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단결정 ＴＩＰＳ－ＰＥＮ을 활성층으로 하는 ＦｅＦＥＴ 및ＦｅＦＥＴ형 비휘발성 메모리

  • 기술번호 : KST2015125862
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단결정 TIPS-PEN(=Triisopropylsilylethynyl pentacene)을 반도체 활성층으로 하고, P(VDF-TrFE)(=poly(vinylidene fluoride-co-trifluoroethylene))를 절연체로 하는 새로운 타입의 FeFET 및 FeFET형 비휘발성 메모리에 관한 것이다. TIPS-PEN, P(VDF-TrFE), FeFET, 소스전극, 드레인전극
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자 1020080129942 (2008.12.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0071283 (2010.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 강석주 대한민국 서울 서초구
3 박연정 대한민국 서울 동작구
4 배인성 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0873221-05
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0896160-91
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0378818-13
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0693166-62
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0693165-16
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0537373-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트전극과; 상기 게이트전극 상부의 P(VDF-TrFE) 게이트 절연층과; 상기 게이트 절연층 상부의 단결정 TIPS-PEN 반도체층과; 상기 반도체층 상부의 소스전극 및 드레인전극을 갖는 FeFET
2 2
제 1 항에서, 상기 게이트전극과 P(VDF-TrFE) 게이트 절연층 사이에 PVP층을 더 갖는 것을 특징으로 하는 FeFET
3 3
제 1 항에서, 상기 스핀코팅된 P(VDF-TrFE) 필름은 스핀코팅된 후 100 ~ 140℃에서 한 시간 이상 열적 어닐링과정을 더 거치는 것을 특징으로 하는 FeFET
4 4
제 1 항에서, 상기 단결정 TIPS-PEN 반도체층은 용매교환법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 FeFET
5 5
게이트 전극 상부에 P(VDF-TrFE) 용액을 스핀코팅하여 P(VDF-TrFE) 박막을 형성시키는 단계(I); 상기 P(VDF-TrFE) 스핀코팅된 박막 상부에 용매교환법에 의하여 단결정 TIPS-PEN 박막을 형성시키는 단계(II); 및 상기 TIPS-PEN 박막 상부에 증착에 의하여 소스전극 및 드레인전극을 형성시키는 단계(III)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 FeFET의 제조방법
6 6
제 5 항에서, 상기 단계(I)에서 게이트 전극 위에 PVP 박막을 형성한 후 P(VDF-TrFE) 용액을 스핀코팅하여 P(VDF-TrFE)박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 FeFET의 제조방법
7 7
제 5 항에서, 단계(I)에서 P(VDF-TrFE)박막을 스핀코팅한 후 100 ~ 140℃에서 한 시간 이상 열적 어닐링을 더 거치는 것을 특징으로 하는 FeFET의 제조방법
8 8
게이트전극과; 상기 게이트전극 상부의 P(VDF-TrFE) 게이트 절연층과; 상기 게이트 절연층 상부의 단결정 TIPS-PEN 반도체층과; 상기 반도체층 상부의 소스전극 및 드레인전극을 갖는 FeFET를 기반으로 하는 FeFET형 비휘발성 메모리
9 9
제 8 항에서, 상기 게이트전극과 P(VDF-TrFE) 게이트 절연층 사이에 PVP층을 더 갖는 것을 특징으로 하는 FeFET형 비휘발성 메모리
10 10
제 8 항에서, 상기 스핀코팅된 P(VDF-TrFE) 필름은 스핀코팅 후 100 ~ 140℃에서 한 시간 이상 열적 어닐링과정을 더 거치는 것을 특징으로 하는 FeFET형 비휘발성 메모리
11 11
제 8 항에서, 상기 단결정 TIPS-PEN 반도체층은 용매교환법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 FeFET형 비휘발성 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 / 지식경제부 연세대학교 산학협력단 BK21(국고) / 차세대신기술개발 BK21휴먼트로닉스정보소재사업단-3차년도 / 고신뢰성 FFM 소자 개발