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무/유기 결합 core-shell 전극을 이용한 고효율 염료 감응 태양전지 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014040022
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 기판에 반도체 산화물층을 형성하고 유기물층을 코어-쉘(shell) 구조로 코팅한 후, 상기 유기물층에 정전기적 인력을 통해 염료를 흡착시킴으로써 반도체 전극 표면상에서 전해질로의 전자 전달을 막아 광전류 및 광전압을 증가시켜 에너지 변환 효율을 향상시킬 수 있는 염료감응 태양전지용 반도체 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110036325 (2011.04.19)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1190002-0000 (2012.10.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121012) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.19)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병유 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 김형진 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 신민재 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 김주미 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0290878-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021179-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0287246-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0491431-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0491430-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0575175-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 기판; 상기 전도성 기판에 형성된 반도체 산화물층;상기 반도체 산화물층의 표면 및 상기 전도성 기판의 표면에 코어-쉘(shell) 구조로 코팅되어 있는 유기물층; 및 상기 유기물층의 표면에 흡착되어 있는 염료를 포함하고, 상기 유기물층은 실란 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
2 2
제1항에 있어서, 상기 전도성 기판은 인듐 주석 산화물(ITO), 불소 도핑된 주석 산화물(FTO), 또는 탄소나노튜브(CNT)가 코팅되어 있는, 유리 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
3 3
제1항에 있어서,상기 반도체 산화물층은 나노 입자, 나노 와이어 또는 나노튜브 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
4 4
제1항에 있어서,상기 반도체 산화물층은 티타늄 산화물, 텅스텐 산화물, 니오븀 산화물, 하프늄 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물 및 아연 산화물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 유기물층은 아미노프로필트리에톡시실란(APS)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
7 7
제1항에 있어서, 상기 염료층은 루테늄 착물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극
8 8
제1항 내지 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 반도체 전극, 전해질층 및 대향전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
9 9
(S1) 전도성 기판에 반도체 산화물층을 형성하는 단계;(S2) 유기물을 포함하는 용액에 상기 반도체 산화물층이 형성된 기판을 침지시켜 상기 반도체 산화물층의 표면 및 상기 전도성 기판의 표면에 코어-쉘(shell) 구조로 유기물층을 코팅하는 단계; 및(S3) 상기 유기물층에 정전기적 인력을 통해 염료를 흡착시키는 단계를 포함하고,상기 유기물층은 실란 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, S1 단계에서, 반도체 산화물층은 나노 입자, 나노 와이어 또는 나노튜브 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, S1 단계 이후, 50～150℃의 온도 범위에서 건조한 후, 100～1000℃의 온도 범위에서 소결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극의 제조방법
12 12
제9항에 있어서, S2 단계에서, 유기물의 농도를 제어하여 염료감응 태양전지의 효율을 증가시키는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극의 제조방법
13 13
제9항에 있어서, 유기물이 아미노프로필에톡시실란인 경우, 상기 유기물의 농도가 0
14 14
제9항에 있어서, 상기 전도성 기판은 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 불소 도핑된 주석 산화물(FTO)이 코팅되어 있는, 유리 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극의 제조방법
15 15
제9항에 있어서,상기 반도체 산화물층은 티타늄 산화물, 텅스텐 산화물, 니오븀 산화물, 하프늄 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물 및 아연 산화물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극의 제조방법
16 16
삭제
17 17
제9항에 있어서, 상기 유기물층은 아미노프로필트리에톡시실란(APS)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극의 제조방법
18 18
제9항에 있어서, 상기 염료는 루테늄 착물인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 반도체 전극의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20120266959 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012266959 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 산학협력단 핵심연구지원사업-(구)특정기초 DNA 기반 전도성 나노와이어를 이용한 고감도 나노 바이오센서에 관한 연구