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전도성 나노 구조물 및 이의 성형 방법 및 이를 이용하는 전계 방출 에미터의 제조 방법
- 기술번호 : KST2014036958
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 일 실시 예에 있어서, 전도성 나노구조물의 성형 방법을 제공한다. 상기 전도성 나노구조물의 성형 방법은 전도성 기판 상에 배열되는 전도성 나노구조물을 형성하는 과정 및 상기 전도성 나노구조물을 대기 환경 중에서 방전 가공하는 과정을 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01B 1/04 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) H01J 1/30 (2006.01.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020100057576 (2010.06.17) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1356820-0000 (2014.01.22) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0137571 (2011.12.23) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20140128) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | 심판사항 |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.06.17) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김용협 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 김왈준 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 남정길 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.06.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0389980-13 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.09.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.10.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0083634-20 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.11.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0656277-01 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.01.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0019577-62 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.01.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0019581-45 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0369319-11 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.08.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0686716-89 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.08.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0686699-90 |
| 11 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.12.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0800745-92 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2013.01.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2013-0078142-77 |
| 14 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2013.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0112453-06 |
| 15 | 심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner |
2013.05.28 | 수리 (Accepted) | 7-8-2013-0015883-73 |
| 16 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0041983-73 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 (a) 전도성 기판 상에 배열되는 전도성 나노구조물을 형성하는 과정; 및(b) 상기 전도성 나노구조물을 대기 환경 중에서 방전 가공하는 과정을 포함하며,상기 (b) 과정은 상기 전도성 기판과 상기 전도성 나노구조물 사이에 계면 화합물을 형성하는 전도성 나노구조물의 성형 방법 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제1 항에 있어서,(b) 과정은 상기 전도성 기판과 상기 전도성 나노구조물 사이의 접촉 저항을 감소시키는 전도성 나노구조물의 성형 방법 |
| 4 |
4 제1 항에 있어서,상기 전도성 나노구조물은 탄소나노튜브를 포함하는 전도성 나노구조물의 성형 방법 |
| 5 |
5 제4 항에 있어서,상기 전도성 나노구조물은 금속 또는 금속 산화물을 추가적으로 포함하는 전도성 나노구조물의 성형 방법 |
| 6 |
6 제1 항에 있어서,(b) 과정은(b1) 방전 가공 전극을 제공하는 과정; 및(b2) 상기 전도성 나노구조물과 상기 방전 가공 전극 사이에서 방전을 발생시키는 과정을 포함하는 전도성 나노구조물의 성형 방법 |
| 7 |
7 제6 항에 있어서,상기 나노구조물이 길어도 상기 기판과 상기 방전 가공 전극과의 사이만큼 길이를 가지도록 방전 절단하는 전도성 나노구조물의 성형 방법 |
| 8 |
8 제1 항에 있어서, (b) 과정은 (b1) 상기 전도성 나노구조물과 방전 가공 전극을 대기 환경 중에서 서로 이격하여 배치하는 과정;(b2) 상기 전도성 나노구조물과 상기 방전 가공 전극 사이에 전압을 인가하는 과정; 및(b3) 상기 전압이 인가된 상기 방전 가공 전극을 상기 전도성 나노구조물에 인접시켜 방전을 발생시키는 과정을 포함하는전도성 나노구조물의 성형 방법 |
| 9 |
9 제6 항 또는 제8 항에 있어서,상기 방전 가공 전극은 와이어 또는 봉 형상으로 이루어지는 전도성 나노구조물의 성형 방법 |
| 10 |
10 제6 항 또는 제8 항에 있어서,상기 방전 가공 전극은 황동, 흑연, 은-텅스텐 합금, 구리-텅스텐 합금, 철, 구리, 아연, 인청동 및 알루미늄으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나로부터 제조되는 전도성 나노구조물의 성형 방법 |
| 11 |
11 (a) 전도성 팁 상에 배열되며 탄소나노튜브를 포함하는 전도성 나노구조물을 형성하는 과정; 및(b) 배열된 상기 전도성 나노구조물을 대기 환경 중에서 방전 절단하는 과정을 포함하되,상기 (b) 과정은 상기 전도성 팁과 상기 전도성 나노구조물 사이의 접촉 저항을 감소시키도록 상기 전도성 팁과 상기 전도성 나노구조물 사이에 계면 화합물을 형성하는 저계 방출 에미터의 제조 방법 |
| 12 |
12 삭제 |
| 13 |
13 제11 항에 있어서,상기 나노구조물은 금속 또는 금속 산화물을 추가적으로 포함하는 전계 방출 에미터의 제조 방법 |
| 14 |
14 제11 항에 있어서, (b) 과정은 (b1) 상기 전도성 나노구조물과 방전 가공 전극을 서로 이격하여 배치하는 과정;(b2) 상기 전도성 나노구조물과 상기 방전 가공 전극 사이에 전압을 인가하는 과정; 및(b3) 상기 전압이 인가된 상기 방전 가공 전극을 상기 전도성 나노구조물에 인접시켜 방전을 발생시키는 과정을 포함하는 전계 방출 에미터의 제조 방법 |
| 15 |
15 제14 항에 있어서,상기 방전 가공 전극은 황동, 흑연, 은-텅스텐 합금, 구리-텅스텐 합금, 철, 구리, 아연, 인청동 및 알루미늄으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나로부터 제조되는 전계 방출 에미터의 제조 방법 |
