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극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크

  • 기술번호 : KST2014041091
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 2층 구조의 캐핑층을 형성하고, 광학상수를 고려하여 캐핑층과 흡수체층의 재질을 선정하고 이들의 두께비를 조절하여 위상 변화와 반사도를 용이하게 조절할 수 있는 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크에 관한 것이다. 상기 위상 반전 마스크는 이미지 콘트라스트가 저하되지 않는 범위에서 흡수체층의 두께를 최소화할 수 있으며, 새도우 효과를 낮추며 해상도를 증가시켜 노광 공정의 공정 마진을 향상시킨다. 극자외선 리소그래피, 위상 반전 마스크, 새도우 효과, 광학상수
Int. CL G03F 1/26 (2012.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC G03F 1/26(2013.01) G03F 1/26(2013.01) G03F 1/26(2013.01) G03F 1/26(2013.01) G03F 1/26(2013.01)
출원번호/일자 1020090066745 (2009.07.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1054746-0000 (2011.08.01)
공개번호/일자 10-2011-0009375 (2011.01.28) 문서열기
공고번호/일자 (20110805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안진호 대한민국 서울 강남구
2 정창영 대한민국 경기 용인시 수지구
3 이상설 대한민국 서울특별시 서초구
4 신현덕 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0446461-86
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0141589-06
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0311675-76
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0311685-22
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0427126-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판; 상기 투명 기판 전면에 걸쳐 다층 박막으로 형성된 반사층; 상기 반사층 전면에 걸쳐 형성된 제1캐핑층; 상기 제1캐핑층 상에 패터닝되어 형성된 제2캐핑층; 및 상기 제2캐핑층 상에 형성된 흡수체층을 포함하고, 상기 제2캐핑층의 두께가 10∼24nm이고, 흡수체층의 두께가 16∼40nm이며, 각 재질이 하기 수학식 1 및 2를 만족하는 것인 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 반사층은 Mo/Si 다층 박막을 포함하는 것인 극자와선 노광 공정용 위상 반전 마스크
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1캐핑층 및 제2캐핑층은 Ru, RuOx, Si, SiOx, Mo, MoOx, Al, AlOx, ITO, Ni, TiOx 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 재질을 포함하는 것인 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크
5 5
제1항에 있어서, 상기 흡수체층은 Ta, TaNx, Cr, CrOx, W 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 재질을 포함하는 것인 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1캐핑층은 Ru이고, 제2캐핑층은 Mo이고, 흡수체층은 TaN인 것인 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크
7 7
제1항에 있어서, 상기 극자외선 노광 공정용 마스크는 반사층과 흡수체층의 위상 차이가 180±10°인 것인 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크
8 8
제1항에 있어서, 상기 극자외선 노광 공정용 마스크는 반사도가 1% 이상인 것인 극자외선 노광 공정용 위상 반전 마스크
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부(산자부) 지식경제부(산자부)(나노산업기술연구조합) 기술개발사업(산업기술개발사업) EUVL Test Bed 구축 및 평가기술 개발