맞춤기술찾기

이전대상기술

투명 전도막 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014032054
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전도막(transparent conductive oxide, TCO) 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기존의 ITO (indium-tin-oxide)를 대체할 수 있는 보론 도핑된 ZnO-SnO2, 또는 보론 도핑된 ZnO-In2O3-SnO2의 투명 전도막 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL B22F 3/10 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01)
CPC C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01)
출원번호/일자 1020100052770 (2010.06.04)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 나노신소재
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0073202 (2011.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090128078   |   2009.12.21
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.04)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 나노신소재 대한민국 세종특별자치시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정우석 대한민국 대전광역시 유성구
2 정승묵 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 박장우 대한민국 대전광역시 유성구
4 김상희 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 문용호 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
2 이용우 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
3 강신섭 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0359639-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5204781-41
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-1209456-61
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0540531-64
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-0033155-99
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0015677-38
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0468284-94
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0756197-42
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2016-5186477-02
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ZnO 및 SnO2의 혼합된 산화물에 도펀트로서 보론을 0
2 2
제1항에 있어서,상기 혼합된 산화물에 In2O3을 더 포함하는 것인 투명 전도막
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 SnO2 또는 In2O3은 각각 1 내지 90중량%의 범위 내에서 포함되는 것인 투명 전도막
4 4
ZnO에 SnO2이 혼합되고 보론이 도핑된 투명 전도막용 타겟을 제조하는 단계; 상기 타겟을 이용하여 투명 전도막을 증착하는 단계; 및상기 투명 전도막을 열처리하는 단계를 포함하는 투명 전도막의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 투명 전도막용 타겟에는 In2O3을 더 포함하는 것인 투명 전도막의 제조방법
6 6
제4항 또는 제5항에 있어서,상기 투명 전도막용 타겟에 포함된 SnO2 또는 In2O3는 각각 1 내지 90중량% 범위내에서 포함되고, 보론는 0
7 7
제4항 또는 제5항에 있어서,상기 투명 전도막용 타겟은 ZnO, SnO2, 보론, 및 선택적으로 In2O3을 혼합한 후 진공 또는 산소 분위기하에서 900 내지 1500℃의 온도 범위에서 소결하여 제작되는 것인 투명 전도막의 제조방법
8 8
제4항 또는 제5항에 있어서,상기 타겟을 이용한 투명 전도막 증착방법으로는 스퍼터링, 이베퍼레이션 또는 이온 건을 사용하는 것인 투명 전도막의 제조방법
9 9
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 증착된 투명 전도막은 산소 또는 진공 분위기하 150 내지 500℃에서 열처리를 진행하는 것인 투명 전도막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 투명전자 소자를 이용한 스마트 창