요약 | 본 발명은 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 금속 필링장치 및 이를 이용한 필링방법에 관한 것으로, 그 목적은 기존 전기도금법 비하여 공정이 쉽고 간단하여 공정비용을 낮출 수 있는 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 내의 금속 필링장치 및 이를 이용한 필링방법을 제공함에 있다. 이를 위한 본 발명은 관통 비아홀이 형성된 웨이퍼를 고정하는 지그를 갖는 지그 베이스; 상기 지그 베이스의 상부에 설치되는 상부챔버; 상기 지그 베이스의 하부에 설치되는 하부챔버; 상기 상부챔버의 내부에 설치되며, 웨이퍼 상에 올려진 필링금속에 열을 가하여 용융시키는 히터; 상기 하부챔버의 공기를 외부로 배출시켜 하부챔버의 압력을 감소시킴으로써 상부챔버와 하부챔버의 압력차를 유발시켜 용융된 필링금속을 관통 비아홀에 충진시키는 진공펌프로 구성된 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 금속 필링장치 및 이를 이용한 필링방법에 관한 것을 기술적 요지로 한다. 웨이퍼, 관통 비아홀, 필링, 압력차 |
---|---|
Int. CL | H01L 21/60 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020090029081 (2009.04.03) |
출원인 | 한국생산기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1071180-0000 (2011.09.30) |
공개번호/일자 | 10-2010-0110643 (2010.10.13) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20111010) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2009.04.03) |
심사청구항수 | 3 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국생산기술연구원 | 대한민국 | 충청남도 천안시 서북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 유세훈 | 대한민국 | 인천광역시 연수구 |
2 | 이창우 | 대한민국 | 경기 안양시 동안구 |
3 | 김준기 | 대한민국 | 경기 군포시 산 |
4 | 김정한 | 대한민국 | 서울 서초구 |
5 | 김철희 | 대한민국 | 인천 연수구 |
6 | 고영기 | 대한민국 | 인천광역시 연수구 |
7 | 신의선 | 대한민국 | 서울 도봉구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고영갑 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국생산기술연구원 | 대한민국 | 충청남도 천안시 서북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.04.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0203502-83 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2009.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0789918-49 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.06.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.07.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0045457-20 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5161401-06 |
6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.12.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0598255-12 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.02.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0116919-47 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.02.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0116926-67 |
9 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.08.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0494188-80 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5068733-13 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090658-47 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5017806-08 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5006834-98 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.07.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5123030-77 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 관통 비아홀(11)이 형성된 웨이퍼(10)를 고정하는 지그(160)를 갖는 지그 베이스(110); 상기 지그 베이스(110)의 상부에 설치되는 상부챔버(120); 상기 지그 베이스(110)의 하부에 설치되는 하부챔버(130); 상기 상부챔버(120)의 내부에 설치되며, 웨이퍼 상에 올려진 필링금속(12)에 열을 가하여 용융시키는 히터(140); 및 상기 하부챔버(130)의 공기를 외부로 배출시켜 하부챔버(130)의 압력을 감소시킴으로써 상부챔버(120)와 하부챔버(130)의 압력차를 유발시켜 용융된 필링금속을 관통 비아홀에 충진시키는 진공펌프(150)로 구성되고, 상기 히터(140)는 상부챔버(120)에 설치된 유압실린더(141)와 연결되어 상하로 이동가능하게 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 내의 금속 필링장치 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 지그(160)는, 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부(161); 상기 웨이퍼 안착부의 하단부에 일체형으로 형성되며, 관통 비아홀과의 간섭없이 웨이퍼의 저면을 지지하도록 격자형의 구조로 형성된 웨이퍼 지지부(162); 및 상기 웨이퍼 안착부(161)에 안착된 웨이퍼를 상부에서 가압하여 고정하도록 웨이퍼 안착부(161)에 조립되는 웨이퍼 고정부(163)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 내의 금속 필링장치 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 비아홀(11)이 형성된 웨이퍼(10)를 상부챔버(120)와 하부챔버(130)의 사이에 위치한 지그(160)에 고정하는 단계(S1); 상기 S1 단계를 통해 고정된 웨이퍼 상에 필링하고자 하는 금속(12)을 올리는 단계(S2); 상기 상부챔버(120)의 공기 유입 및 유출이 발생하지 않도록 상부챔버(120)를 밀폐하는 단계(S3); 상기 상부챔버(120)의 내부에 배치된 히터(140)를 이용하여 금속을 가열하여 용융시키는 단계(S4); 및 상기 하부챔버(130)의 공기를 외부로 배출시켜 하부챔버(130)의 압력을 감소시킴으로써 상부챔버(120)와 하부챔버(130)의 압력차를 유발시켜 용융된 필링금속을 상기 비아홀에 충진시키는 단계(S5)로 이루어지고, 상기 S2 단계는 필링하고자 하는 금속을 솔더볼 또는 페이스트 또는 건식증착법으로 코팅한 형태 중 어느 한가지의 형태로 올리는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 내의 금속 필링방법 |
