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금속 산화물 나노 구조체를 갖는 전자 소자, 이의 제조방법 및 이를 구비하는 전자 장치
- 기술번호 : KST2014027668
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 금속 산화물 나노 구조체를 갖는 전자 소자가 제공된다. 상기 전자 소자는 기판 상에 금속을 함유하는 비단결정층들을 포함한다. 상기 비단결정층들 사이의 상기 기판 상에 단결정의 씨드층들과 상기 씨드층들 상에 선택적으로 형성되는 로드들(rods)을 갖는 금속 산화물 나노 구조체들이 배치된다. 상기 전자 소자의 제조 방법 및 이를 구비하는 전자 소자가 또한 제공된다. 전계 방출 소자, 금속 산화물, 선택적 단결정 형성 |
|---|---|
| Int. CL | B82B 3/00 (2006.01) B82Y 25/00 (2011.01) |
| CPC | C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080106533 (2008.10.29) |
| 출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1021748-0000 (2011.03.04) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0047577 (2010.05.10) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110315) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.10.29) |
| 심사청구항수 | 33 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 조형균 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
| 2 | 김동찬 | 대한민국 | 부산광역시 사하구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김인철 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동) |
| 2 | 특허법인세하 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.10.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0752176-88 |
| 2 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.08.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0482068-89 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.05.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2010.06.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0360275-19 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.06.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0036327-93 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.10.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0482336-81 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.10.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0703602-58 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.10.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0703601-13 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.02.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0116053-60 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 금속을 함유하는 비단결정층들; 및 상기 비단결정층들 사이의 상기 기판 상에 단결정의 씨드층들과 상기 씨드층들 상에 선택적으로 형성되는 로드들(rods)을 갖는 금속 산화물 나노 구조체들을 포함하는 전자 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 씨드층들 및 상기 비단결정층들은 제1 금속 및 제2 금속 및 산소를 함유하는 삼원계 합금막을 포함하되, 상기 제2 금속은 상기 제1 금속의 단결정 생성 온도에서 다결정상 또는 비정질상이 형성되며, 상기 씨드층들은 제1 금속을 주성분으로 채택하는 합금막이고, 상기 비단결정층들은 제2 금속을 주성분으로 채택하는 합금막인 전자 소자 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속들은 각각 아연 및 마그네슘인 전자 소자 |
| 4 |
4 제 3 항에 있어서, 상기 씨드층들은 ZnxMg1-xO(0003c#x1) 합금막을 포함하되, 상기 씨드층들은 0 |
| 5 |
5 제 3 항에 있어서, 상기 비단결정층들은 ZnxMg1-xO(0x003c#1) 합금막을 포함하되, 상기 비단결정층들은 0 |
| 6 |
6 제 3 항에 있어서, 상기 로드들은 ZnxMg1-xO(0003c#x1) 합금막을 포함하되, 상기 로드들은 0 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체들은 우르짜이트(wurtzite) 결정 구조를 갖는 전자 소자 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체들은 기판 상에 수직되는 [0001] 방위와 아울러서 5 내지 15 nm의 폭을 갖는 전자 소자 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 갈륨나이트라이드, 유리 및 ITO로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 전자 소자 |
| 10 |
