요약 | 비정질 탄소막을 이용한 그래핀 제조 방법 및 그에 의해 제조된 그래핀을 이용한 태양 전지가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 제조 방법은, 기판 상에 비정질 탄소막을 형성하는 단계; 상기 비정질 탄소막 상에 그래파이트화 촉매막을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 탄소막이 결정화되어 상기 그래파이트화 촉매막 상에 그래핀막이 형성되도록, 상기 비정질 탄소막 및 상기 그래파이트화 촉매막을 열처리하는 단계;를 포함한다. |
---|---|
Int. CL | C01B 31/02 (2006.01.01) C23C 16/26 (2006.01.01) H01B 1/04 (2006.01.01) |
CPC | C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100092512 (2010.09.20) |
출원인 | 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1197639-0000 (2012.10.30) |
공개번호/일자 | 10-2012-0030780 (2012.03.29) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20121107) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.09.20) |
심사청구항수 | 10 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김기범 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
2 | 이홍희 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
3 | 김현미 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
4 | 조성용 | 대한민국 | 경기도 성남시 중원구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인씨엔에스 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0612809-90 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.03.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0132285-55 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.04.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0340455-42 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0340451-60 |
6 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2012.08.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0627216-45 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.09.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0562511-09 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판 상에 비정질 탄소막을 형성하는 단계;상기 비정질 탄소막 상에 그래파이트화 촉매막을 형성하는 단계; 및상기 비정질 탄소막이 결정화되어 상기 그래파이트화 촉매막 상에 그래핀막이 형성되도록, 상기 비정질 탄소막 및 상기 그래파이트화 촉매막을 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 열처리하는 단계에 의하여, 상기 그래파이트화 촉매막이 응집(agglomeration)되어 그래파이트화 촉매 파티클이 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제1 항에 있어서, 상기 그래파이트화 촉매막 및 상기 그래핀막의 적층 구조물은 80 % 이상의 투과도를 가지는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법 |
4 |
4 제1 항에 있어서, 상기 그래파이트화 촉매막 및 상기 그래핀막의 적층 구조물은 10 Ω/□ 내지 50 Ω/□ 범위의 면저항을 가지는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법 |
5 |
5 제1 항에 있어서, 상기 그래파이트화 촉매막은 가열에 의해 비정질 탄소를 결정화시킬 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법 |
6 |
6 제1 항에 있어서, 상기 그래파이트화 촉매막은 니켈(Ni), 구리(Cu), 코발트(Co), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 철(Fe), 백금(Pt), 팔라듐(Pt) 및 로듐(Rh)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 금속 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법 |
7 |
7 제1 항에 있어서,상기 비정질 탄소막을 형성하는 단계 이전에,상기 기판 상에 상기 그래파이트화 촉매막을 형성하는 단계; 및상기 그래파이트화 촉매막을 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법 |
8 |
8 제1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이후에,상기 기판을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법 |
9 |
9 제1 항에 있어서,상기 열처리하는 단계 이후에,상기 그래파이트 촉매막을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조 방법 |
10 |
10 삭제 |
11 |
11 제1 항, 및 제3 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 따른 상기 그래파이트화 촉매 파티클 및 상기 그래핀막을 포함하는 그래핀 구조 |
12 |
12 제1 항, 및 제3 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 따른 상기 그래파이트화 촉매 파티클 및 상기 그래핀막을 포함하는 투명 전극 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2012039533 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2012039533 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 서울대학교 | 세계수준의 연구중심대학 육성사업 (WCU, World class university) | 지속가능성을 위한 하이브리드 재료 ( Hybrid Materials for Sustainability) |
특허 등록번호 | 10-1197639-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20100920 출원 번호 : 1020100092512 공고 연월일 : 20121107 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120924 청구범위의 항수 : 10 유별 : C01B 31/02 발명의 명칭 : 그래핀 구조, 그 제조 방법 및 그래핀 구조를 이용한 투명 전극 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2012년 10월 31일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2015년 09월 30일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2016년 02월 17일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2017년 09월 25일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2018년 10월 02일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2019년 10월 01일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 247,200 원 | 2020년 11월 18일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0612809-90 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
3 | 의견제출통지서 | 2012.03.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0132285-55 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.04.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0340455-42 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0340451-60 |
6 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2012.08.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0627216-45 |
7 | 등록결정서 | 2012.09.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0562511-09 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
기술번호 | KST2014037247 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 서울대학교 |
기술명 | 그래핀 구조, 그 제조 방법 및 그래핀 구조를 이용한 투명 전극 |
기술개요 |
비정질 탄소막을 이용한 그래핀 제조 방법 및 그에 의해 제조된 그래핀을 이용한 태양 전지가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 제조 방법은, 기판 상에 비정질 탄소막을 형성하는 단계; 상기 비정질 탄소막 상에 그래파이트화 촉매막을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 탄소막이 결정화되어 상기 그래파이트화 촉매막 상에 그래핀막이 형성되도록, 상기 비정질 탄소막 및 상기 그래파이트화 촉매막을 열처리하는 단계;를 포함한다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345101518 |
---|---|
세부과제번호 | R31-2008-000-10075-0 |
연구과제명 | 지속가능성을 위한 하이브리드 재료 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200812~201308 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345136276 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A2003 |
연구과제명 | 재료연구인력양성사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
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