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가스센서의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019010947
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 흡착된 탄소나노튜브, 상기 탄소나노튜브 표면에 부착된 백금 나노입자 및 상기 백금 나노입자가 부착된 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 형성된 전극을 포함하는 가스센서의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 백금 나노입자 및 탄소나노튜브를 감지물질로 이용함으로써 최소 2 ppm까지의 저농도 가스도 높은 감도로 감지할 수 있으며, NO2뿐만 아니라 C6H6, C7H8, C3H6O, CO, NO, NH3 등과 같은 유해가스도 안정적으로 감지할 수 있고, 특히 NO2 가스에 대한 선택성 및 감응특성이 우수한 가스센서의 제조방법을 제공할 수 있다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020150133025 (2015.09.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1701917-0000 (2017.01.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 서울특별시 성북구
2 김재성 대한민국 서울특별시 성북구
3 이제행 대한민국 서울특별시 성북구
4 김선호 대한민국 서울특별시 성북구
5 전영민 대한민국 서울특별시 성북구
6 최선우 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0916461-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.06.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0036129-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0606044-47
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1032396-27
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1032397-73
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0056193-75
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번호 청구항
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(a) 기판 상에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계;(b) 상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 백금(Pt)을 증착시키는 단계; 및(c) 상기 백금(Pt)이 증착된 기판을 아르곤 분위기 하에서 열처리하여 상기 탄소나노튜브 표면에 백금(Pt) 나노입자를 형성하는 단계를 포함하되,상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 상에 백금(Pt)을 증착시키는 단계에서, 상기 백금은 상기 탄소나노튜브의 표면에 피복되어 코어-쉘 구조를 형성하고,상기 코어-쉘 구조 중 쉘층으로 형성되는 백금(Pt)층의 두께는 5 nm 내지 10 nm이며,상기 열처리는 급속열처리로 (Rapid Thermal Annealing furnace)를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 기판은 실리콘 산화막이 표면에 형성된 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT, single-walled carbon nanotube)을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 기판 상에 탄소나노튜브를 흡착시키는 단계에서, 상기 흡착은 아르곤 분위기 하에서 스프레이 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 열처리는 500 ~ 600 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 백금 나노입자의 평균직경이 2 nm 내지 10 nm인 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 열처리 단계를 거친 상기 기판 상에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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1 US2017082574 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 산업통상부 (주)메가메디칼 산업융합원천기술개발사업 바이오칩 기반 호흡기 질환진단/치료 시스템 개발
2 미래창조과학부 한국과학기술연구원 미래원천국가기반기술개발사업 그래핀 기반의 센서 어래이 시스템 기술개발