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질화붕소(BN)가 첨가된 상변화 재료막을 포함하는 것을 특징으로 하는 기록/재생 매체
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반도체 기판(10) 위에 형성된 제1전극(11);상기 제1전극(11) 위에 전기적으로 접촉되어 형성된 제1전극콘택(13);상기 제1전극콘택(13) 위에 전기적으로 접촉되어 형성된 상변화 재료막(14);상기 상변화 재료막(14) 위에 전기적으로 접촉되어 형성된 제2전극(16);상기 반도체 기판(10) 상면(10')과 상기 제2전극(16)의 상면과 평행한 면(16') 사이의 공간에 채워진 절연막을 포함하되,상기 상변화 재료막(14)은 질화 붕소(BN)가 첨가된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제 1 또는 2항에 있어서, 상기 상변화 재료막(14)은,질화 붕소(BN)가 첨가된 황(S), 텔루리움(Te) 및 셀레늄(Se)의 칼코겐 원소로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 원소; 및안티몬(Sb), 비소(As), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 인(P), 은(Ag), 산소(O), 인듐(In) 및 창연(Bi)으로 이루어진 그룹에서 선택된 이원소 이상의 원소;로 이루어진 화합물인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제 2 항에 있어서,소오스 영역(S), 드레인 영역(D) 및 게이트 전극(G)으로 구성된 트랜지스터(3);상기 드레인 영역(D)에 전기적으로 연결된 하부 배선(5); 및상기 제1전극 및 제2전극 중 어느 하나의 전극(A)에 연결되는 상부 배선(7);을 더 포함하되,상기 제1 전극 및 제2전극 중 다른 하나의 전극(B)은 상기 소오스 영역(S)에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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반도체 기판(10) 위에 제1전극(11)을 형성하는 단계;상기 제1전극(11)을 둘러싸는 제1절연막(12)을 형성하는 단계;상기 제1절연막(12)을 관통하여 상기 제1전극(11)과 상기 제1절연막(12) 표면 외부를 전기적으로 접속하는 제1전극콘택(13)을 형성하는 단계;상기 제1전극콘택(13)에 전기적으로 연결되고, 질화 붕소(BN)가 첨가된 다결정 상태의 상변화 재료막(14) 패턴을 형성하는 단계;상기 상변화 재료막(14) 위에 제2전극(16)을 형성하는 단계; 및상기 상변화 재료막(14) 및 상기 제2전극(16)을 둘러싸는 제2절연막(15)을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제작 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 상변화 재료막(14) 패턴은,칼코겐 화합물 및 질화 붕소(BN)를 타겟으로 사용하여 아르곤 가스를 사용하는 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제작 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 상변화 재료막(14)은,질화 붕소(BN)가 첨가된 황(S), 텔루리움(Te) 및 셀레늄(Se)의 칼코겐 원소로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 원소; 및안티몬(Sb), 비소(As), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 인(P), 은(Ag), 산소(O), 인듐(In) 및 창연(Bi)으로 이루어진 그룹에서 선택된 이원소 이상의 원소;로 이루어진 화합물로 제작되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제작 방법
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