5 |
5 삭제 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN102449749 | CN | 중국 | FAMILY |
2 | US08486827 | US | 미국 | FAMILY |
3 | US20120034776 | US | 미국 | FAMILY |
4 | WO2010114216 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | CN102449749 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
2 | CN102449749 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
3 | US2012034776 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
4 | US8486827 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
5 | WO2010114216 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1071180-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20090403 출원 번호 : 1020090029081 공고 연월일 : 20111010 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110831 청구범위의 항수 : 3 유별 : H01L 21/60 발명의 명칭 : 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 내의 금속 필링장치 및 이를 이용한 필링방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 81,000 원 | 2011년 10월 04일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 109,180 원 | 2014년 10월 16일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 106,000 원 | 2015년 09월 08일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 74,200 원 | 2016년 07월 01일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 149,800 원 | 2017년 07월 03일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 107,000 원 | 2018년 07월 02일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 107,000 원 | 2019년 06월 25일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 202,500 원 | 2020년 06월 25일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.04.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0203502-83 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2009.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0789918-49 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.06.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2010.07.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0045457-20 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.30 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5161401-06 |
6 | 의견제출통지서 | 2010.12.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0598255-12 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.02.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0116919-47 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.02.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0116926-67 |
9 | 등록결정서 | 2011.08.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0494188-80 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5068733-13 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090658-47 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5017806-08 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5006834-98 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.07.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5123030-77 |
기술번호 | KST2014034711 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국생산기술연구원 |
기술명 | 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 내의 금속 필링장치 및 이를 이용한 필링방법 |
기술개요 |
본 발명은 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 금속 필링장치 및 이를 이용한 필링방법에 관한 것으로, 그 목적은 기존 전기도금법 비하여 공정이 쉽고 간단하여 공정비용을 낮출 수 있는 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 내의 금속 필링장치 및 이를 이용한 필링방법을 제공함에 있다. 이를 위한 본 발명은 관통 비아홀이 형성된 웨이퍼를 고정하는 지그를 갖는 지그 베이스; 상기 지그 베이스의 상부에 설치되는 상부챔버; 상기 지그 베이스의 하부에 설치되는 하부챔버; 상기 상부챔버의 내부에 설치되며, 웨이퍼 상에 올려진 필링금속에 열을 가하여 용융시키는 히터; 상기 하부챔버의 공기를 외부로 배출시켜 하부챔버의 압력을 감소시킴으로써 상부챔버와 하부챔버의 압력차를 유발시켜 용융된 필링금속을 관통 비아홀에 충진시키는 진공펌프로 구성된 반도체 웨이퍼 관통 비아홀 금속 필링장치 및 이를 이용한 필링방법에 관한 것을 기술적 요지로 한다. 웨이퍼, 관통 비아홀, 필링, 압력차 |
개발상태 | 기술개발완료 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 웨이퍼에 형성된 관통 비아홀에 금속을 필링하는 장치 및 방법에 관한 것 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | - |
도입시고려사항 | - |
과제고유번호 | 1345086672 |
---|---|
세부과제번호 | OD0120 |
연구과제명 | 차세대 반도체 MCP 핵심기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200812~201402 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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