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유기 강유전체 박막을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015085242
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법에 대한 것으로서, 이 방법은 기판 상에 전도성 박막층 또는 반도체 박막층을 형성하는 단계, 상기 전도성 박막층 또는 반도체 박막층 상부에 유기 강유전체 박막층을 형성하는 단계, 상기 유기 강유전체 박막층을 소정의 형태로 패터닝 하는 단계 및 상기 패터닝 된 유기 강유전체 박막층 상부에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명에 따른 투명 및 유연 비휘발성 메모리 소자는 P(VDF-TrFE) 유기물 강유전체 박막층으로 구성하고, 유기 강유전체 박막층의 내약품성 및 공정 의존성을 고려한 소자의 제조 방법을 제공함으로써, 저온 공정이 가능하고, 저렴하게 제작이 가능한 투명 및 유연 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다. 투명, 유연, 비휘발성, 메모리, 유기 강유전체
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01)
출원번호/일자 1020090040094 (2009.05.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1211070-0000 (2012.12.05)
공개번호/일자 10-2010-0121107 (2010.11.17) 문서열기
공고번호/일자 (20121212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.08)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤성민 대한민국 대전광역시 서구
2 양신혁 대한민국 경기도 용인시 수지구
3 강승열 대한민국 대전광역시 유성구
4 변춘원 대한민국 대전광역시 유성구
5 황치선 대한민국 대전광역시 유성구
6 유병곤 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0276540-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0047965-28
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0372342-22
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0679111-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0679142-17
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0721600-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되어 있는 전도성 박막층 또는 반도체 박막층;상기 전도성 박막층 또는 반도체 박막층 상부에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막층; 및상기 유기 강유전체 박막층 상부에 형성되어 있는 상부 전극층을 포함하고,상기 유기 강유전체 박막층은 P(VDF-TrFE) [poly(vinylidene fluoride-trifluorotethylene)]의 공중합체로 구성되는,비휘발성 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 전도성 박막층 또는 반도체 박막층과 상기 유기 강유전체 박막층 사이에 형성되어 있는 제1 보조 절연막층을 더 포함하는비휘발성 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 유기 강유전체 박막층과 상기 상부 전극층 사이에 형성되어 있는 제2 보조 절연막층을 더 포함하는비휘발성 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 기판은 유리 또는 플라스틱으로 형성되어 있는 비휘발성 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 전도성 박막층은 전도성 산화물 박막층 또는 전도성 유기물 박막층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 전도성 산화물 박막층은 인듐-주석 산화물(ITO), 알루미늄-아연 산화물(Al-Zn-O), 갈륨-아연 산화물(Ga-Zn-O) 중 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
8 8
제6항에 있어서, 상기 전도성 유기물 박막층은 PANI (Polyaniline), PEDOT:PSS [Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)] 중 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
9 9
제6항에 있어서, 상기 반도체 박막층은 투명하면서 반도체의 성질을 갖는 산화물 반도체 박막층 또는 유기물 반도체 박막층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 산화물 반도체 박막층은 아연 산화물 (ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물 (In-Ga-Zn-O), 아연-주석 산화물 (Zn-Sn-O) 및 아연, 인듐, 갈륨, 주석, 알루미늄 중 적어도 두 개의 원소가 포함되는 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
11 11
제9항에 있어서, 상기 유기 반도체 박막층은 펜타센(pentancene), DH6T (dihexyl-hexithiophene), P3HT (poly(3-hexythiophene) regioregular), F8T2 (poly-9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene), DHADT (dihexylanthra-dithiophene) 등의 유기물 반도체 물질 또는 이들의 유도체가 포함되는 유기물로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
12 12
기판 상에 전도성 박막층 또는 반도체 박막층을 형성하는 단계;상기 전도성 박막층 또는 반도체 박막층 상부에 유기 강유전체 박막층을 형성하는 단계; 상기 유기 강유전체 박막층을 소정의 형태로 패터닝 하는 단계; 및상기 패터닝 된 유기 강유전체 박막층 상부에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기 강유전체 박막층을 형성하는 단계는; P(VDF-TrFE) 박막층을 스핀 코팅 방법에 의해 박막 형태로 형성하는 단계; 스핀 코팅 용액에 포함된 유기 용매를 휘발시키기 위해 1차 열처리를 수행하는 단계; 및 상기 P(VDF-TrFE) 박막층의 결정화를 위해 2차 열처리를 수행하는 단계를 포함하는, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
제12항에 있어서, 상기 P(VDF-TrFE)박막층의 1차 열처리를 수행하는 단계는 50~100oC의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 P(VDF-TrFE)박막층의 2차 열처리를 수행하는 단계는 120~200oC의 온도 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
16 16
제12항에 있어서, 상기 유기 강유전체 박막층을 소정의 형태로 패터닝 하는 단계는,상기 P(VDF-TrFE)박막층의 상부에 포토 레지스트를 도포하는 단계;상기 포토 레지스트의 일부를 노광하고 현상액을 적용하여 레지스트 마스크를 형성하는 단계;상기 포토 레지스트 마스크를 이용하여 산소 플라즈마를 이용한 건식 식각 공정을 적용하여 상기 P(VDF-TrFE)박막층의 패턴을 형성하는 단계; 및상기 건식 식각 공정의 상기 포토 레지스트 마스크를 박리하는 단계; 를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 포토 레지스트 마스크를 박리하는 단계는P(VDF-TrFE) 박막층을 끓는점이 50~200oC 사이의 normal- 또는 branched 알코올계 유도체, 메톡시 프로판올 (methoxy-propanol) 및 그 유도체로 구성되는 용액을 박리액으로 하여 수행하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
18 18
제17항에 있어서,상기 박리액은 1-메톡시-2-프로판올인 것을 특징으로 하는비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
19 19
제12항에 있어서,상기 상부 전극층을 형성하는 단계는 플라즈마를 사용하지 않는 진공 열증착법 및 용액 스핀 코팅 방법 중 하나를 적용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
20 20
기판 상에 전도성 박막층 또는 반도체 박막층을 형성하는 단계;상기 전도성 박막층 또는 반도체 박막층 상부에 유기 강유전체 박막층을 형성하는 단계; 상기 유기 강유전체 박막층 상부에 상부 전극층을 형성하는 단계;상기 상부 전극층을 소정의 형태로 패터닝 하는 단계; 및패터닝된 상기 상부 전극층을 마스크로 상기 강유전체 박막층을 패터닝하는 단계를 포함하고,상기 유기 강유전체 박막층을 형성하는 단계는; P(VDF-TrFE) 박막층을 스핀 코팅 방법에 의해 박막 형태로 형성하는 단계; 스핀 코팅 용액에 포함된 유기 용매를 휘발시키기 위해 1차 열처리를 수행하는 단계; 및 상기 P(VDF-TrFE) 박막층의 결정화를 위해 2차 열처리를 수행하는 계를 포함하는, 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
21 21
삭제
22 22
제20항에 있어서, 상기 상부 전극층을 소정의 형태로 패터닝 하는 단계는;전도성 산화물 박막층 또는 전도성 유기물 박막층을 상기 유기 강유전체 상부에 형성하는 단계:상기 전도성 산화물 박막층 또는 전도성 유기물 박막층의 상부에 포토 리소그래피 공정을 적용하여 레지스트 마스크를 형성하는 단계; 건식 또는 습식 식각 공정을 이용하여 상기 상부 전극층의 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토 레지스트 마스크를 박리하는 단계; 를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.