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기판 고정형 이산화티타늄 나노선 및 그 제조방법 그리고 기판 고정형 이산화티타늄 나노선을 이용한 수처리방법

  • 기술번호 : KST2014036143
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기방사법과 열압착법을 통해 기판 상에 이산화티타늄을 고정시킴으로써 수처리 공정 적용시 이산화티타늄의 분리, 회수가 요구되지 않음과 함께 이산화티타늄의 결정상 비율을 최적화함으로써 광촉매의 활성을 극대화할 수 있는 기판 고정형 이산화티타늄 나노선 및 그 제조방법 그리고 기판 고정형 이산화티타늄 나노선을 이용한 수처리방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 기판 고정형 이산화티타늄 나노선은 003c#이산화티타늄 나노선을 기판에 고정하는 단계003e# 및 003c#이산화티타늄 나노선의 결정상 비율을 조절하는 단계003e#를 포함하여 이루어지며, 상기 003c#이산화티타늄 나노선을 기판에 고정하는 단계003e#는, 이산화티타늄 전구체를 포함한 혼합용액 및 기판을 준비하는 과정과, 상기 혼합용액을 전기방사하여 기판 상에 이산화티타늄 나노선을 증착하는 과정과, 열압착을 통해 이산화티타늄 나노선을 기판 상에 고정하는 과정으로 구성되며, 상기 003c#이산화티타늄 나노선의 결정상 비율을 조절하는 단계003e#는, 상기 이산화티타늄 나노선이 고정된 기판을 후열처리하여 이산화티타늄 나노선의 아나타제 결정상과 루타일 결정상의 비율을 조절하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C02F 1/72 (2006.01) C01G 23/053 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01)
CPC C25D 9/04(2013.01) C25D 9/04(2013.01) C25D 9/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110083426 (2011.08.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1094670-0000 (2011.12.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍석원 대한민국 서울특별시 서초구
2 최경진 대한민국 서울특별시 중랑구
3 이상협 대한민국 경기 군포시
4 이재상 대한민국 경기도 평택시
5 최시혁 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
6 권초롱 대한민국 전라북도 익산시
7 김희찬 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에코금강 주식회사 서울특별시 송파구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0648564-10
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0683603-79
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2011.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2011.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0072670-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0569251-06
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0890045-02
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0890043-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0724146-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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003c#이산화티타늄 나노선을 기판에 고정하는 단계003e# 및003c#이산화티타늄 나노선의 결정상 비율을 조절하는 단계003e#를 포함하여 이루어지며, 상기 003c#이산화티타늄 나노선을 기판에 고정하는 단계003e#는, 이산화티타늄 전구체를 포함한 혼합용액 및 기판을 준비하는 과정과, 상기 혼합용액을 전기방사하여 기판 상에 이산화티타늄 나노선을 증착하는 과정과, 열압착을 통해 이산화티타늄 나노선을 기판 상에 고정하는 과정으로 구성되며, 상기 003c#이산화티타늄 나노선의 결정상 비율을 조절하는 단계003e#는, 상기 이산화티타늄 나노선이 고정된 기판을 후열처리하여 이산화티타늄 나노선의 아나타제 결정상과 루타일 결정상의 비율을 조절하는 것을 특징으로 하며,상기 003c#이산화티타늄 나노선을 기판에 고정하는 단계003e#에 있어서, 상기 기판 상에 티타늄 박막이 미리 형성되어 있으며, 상기 티타늄 박막은 전기방사시 전도성 접지면으로 사용됨과 함께 이산화티타늄 나노선의 결합력을 증가시키는 역할을 하며, 상기 003c#이산화티타늄 나노선의 결정상 비율을 조절하는 단계003e#에 있어서, 상기 아나타제 결정상과 루타일 결정상의 비율을 8:2∼7:3으로 조절하며, 상기 기판은 실리콘 또는 석영 기판인 것을 특징으로 하는 기판 고정형 이산화티타늄 나노선의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 003c#이산화티타늄 나노선의 결정상 비율을 조절하는 단계003e#에 있어서, 상기 후열처리 온도는 500∼600℃인 것을 특징으로 하는 기판 고정형 이산화티타늄 나노선의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 혼합용액을 전기방사하여 기판 상에 이산화티타늄 나노선을 증착하는 과정은, 전기방사장치를 통해 이루어지며, 상기 전기방사장치는 이산화티타늄 전구체가 포함된 혼합용액을 공급하는 전구체 혼합용액 공급부, 전기방사노즐, 챔버 및 고전압발생기를 포함하여 구성되며, 상기 챔버 내에는 티타늄 박막이 형성된 기판이 구비되며, 상기 전구체 혼합용액 공급부로부터 상기 전기방사노즐에 전구체 혼합용액이 공급됨과 함께 상기 고전압발생기에 의해 상기 전기방사노즐에 고전압이 인가되면, 전기방사 원리에 의해 전기방사노즐 내의 전구체 혼합용액은 이산화티타늄 나노선으로 변환되어 상기 챔버 내부 공간으로 분무되며, 챔버 내부의 이산화티타늄 나노선은 티타늄 박막 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 기판 고정형 이산화티타늄 나노선의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 기판 상의 티타늄 박막은 접지된 상태를 이루는 것을 특징으로 하는 기판 고정형 이산화티타늄 나노선의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 이산화티타늄 전구체를 포함한 혼합용액은 산화티타늄 전구체, 에탄올 및 점도조절용 고분자결합제를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 고정형 이산화티타늄 나노선의 제조방법
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1 CN102949985 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102949985 CN 중국 DOCDBFAMILY
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