각속도가 다르다는 점을 이용하여 강유전체 나노점을 제작하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 직접 전자빔 조사(direct e-beam writing) 방식을 채용하여 강유전체 나노점 형성과정에서 필수적이라고 여겨지던 ER을 사용할 필요가 없으므로, 강유전체 기억매체의 제작과정이 간단해진다. 또한, ER의 존재 때문에 나빠졌던 전자빔의 분해능이 향상되어 10 nm 이하의 분해능을 가진 식각이 가능해진다.강유전체, 나노점, 식각, 분극, 기억매체.
Int. CL H01L 27/105 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01)
출원번호/일자 1020050028226 (2005.04.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0612915-0000 (2006.08.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강종윤 대한민국 서울 서초구
2 윤석진 대한민국 서울특별시 도봉구
3 김달영 대한민국 경기 과천시
4 김현재 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0178038-73
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0237910-71
3 의견서
Written Opinion		 2006.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0434883-00
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0434902-80
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0410156-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판(10)에 부착된 강유전체 박막에 전기장을 가하여 표면이 (-)로 분극된 강유전체 박막(20)을 형성시키는 공정(S 100),상기 (-)로 분극된 강유전체 박막(20)의 표면에 전자빔을 직접 조사하여 전자빔이 조사된 부분은 분극이 반전되어 (+)로 분극된 강유전체 분역(30)을 형성시키는 공정(S 200), 및상기 분역이 조절된 강유전체 박막의 (+) 분역(30)과 (-) 분역(20) 사이의 식각 속도 차이를 이용하여 한쪽 분역만을 식각시킴으로써 식각 후 남겨진 나머지 분역만으로 이루어지는 나노점을 형성시키는 공정(S 300)을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 나노점의 제작 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 강유전체 분역을 형성시키는 공정(S 200)에서 (-)로 분극된 강유전체 박막(20)의 표면에 조사되는 전자빔의 크기는 10 × 10 nm2 내지 1 × 1 μm2 인 것을 특징으로 하는 강유전체 나노점의 제작 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노점을 형성시키는 공정(S 300)에서 한쪽 분역을 식각시키는 공정은 강유전체 박막과 기판을 화학용액에 담그는 방식을 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전체 나노점의 제작 방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 강유전체는 LiNbO3 또는 LiTaO3 인 것을 특징으로 하는 강유전체 나노점의 제작 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 분역 조절된 강유전체 박막을 식각시키는 공정(S 300)에서 사용되는 화학용액은 HF(불산)와 HNO3(질산)을 혼합한 용액인 것을 특징으로 하는 강유전체 나노점의 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.