| 16 |
16 제11 항에 있어서,(b) 과정은절단되는 상기 나노구조물의 종횡비를 조절하여 전자 방출 문턱 전계를 제어하는 과정을 포함하는 전계 방출 에미터의 제조 방법 |
| 17 |
17 전도성 기판;상기 전도성 기판 상에 배열되는 전도성 나노구조물; 및상기 전도성 기판 및 상기 전도성 나노구조물 사이의 계면에 배치되어 상기 전도성 기판과 상기 전도성 나노구조물 사이의 접촉 저항을 감소시키는 전도성 계면 화합물을 포함하되,상기 전도성 나노구조물의 첨단 단면은 대기 중에서의 방전 가공에 의해 1um 이하의 단차를 가지도록 제어되는 전계 방출 나노구조물 |
| 18 |
18 제17 항에 있어서,상기 전도성 기판은 텅스텐을 포함하고,상기 전도성 나노구조물은 텅스텐산화물 및 탄소나노튜브를 포함하고,상기 전도성 계면 화합물은 탄화텅스텐을 포함하는전계 방출 나노구조물 |
| 19 |
19 텅스텐 팁;상기 텅스텐 팁 상에 배치되는 텅스텐산화물 및 탄소나노튜브를 포함하며 외부 전계에 의해 전자를 방출하는 전도성 나노구조물; 및상기 텅스텐 팁과 상기 전도성 나노구조물의 계면에 배치되어 상기 전도성 팁과 상기 전도성 나노구조물 사이의 접촉 저항을 감소시키는 탄화텅스텐을 포함하는 전도성 계면 화합물을 포함하는 전계 방출 소자로,상기 전도성 나노 구조물은 대기 중에서의 방전가공에 의하여 형성되는 전계 방출 소자 |
| 20 |
20 제19 항에 있어서,상기 전도성 나노구조물은 첨단 단면의 단차가 1 um 이하인 전계 방출 소자 |
| 21 |
21 삭제 |
| 22 |
22 제19 항에 있어서,상기 전도성 나노구조물의 종횡비에 따라 상기 전계 방출 소자의 문턱 전계가 변화하는 전계 방출 소자 |
| 23 |
23 삭제 |
| 24 |
24 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US09230770 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20130134860 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | WO2011159012 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 4 | WO2011159012 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2013134860 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US9230770 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | WO2011159012 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 4 | WO2011159012 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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| 특허 등록번호 | 10-1356820-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100617 출원 번호 : 1020100057576 공고 연월일 : 20140128 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140120 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01B 1/04 발명의 명칭 : 전도성 나노구조물 및 이의 성형 방법 및 이를 이용하는 전계 방출 에미터의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2014년 01월 22일 | 납입 |
| 제 4 - 6 년분 | 금 액 | 913,710 원 | 2016년 02월 24일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 411,000 원 | 2020년 01월 02일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.06.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0389980-13 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.09.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2011.10.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0083634-20 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2011.11.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0656277-01 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.01.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0019577-62 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.01.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0019581-45 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2012.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0369319-11 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.08.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0686716-89 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.08.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0686699-90 |
| 11 | 거절결정서 | 2012.12.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0800745-92 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2013.01.28 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2013-0078142-77 |
| 14 | 거절결정서 | 2013.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0112453-06 |
| 15 | 심사관의견요청서 | 2013.05.28 | 수리 (Accepted) | 7-8-2013-0015883-73 |
| 16 | 등록결정서 | 2014.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0041983-73 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술번호 | KST2014036958 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 서울대학교 |
| 기술명 | 전도성 나노 구조물 및 이의 성형 방법 및 이를 이용하는 전계 방출 에미터의 제조 방법 |
| 기술개요 |
일 실시 예에 있어서, 전도성 나노구조물의 성형 방법을 제공한다. 상기 전도성 나노구조물의 성형 방법은 전도성 기판 상에 배열되는 전도성 나노구조물을 형성하는 과정 및 상기 전도성 나노구조물을 대기 환경 중에서 방전 가공하는 과정을 포함한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345120922 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0078659 |
| 연구과제명 | 자기 조립을 통한 거시적 규모의 다차원 탄소나노튜브 구조물 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200905~201402 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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|---|
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| 번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2013101001887 | 2013원1887 | 2010년 특허출원 제0057576호 거절결정불복 | 2013.03.13 | 2013.12.20 |