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단결정 구조를 갖는 반도체 박막의 제조 방법 및 이를 이용하는 광전 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014028869
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단결정 구조를 갖는 반도체 박막의 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 박막의 제조 방법은 제1 온도로 진행되는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 반도체 나노 와이어를 형성하는 것을 구비한다. 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 진행되는 상기 화학기상증착법을 이용하여 상기 나노 와이어 상에 반도체층을 형성한다. 이를 이용하는 광전 소자의 제조 방법이 또한 제공된다. 금속 산화물, 단결정 구조
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01)
CPC H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자 1020090048890 (2009.06.03)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1073348-0000 (2011.10.06)
공개번호/일자 10-2010-0130295 (2010.12.13) 문서열기
공고번호/일자 (20111014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.03)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조형균 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 김동찬 대한민국 부산광역시 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)
2 특허법인세하 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0334982-13
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2010.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0360275-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0011036-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0108682-25
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0289238-75
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0289237-29
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0562106-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 온도로 진행되는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 반도체 나노 와이어를 형성하고, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 진행되는 상기 화학기상증착법을 이용하여 상기 나노 와이어 상에 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하되, 상기 반도체층은 단면도로 보았을 때 상부 표면으로 갈수록 (0001) 면과의 각도가 감소되는 격자면들을 갖도록 형성되는 반도체 박막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제2 온도로 진행되는 상기 화학기상증착법은 상기 제1 온도에서부터 상기 제2 온도로 연속적으로 감소시켜 진행되는 반도체 박막의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 화학기상증착법들은 열화학기상증착법(thermal CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD) 또는 플라즈마화학기상증착법(PECVD) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 수행되는 반도체 박막의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 나노 와이어의 형성은 30 내지 60 분의 시간 동안 400 내지 1000℃의 온도에서 1torr 미만의 압력으로 진행되고, 상기 반도체층의 형성은 10 분 이상 200 내지 300℃ 이하의 온도에서 1torr 미만의 압력으로 진행되는 반도체 박막의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 갈륨나이트라이드, 산화실리콘, 질화실리콘, 산화아연 및 ITO로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하도록 형성되는 반도체 박막의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 반도체는 산화아연계 반도체를 포함하도록 형성되는 반도체 박막의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 산화아연계 반도체는 언도우프트(undoped) 되도록 형성되는 반도체 박막의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 산화아연계 반도체는 도핑되도록 형성되되, 도핑되는 불순물은 갈륨, 질소 또는 인(P)을 포함하는 반도체 박막의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 산화아연계 반도체는 이원계 화합물으로 형성되거나 IIA 족 원소 또는 IIB 족 원소를 추가적으로 포함하는 삼원계 화합물로 형성되는 반도체 박막의 제조 방법
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 화학기상증착법들을 진행하는 과정에서 아연 함유 가스는 디메틸아연[Zn(CH3)2], 디에틸아연[Zn(C2H5)2], 아연아세테이트 [Zn(OOCCH3)2·H2O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH3)2] 및 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2]으로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하며, 산소 함유 가스는 산소, 오존, 이산화질소, 수증기 및 이산화탄소로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 반도체 박막의 제조 방법
12 12
산화아연계 반도체를 포함하며, 기판 상에 순차적으로 적층되는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 반도체 적층부를 형성하되, 상기 반도체 적층부를 형성하는 것은 상기 기판 상에 제1 온도로 진행되는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 산화아연계 나노 와이어를 형성하고, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 진행되는 상기 화학기상증착법을 이용하여 상기 나노 와이어 상에 산화아연계 반도체층을 형성하는 것을 포함하되, 상기 산화아연계 반도체층은 단면도로 보았을 때 상부 표면으로 갈수록 (0001) 면과의 각도가 감소되는 격자면들을 갖도록 형성되는 광전 소자의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 제2 온도로 진행되는 상기 화학기상증착법은 상기 제1 온도에서부터 상기 제2 온도로 연속적으로 감소시켜 진행되는 광전 소자의 제조 방법
14 14
삭제
15 15
제 12 항에 있어서, 상기 화학기상증착법들은 열화학기상증착법(thermal CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD) 또는 플라즈마화학기상증착법(PECVD) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 수행되는 광전 소자의 제조 방법
16 16
제 12 항에 있어서, 상기 화학기상증착법들을 진행하는 과정에서 아연 함유 가스는 디메틸아연[Zn(CH3)2], 디에틸아연[Zn(C2H5)2], 아연아세테이트 [Zn(OOCCH3)2·H2O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH3)2] 및 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2]으로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하며, 산소 함유 가스는 산소, 오존, 이산화질소, 수증기 및 이산화탄소로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 광전 소자의 제조 방법
17 17
제 12 항에 있어서, 상기 산화아연계 나노 와이어의 형성은 30 내지 60 분의 시간 동안 400 내지 1000℃의 온도에서 1torr 미만의 압력으로 진행되고, 상기 산화아연계 반도체층의 형성은 10 분 이상 200 내지 300℃ 이하의 온도에서 1torr 미만의 압력으로 진행되는 광전 소자의 제조 방법
18 18
제 12 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 갈륨나이트라이드, 산화실리콘, 질화실리콘, 산화아연 및 ITO로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하도록 형성되는 광전 소자의 제조 방법
19 19
제 12 항에 있어서, 상기 n형 반도체층은 갈륨으로 도핑되도록 형성되며, 상기 p형 반도체층은 질소 또는 인(P)으로 도핑되도록 형성되고, 상기 활성층은 언도우프트(undoped) 되도록 형성되는 광전 소자의 제조 방법
20 20
제 12 항에 있어서, 상기 반도체 적층부는 이원계 화합물으로 형성되거나 IIA족 원소 또는 IIB족 원소를 추가적으로 포함하는 삼원계 화합물로 형성되는 광전 소자의 제조 방법
21 21
제 12 항에 있어서, 상기 n형 반도체층 하부 및 상기 p형 반도체층 상부에 각각 n형 및 p형 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 광전 소자의 제조 방법
22 22
제 21 항에 있어서, 상기 n형 전극을 형성하기 전에, 상기 기판을 제거하고, 상기 n형 반도체층의 일부를 제거하는 것을 더 포함하는 광전 소자의 제조 방법
23 23
제 12 항에 있어서, 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 반도체 적층부를 식각하고, 상기 노출된 n형 반도체층의 상에 n형 전극을 형성하고, 상기 p형 반도체층 상부에 p형 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 광전 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 07년 선정 지역대학 우수과학자 지원사업 2/2년차 나노선 어레이를 이용한 폴리머/금속산화물 하이브리드 태양전지 개발연구