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스트립 광센서 및 이를 이용한 방사선 2차원 위치정보 및 에너지 검출장치

  • 기술번호 : KST2014047430
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스트립 광센서, 이를 이용한 방사선 2차원 위치정보 및 에너지 검출장치에 관한 것으로, 베이스 기재인 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 상측 면상에 형성된 불순물층과; 상기 불순물층의 상면 위에 적층된 반반사막층과; 상기 반도체 기판의 하측 면상에 일정간격을 갖는 스트립으로 형성된 검출층과; 상기 검출층의 스트립 각각에 형성되어 상기 검출된 광에 의한 전하를 출력하기 위한 전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의해 본 발명은 PIN 다이오드 구조를 응용하여 P-도핑면을 스트립 형태로 배열하고 N-도핑면에서 빛을 입사시키는 구조에 의해 광을 검출할 수 있을 뿐만 아니라, 방사선의 2차원 위치정보 및 그 에너지를 정밀하게 측정할 수 있는 동시에 제조비용을 저감시킬 수 있는 효과가 있다. 방사선, 섬광체, 스트립, 광센서, 광검출
Int. CL G01B 11/00 (2006.01) G01N 21/00 (2006.01) G01N 21/84 (2006.01)
CPC H01L 31/02161(2013.01) H01L 31/02161(2013.01) H01L 31/02161(2013.01) H01L 31/02161(2013.01)
출원번호/일자 1020080106285 (2008.10.29)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1016121-0000 (2011.02.11)
공개번호/일자 10-2010-0047411 (2010.05.10) 문서열기
공고번호/일자 (20110217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박환배 대한민국 대구광역시 북구
2 김홍주 대한민국 대구광역시 북구
3 강희동 대한민국 대구광역시 동구
4 가동하 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0750564-43
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0600844-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.03.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0016416-90
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0527044-43
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0049064-65
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0049049-80
8 등록결정서
Decision to grant
2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0063253-63
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
1 1
베이스 기재인 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 상측 면상에 형성된 불순물층과; 상기 불순물층의 상면 위에 적층된 반반사막층과; 상기 반도체 기판의 하측 면상에 일정간격을 갖는 스트립으로 형성된 검출층과; 상기 검출층의 스트립 각각에 형성되어 상기 검출된 광에 의한 전하를 출력하기 위한 전극;을 포함하는 것을 특징으로 스트립 광센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 검출층은 P형 불순물이 고농도로 도핑되고, 상기 불순물층은 N형 불순물이 고농도로 도핑되는 것을 특징으로 하는 스트립 광센서
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 반반사막층은 질화막 또는 ITO(Indium Tin Oxide)막인 것을 특징으로 하는 스트립 광센서
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전극은 와이어본딩에 의해 외부단자와 연결되는 것을 특징으로 하는 스트립 광센서
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 불순물층 및 상기 검출층은 역방향 바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 스트립 광센서
6 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 스트립 광센서가 섬광체층을 사이에 두고 적층되되, 상기 검출층의 스트립이 서로 직교하도록 적층된 것을 특징으로 하는 방사선 2차원 위치정보 및 에너지 검출장치
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 섬광체층과 상기 스트립 광센서 각각은 옵티컬 그리스 또는 옵티컬에폭시에 의해 접합되는 것을 특징으로 하는 방사선 2차원 위치정보 및 에너지 검출장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.