10 기판 상에 서로 이격되며 제1 금속을 함유하는 제1 핵들을 형성하고, 상기 제1 핵들 사이의 상기 기판 상에 제2 금속을 함유하는 제2 핵들을 형성하되, 상기 제2 금속은 상기 제1 금속의 단결정 생성 온도에서 다결정상 또는 비정질상을 형성하는 금속이고, 상기 기판 상에 반응 가스를 공급하여 상기 제1 및 2 핵들을 각각 단결정의 씨드층들과 비단결정층들로 변환시키고 상기 씨드층들 상에 선택적으로 성장하는 로드들(rods)을 형성하는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 씨드층들 및 상기 비단결정층들은 제1 금속 및 제2 금속 및 반응 가스를 함유하는 삼원계 합금막을 포함하도록 형성되고, 상기 씨드층들은 제1 금속을 주성분으로 채택하는 합금막으로 형성되고, 상기 비단결정층들은 제2 금속을 주성분으로 채택하는 합금막으로 형성되는 전자 소자의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속들은 각각 아연 및 마그네슘을 함유하는 전구체로 사용하여 형성되는 전자 소자의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 아연 함유 전구체는 디메틸아연[Zn(CH3)2], 디에틸아연[Zn(C2H5)2], 아연아세테이트[Zn(OOCCH3)2·H2O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH3)2] 및 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2]으로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나이며, 상기 마그네슘 함유 전구체는 비스- 사이클로펜타디닐마그네슘(Cp2Mg), 이오딘화메틸마그네슘 (MeMgI) 및 디메틸마그네슘(Et2Mg) 으로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나인 전자 소자의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 핵들의 형성은 각각 20 내지 40초의 시간 동안 400 내지 600℃의 온도에서 1torr 미만의 압력으로 진행되는 전자 소자의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 12 항에 있어서, 상기 로드들을 형성하는 것은 상기 씨드층들 및 상기 비단결정층들을 갖는 기판 상에 상기 아연 함유 전구체, 상기 마그네슘 함유 전구체와 산소 함유 기체를 소스 가스로 공급하는 전자 소자의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 12 항에 있어서, 상기 반응 가스는 산소 함유 가스이되, 상기 산소 함유 가스는 산소, 오존, 이산화질소, 수증기 및 이산화탄소로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나이고, 상기 산소 함유 가스는 20 내지 40초의 시간 동안 400 내지 600℃의 온도 및 1torr 미만의 압력에서 50 ~ 100sccm의 유량으로 공급되는 전자 소자의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서, 상기 씨드층들 및 상기 비단결정층은 ZnxMg1-xO(0003c#x003c#1) 삼원계 합금막을 포함하도록 변환되되, 상기 씨드층들은 0 |
| 18 |
18 제 16 항에 있어서, 상기 로드들은 ZnxMg1-xO(0003c#x1)합금막을 포함하도록 형성되되, 상기 로드들은 0 |
| 19 |
19 제 10 항에 있어서, 상기 씨드층들 및 상기 로드들은 우르짜이트(wurtzite) 결정 구조를 갖는 전자 소자의 제조 방법 |
| 20 |
20 제 10 항에 있어서, 상기 로드들은 기판 상에 수직되는 [0001] 방위와 아울러서 5 내지 15 nm의 폭을 갖는 전자 소자의 제조 방법 |
| 21 |
21 제 10 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 갈륨나이트라이드, 유리 및 ITO로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 전자 소자의 제조 방법 |
| 22 |
22 제 10 항에 있어서, 상기 로드들의 성장은 유기금속 화학기상증착법, 기상 에피택시 및 분자빔 에피택시로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나로 수행되는 전자 소자의 제조 방법 |
| 23 |
23 캐소드 전극(cathode electrode)을 갖는 제1 기판; 상기 제1 기판과 서로 이격되게 배치됨과 아울러서 애노드 전극(anode electrode)을 갖는 제2 기판; 및 상기 캐소드 전극 상에 배치되는 전자 소자를 포함하되, 상기 전자 소자는 상기 기판 상에 금속을 함유하는 비단결정층들; 및 상기 비단결정층들 사이의 상기 기판 상에 단결정의 씨드층들과 상기 씨드층들 상에 선택적으로 형성되는 로드들(rods)을 갖는 금속 산화물 나노 구조체들을 포함하는 전자 장치 |
| 24 |
24 제 23 항에 있어서, 상기 씨드층들 및 상기 비단결정층들은 제1 금속 및 제2 금속 및 산소를 함유하는 삼원계 합금막을 포함하되, 상기 제2 금속은 상기 제1 금속의 단결정 생성 온도에서 다결정상 또는 비정질상이 형성되며, 상기 씨드층들은 제1 금속을 주성분으로 채택하는 합금막이고, 상기 비단결정층들은 제2 금속을 주성분으로 채택하는 합금막인 전자 장치 |
| 25 |
25 제 24 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 금속들은 각각 아연 및 마그네슘인 전자 장치 |
| 26 |
26 제 25 항에 있어서, 상기 씨드층들은 ZnxMg1-xO(0003c#x1) 합금막을 포함하되, 상기 씨드층들은 0 |
| 27 |
27 제 25 항에 있어서, 상기 비단결정층들은 ZnxMg1-xO(0x003c#1) 합금막을 포함하되, 상기 비단결정층들은 0 |
| 28 |
28 제 25 항에 있어서, 상기 로드들은 ZnxMg1-xO(0003c#x1) 합금막을 포함하되, 상기 로드들은 0 |
| 29 |
29 제 23 항에 있어서, 상기 나노 구조체들은 우르짜이트(wurtzite) 결정 구조를 갖는 전자 장치 |
| 30 |
30 제 23 항에 있어서, 상기 나노 구조체들은 기판 상에 수직되는 [0001] 방위와 아울러서 5 내지 15 nm의 폭을 갖는 전자 장치 |
| 31 |
31 제 23 항에 있어서, 상기 제1 기판은 실리콘, 사파이어, 갈륨나이트라이드, 유리 및 ITO로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 전자 장치 |
| 32 |
32 제 23 항에 있어서, 상기 애노드 전극은 상기 캐소드 전극과 서로 마주보도록 배치되되, 상기 애노드 전극 상에 형광층을 더 포함하는 전자 장치 |
| 33 |
