맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유기 - 무기 복합 절연층을 포함하는 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014022061
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기박막 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 절연층에 유기물 및 무기물을 복합적으로 적용함으로써 각 재질특성의 장점을 얻을 수 있는 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기박막 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 위에 형성된 무기 절연층; 상기 무기 절연층 위에 형성된 유기 절연층; 상기 유기 절연층 위에 형성된 유기 반도체층; 및 상기 유기 절연층 위에 형성된 소스/드레인 전극을 포함한다. 유기박막, 트랜지스터, 절연, 게이트, 소스, 드레인
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0537(2013.01)
출원번호/일자 1020080020545 (2008.03.05)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0976113-0000 (2010.08.10)
공개번호/일자 10-2009-0095286 (2009.09.09) 문서열기
공고번호/일자 (20100816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.05)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍병유 대한민국 경기 화성시
2 박용섭 대한민국 경기 수원시 장안구
3 부진효 대한민국 경기 부천시 소사구
4 조상진 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0162665-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0003189-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0065287-16
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0241201-49
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0241216-23
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0332274-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 위에 형성된 무기 절연층; 상기 무기 절연층 위에 형성된 유기 절연층; 상기 유기 절연층 위에 형성된 유기 반도체층; 및 상기 유기 절연층 위에 형성된 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 무기 절연층은 수소를 함유한 비정질 탄소재질(a-C:H)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 유기 절연층은 사이클로헥센(cyclohexene)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 유기 절연층 및 무기 절연층은 플라즈마화학기상증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
5 5
기판 위에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성단계; 상기 게이트 전극 위에 무기 절연층을 형성하는 무기 절연층 형성단계; 상기 무기 절연층 위에 유기 절연층을 형성하는 유기 절연층 형성단계; 상기 유기 절연층 위에 유기 반도체층을 형성하는 유기 반도체층 형성단계; 및 상기 유기 반도체층 위에 소스/드레인 전극을 형성하는 소스/드레인 전극 형성단계를 포함하고, 상기 무기 절연층 형성단계에 의해 형성된 무기 절연층은 수소를 함유한 비정질 탄소재질(a-C:H)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 무기 절연층 형성단계는 플라즈마화학기상증착법에 의해 진행되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 유기 절연층 형성단계는 플라즈마화학기상증착법에 의해 진행되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 게이트 전극 형성단계 및 유기 반도체층 형성단계는 열증착법에 의해 진행되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
삭제
10 10
제5항에 있어서, 상기 유기 절연층 형성단계에 의해 형성된 유기 절연층은 사이클로헥센(cyclohexene)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.