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접지용 제1 전극과 전압 인가용 제2 전극 사이에 형성되는 저항변화층이, 상기 제1 전극 위에 형성되는 금속산화물층; 및 상기 금속산화물층 위에 1 내지 10 Å의 두께로 형성되는 HfO2 고유전율층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 저항변화 메모리 소자의 상기 금속산화물층은 TiO2로 구성하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자
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제2항에 있어서, 상기 HfO2 고유전율층 위에 형성되는 제2 전극은 백금(Pt)으로 구성하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자
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접지용 제1 전극과 전압 인가용 제2 전극 사이에 저항변화층을 구비하는 저항변화 메모리 소자를 제조함에 있어서,접지용 제1 전극 위에 금속산화물층을 형성하는 단계; 및상기 금속산화물층 형성 단계 이후, HfO2 고유전율층을 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법으로 한층의 원자층으로 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제4항에 있어서, HfO2 고유전율층을 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법으로 한층의 원자층으로 증착하는 단계는, 상기 금속산화물층 위에 HfO2 고유전율층을 형성하기 위해, 220 내지 250℃로 온도를 가온 유지하는 공정 챔버 내에 HfO2 를 형성하는 반응물인 수증기(H2O)와 TEMAH(tetrakis (ethylmethylamido) hafnium), 그리고 세정 작용을 하는 퍼지 가스(purge gas)로서 질소(N2)기체를 공급하며,수증기(H2O)를 펄스 상태로 흘려주고; 퍼지 가스를 펄스 상태로 흘려주고;TEMAH 유체를 펄스 상태로 흘려주고; 퍼지 가스를 펄스 상태로 흘려주는 것;을 하나의 회전 주기(1 cycle)로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 HfO2 고유전율층을 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법으로 한층의 원자층으로 증착하는 단계에서, 수증기 펄스의 폭은 0
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제6항에 있어서, 상기 저항변화 메모리 소자를 형성함에 있어서,상기 금속산화물층을 형성하는 단계는 스퍼터 방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 저항변화 메모리 소자를 형성함에 있어서,상기 금속산화물층은 TiO2 인 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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제8항에 있어서, 저항변화 메모리 소자 제조방법에 있어서, 상기 저항변화층 위에 형성되는 제2 전극은 백금을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자 제조방법
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