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금속 도핑된 산화물 반도체 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014039583
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속이 도핑된 SnO2 박막인 것인 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 채널층으로 반도체 산화물 박막을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 반도체 산화물 박막은 Hf, Zr, Al, Ga, Ti 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속이 도핑된 SnO2 박막인 것인 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) G02F 1/136 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01)H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020100111875 (2010.11.11)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0050565 (2012.05.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 서울특별시 성동구
2 김웅선 대한민국 서울특별시 성동구
3 김경택 대한민국 서울특별시 성동구
4 문연건 대한민국 서울특별시 성동구
5 신새영 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0735501-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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채널층으로 반도체 산화물 박막을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 반도체 산화물 박막은 Hf, Zr, Al, Ga, Ti 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 금속이 도핑된 SnO2 박막인 것인 산화물 반도체 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 기초연구사업(일반연구자지원사업) 비 ZnO계 신규 산화물 반도체 기반의 박막 트랜지스터 소자 개발