33 제 23 항에 있어서, 상기 캐소드 전극 상에 이와 다른 방향으로 신장되어 교차되는 게이트 전극을 더 포함하되, 상기 전자 소자는 상기 게이트 전극과 서로 중첩되지 않도록 위치되는 전자 장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1021748-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20081029 출원 번호 : 1020080106533 공고 연월일 : 20110315 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110228 청구범위의 항수 : 33 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 금속 산화물 나노 구조체를 갖는 전자 소자, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 전자 장치 존속기간(예정)만료일 : 20160305 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 666,000 원 | 2011년 03월 04일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 766,000 원 | 2014년 01월 06일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 536,200 원 | 2015년 01월 15일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.10.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0752176-88 |
| 2 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.08.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0482068-89 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.05.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.06.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0360275-19 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2010.06.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0036327-93 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2010.10.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0482336-81 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.10.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0703602-58 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.10.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0703601-13 |
| 9 | 등록결정서 | 2011.02.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0116053-60 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 기술번호 | KST2014027668 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 성균관대학교 |
| 기술명 | 금속 산화물 나노 구조체를 갖는 전자 소자, 이의 제조방법 및 이를 구비하는 전자 장치 |
| 기술개요 |
금속 산화물 나노 구조체를 갖는 전자 소자가 제공된다. 상기 전자 소자는 기판 상에 금속을 함유하는 비단결정층들을 포함한다. 상기 비단결정층들 사이의 상기 기판 상에 단결정의 씨드층들과 상기 씨드층들 상에 선택적으로 형성되는 로드들(rods)을 갖는 금속 산화물 나노 구조체들이 배치된다. 상기 전자 소자의 제조 방법 및 이를 구비하는 전자 소자가 또한 제공된다. 전계 방출 소자, 금속 산화물, 선택적 단결정 형성 |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 전자소자 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345078617 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-521-D00191 |
| 연구과제명 | 나노선어레이를이용한폴리머/금속산화물하이브리드태양전지개발연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200708~200907 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345147011 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0078876 |
| 연구과제명 | 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201202 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345063423 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-521-D00191 |
| 연구과제명 | 나노선어레이를이용한폴리머/금속산화물하이브리드태양전지개발연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200708~200907 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1350012462 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R01-2006-000-10027-0 |
| 연구과제명 | UVLED개발을위한ZnO/GaN하이브리드반도체성장및소자제작연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~200902 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1350021886 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R11-2000-086-02009-0 |
| 연구과제명 | 미세구조특성평가기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~200902 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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|---|---|---|
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