요약 | 본 발명은 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 촉매가 함유된 다공성 구조의 금속산화물 박층을 감지소재로 이용한 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 센서 기판 위에 희생입자가 균일하게 분산된 희생입자층을 형성하는 단계; 상기 희생입자층 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 촉매가 포함된 금속산화물 감지층을 형성하는 단계; 및 상기 촉매가 포함된 금속산화물 감지층을 열처리하여 상기 희생입자층을 제거하여 촉매가 포함된 다공성 금속산화물 감지층을 얻는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법을 제공한다. 기판, 전극, 촉매, 금속산화물, 다공성, 희생입자층 |
---|---|
Int. CL | G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/407 (2006.01) |
CPC | G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090004532 (2009.01.20) |
출원인 | 한국과학기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-1092865-0000 (2011.12.06) |
공개번호/일자 | 10-2010-0085321 (2010.07.29) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20111214) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2009.01.20) |
심사청구항수 | 13 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김일두 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
2 | 윤석진 | 대한민국 | 서울특별시 도봉구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이학수 | 대한민국 | 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소) |
2 | 백남훈 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0035536-83 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.02.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.03.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0014823-12 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.03.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0123929-15 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.05.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0333294-99 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.05.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0333292-08 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.10.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0612539-48 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 가스센서의 제조방법에 있어서, 센서 기판(10) 위에 희생입자가 균일하게 분산된 희생입자층(14)을 형성하는 단계; 상기 희생입자층(14) 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 촉매(12)가 포함된 금속산화물 감지층(13)을 형성하는 단계; 및 상기 촉매(12)가 포함된 금속산화물 감지층(13)을 열처리하여 상기 희생입자층(14)을 제거하여 촉매(12)가 포함된 다공성 금속산화물 감지층(13)을 얻는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
2 |
2 청구항 1에 있어서, 상기 센서 기판(10) 위에는 외부 가스 노출에 대해서 저항의 변화를 감지할 수 있는 센서 전극(11)이 형성된 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
3 |
3 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 희생입자의 평균 크기는 100㎚ ~ 10㎛의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
4 |
4 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 희생입자는 구형의 고분자 유기입자인 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
5 |
5 청구항 4에 있어서, 상기 구형의 고분자 유기입자는 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메싸크릴레이트(PMMA), 폴리염화비닐(PVC), 폴리부타디엔(poly(butadiene)), 폴리스타이렌-코-아크릴로나이트릴(poly(strene-co-acrylonitrile)(SAN)), 폴리염화비닐리덴-코-염화비닐(poly(vinylidene chloride-co-vinyl chloride)), 라텍스(latex), 폴리불화비닐리덴(poly(vinylidene fluoride)(PVDF)) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
6 |
6 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 희생입자층(14)은 단층 또는 복층으로 형성된 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
7 |
7 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 촉매(12)가 포함된 다공성 금속산화물 감지층(13)은 스퍼터링법을 이용하여 복수의 타겟으로부터 증착되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
8 |
8 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 촉매(12)가 포함된 다공성 금속산화물 감지층(13)은 촉매(12)가 포함된 금속산화물의 단일 타겟으로부터 증착된 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
9 |
9 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 열처리 후에 얻어지는 촉매(12)가 포함된 다공성 금속산화물 감지층(13)의 두께는 10㎚ ~ 1 ㎛의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
10 |
10 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 희생입자층(14)의 형성단계와, 상기 촉매(12)가 포함된 금속산화물 감지층(13)의 형성단계 및 상기 열처리 단계를 반복하여 다층 구조의 촉매(12)가 포함된 금속산화물 감지층(13)을 얻는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
11 |
11 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 열처리는 300 ~ 800℃에서 10분 ~ 2시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
12 |
12 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 촉매(12)는 Pt, Pd, Ni, Cu, Fe 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
13 |
13 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 금속산화물은 SnO2, TiO2, ZnO, VO2, In2O3, NiO, MoO3, SrTiO3, Fe2O3, WO3 및 CuO 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법 |
14 |
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15 |
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18 |
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19 |
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지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 지식경제부 | 한국과학기술연구원 | 부품소재기술개발사업(소재원천) | In-Situ 공정에 의한 나노구조체 지능형 소재 기술 |
특허 등록번호 | 10-1092865-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20090120 출원 번호 : 1020090004532 공고 연월일 : 20111214 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111024 청구범위의 항수 : 13 유별 : G01N 27/12 발명의 명칭 : 가스센서 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 276,000 원 | 2011년 12월 07일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 228,200 원 | 2014년 12월 01일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 228,200 원 | 2015년 11월 26일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 228,200 원 | 2016년 12월 01일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 415,800 원 | 2017년 12월 01일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 297,000 원 | 2018년 12월 03일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 297,000 원 | 2019년 12월 03일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0035536-83 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.02.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2010.03.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0014823-12 |
5 | 의견제출통지서 | 2011.03.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0123929-15 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.05.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0333294-99 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.05.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0333292-08 |
8 | 등록결정서 | 2011.10.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0612539-48 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
기술번호 | KST2014036561 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국과학기술연구원 |
기술명 | 가스센서 및 그 제조방법 |
기술개요 |
본 발명은 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 촉매가 함유된 다공성 구조의 금속산화물 박층을 감지소재로 이용한 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 센서 기판 위에 희생입자가 균일하게 분산된 희생입자층을 형성하는 단계; 상기 희생입자층 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 촉매가 포함된 금속산화물 감지층을 형성하는 단계; 및 상기 촉매가 포함된 금속산화물 감지층을 열처리하여 상기 희생입자층을 제거하여 촉매가 포함된 다공성 금속산화물 감지층을 얻는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법을 제공한다. 기판, 전극, 촉매, 금속산화물, 다공성, 희생입자층 |
개발상태 | 특허만신청(등록) |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | 없음 |
도입시고려사항 | 없음 |
과제고유번호 | 1415115510 |
---|---|
세부과제번호 | K0004114 |
연구과제명 | In-situ 공정에 의한 나노구조체 지능형 소재 기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200807~201206 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415100343 |
---|---|
세부과제번호 | K0004114 |
연구과제명 | In-situ공정에의한나노구조체지능형소재기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200807~201206 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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