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ZnO 및 SnO2의 혼합된 산화물에 도펀트로서 보론을 0
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제1항에 있어서,상기 혼합된 산화물에 In2O3을 더 포함하는 것인 투명 전도막
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 SnO2 또는 In2O3은 각각 1 내지 90중량%의 범위 내에서 포함되는 것인 투명 전도막
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ZnO에 SnO2이 혼합되고 보론이 도핑된 투명 전도막용 타겟을 제조하는 단계; 상기 타겟을 이용하여 투명 전도막을 증착하는 단계; 및상기 투명 전도막을 열처리하는 단계를 포함하는 투명 전도막의 제조방법
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5 |
5
제4항에 있어서,상기 투명 전도막용 타겟에는 In2O3을 더 포함하는 것인 투명 전도막의 제조방법
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6 |
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제4항 또는 제5항에 있어서,상기 투명 전도막용 타겟에 포함된 SnO2 또는 In2O3는 각각 1 내지 90중량% 범위내에서 포함되고, 보론는 0
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7 |
7
제4항 또는 제5항에 있어서,상기 투명 전도막용 타겟은 ZnO, SnO2, 보론, 및 선택적으로 In2O3을 혼합한 후 진공 또는 산소 분위기하에서 900 내지 1500℃의 온도 범위에서 소결하여 제작되는 것인 투명 전도막의 제조방법
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제4항 또는 제5항에 있어서,상기 타겟을 이용한 투명 전도막 증착방법으로는 스퍼터링, 이베퍼레이션 또는 이온 건을 사용하는 것인 투명 전도막의 제조방법
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9 |
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 증착된 투명 전도막은 산소 또는 진공 분위기하 150 내지 500℃에서 열처리를 진행하는 것인 투명 전도막의 제조방법
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