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자기조립 쌍극자 분자가 증착된 산화금속을 포함하는 고성능 하이브리드 유?무기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2014044676
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 n형 산화금속으로 이루어진 전자 주입 및 전하 수송층을 하기 화학식 I로 표현되는 자기조립 쌍극자 분자로 개질시킴으로써 전계발광 효율 및 휘도가 개선된 고분자 발광 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. [화학식 I] (상기 식 중에서, R기는 C1~C7 알킬기, C1~C7 알콕시기, 히드록시(OH)기 또는 아미노(NH2)기이다.)
Int. CL H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/54 (2006.01)
CPC H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01)
출원번호/일자 1020100052023 (2010.06.01)
출원인 한국과학기술원, 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0132165 (2011.12.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.01)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상욱 대한민국 대전광역시 유성구
2 송명훈 대한민국 울산광역시 울주군
3 박지선 대한민국 대전광역시 유성구
4 이보람 대한민국 울산광역시 울주군
5 이주민 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0354705-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2011-5023649-42
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2011-5036213-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0707403-43
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0043961-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0043960-54
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0368177-45
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0600655-09
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.07.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0600656-44
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0457474-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 캐쏘드층;상기 기판 상에 위치하는 n형 산화금속으로 이루어진 전자 주입 및 수송층;상기 전자 주입 및 수송층 상에 위치하는 자기조립 쌍극자 분자층;상기 자기조립 쌍극자 분자층 상에 위치하는 고분자로 이루어진 발광층;상기 발광층 상에 위치하는 p형 산화금속으로 이루어진 정공 주입 및 수송층; 및상기 발광층 상에 위치하는 금속 애노드층을 포함하는 고분자 발광 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 FTO(flourine tin oxide)기판 또는 ITO(indium tin oxide)기판이고, 상기 p형 산화금속은 p형 삼산화몰리브덴(MoO3), 산화니켈(NiO) 또는 이산화텅스텐(WO2)이며, 상기 금속 애노드층은 금(Au), 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 n형 산화금속은 n형 산화아연(ZnO), 산화티타늄 또는 이산화지르코늄(ZrO2)인 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 쌍극자 분자층은 하기 화학식 I로 표현되는 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자:[화학식 I]상기 식 중에서, R기는 C1~C10 알킬기, C1~C10 알콕시기, 히드록시(OH)기 또는 아미노(NH2)기이다
5 5
제1항에 있어서, 상기 발광층은 폴리(9,9'-디옥틸플루오렌)-코-벤조티아디아졸(F8BT)로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 전자 주입 및 수송층의 두께는 50 내지 100 nm, 상기 쌍극자 분자층의 두께는 5 내지 10 nm, 상기 발광층의 두께는 100 내지 1000 nm, 상기 정공 수송층의 두께는 5 내지 20 nm, 상기 애노드층의 두께는 50 내지 70 nm인 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자
7 7
기판을 세척하는 단계;상기 기판 상에 n형 산화금속으로 이루어진 전자 주입 및 수송층을 형성하는 단계;상기 전자 주입 및 수송층 상에 자기조립 쌍극자 분자층을 형성하는 단계;상기 자기조립 쌍극자 분자층 상에 고분자 발광층을 형성하는 단계; 및상기 고분자 발광층 상에 p형 산화금속으로 이루어진 정공 주입 및 수송층을 형성하고 금속 애노드층을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 발광 소자의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 기판은 FTO(flourine tin oxide)기판 또는 ITO(indium tin oxide)기판이고, 상기 p형 산화금속은 p형 삼산화몰리브덴(MoO3), 산화니켈(NiO) 또는 이산화텅스텐(WO2)이며, 상기 금속 애노드층은 금(Au), 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 n형 산화금속은 n형 산화아연(ZnO), 산화티타늄 또는 이산화지르코늄(ZrO2)인 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자의 제조 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 자기조립 쌍극자 분자층은 하기 화학식 I로 표현되는 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자의 제조 방법:[화학식 I]상기 식 중에서, R기는 C1~C10 알킬기, C1~C10 알콕시기, 히드록시(OH)기 또는 아미노(NH2)기이다
11 11
제7항에 있어서, 상기 발광층은 폴리(9,9'-디옥틸플루오렌)-코-벤조티아디아졸(F8BT)로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자의 제조 방법
12 12
제7항에 있어서, 전자 주입 및 수송층의 형성은 n형 산화금속의 전구체를 함유한 용액을 분무 열분해 증착(spray pyrolysis deposition), 스핀 코팅(spin coating) 또는 전자 빔(E-beam) 증착법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자의 제조 방법
13 13
제7항에 있어서, 자기조립 쌍극자 분자층의 형성은 자기조립 쌍극자 분자를 함유한 용액을 스핀 캐스트(spin cast) 또는 딥 코팅(dip coating)하여 증착하는 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자의 제조 방법
14 14
제7항에 있어서, 상기 발광층의 형성은 발광층을 함유한 용액을 스핀 캐스트 후 어닐링하여 증착하는 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자의 제조 방법
15 15
제7항에 있어서, 정공 주입 및 수송층을 형성하고 금속 애노드층을 형성하는 것은 진공 챔버에서 펌프 다운한 후 정공 주입 및 수송층용 p형 산화금속을 열증착하여(thermal evaporation) 형성하고, 애노드층용 금속을 열증착하여 증착하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부/ 한국과학재단 울산과학기술대학교 산학협력단/ 한국과학기술원 중견연구자지원사업/ 세계수준의 연구중심대학 육성사업 나노구조 금속산화물을 이용한 유무기 하이브리드 발광소자/ 저비용, 유연성 광전자 표지소자와 이를 위한 핵심재료 및 공정연구