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비솔더 범프 플립 칩 본딩용 고 신뢰성 비전도성 접착제를 이용한 플립칩 본딩방법

  • 기술번호 : KST2014044689
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 복수개의 금 또는 구리 스터드 범프나 무전해 니켈\구리\금 범프 등과 같은 비솔더 범프가 I/O 단에 형성된 IC 칩과, 금속전극이 표면에 형성된 기판을 마련하는 단계와; 상기 칩 또는 기판 상에 고상의 비스페놀 A 타입 에폭시 수지와, 액상의 비스페놀 F 타입 에폭시 수지와, 고상의 페녹시 수지와, 메틸에틸케톤과 톨루엔이 혼합된 솔벤트와, 액상의 경화제와, 비전도성 입자를 포함하여 이루어지며 필름 형태를 갖는 비전도성 접착제를 접착시키는 단계와; 상기 비솔더 범프와 상기 금속전극이 기계적 및 전기적으로 서로 연결되도록 상기 IC 칩을 상기 기판에 열압착시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 사용된 NCA는 기존의 NCA보다 열팽창계수가 적고, 유전율도 작으며, 기계적 및 전기적 특성이 우수하여 높은 신뢰성을 갖는다. 또한, 비전도성 접착제는 필름형태 외에도 페이스트 형태로도 만들 수 있기 때문에 필요에 따라서 적절하게 선택하여 다양한 공정이 가능하다. 본 발명에 은 납을 주성분으로 하는 종래의 솔더 범프를 사용하지 않고 비솔더 범프를 사용하기 때문에 환경친화적이다. ACA, 플립칩, 비솔더 범프, 금 스터드 범프, 무전해도금, 비전도성 입자
Int. CL H01L 21/60 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020000044829 (2000.08.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0315158-0000 (2001.11.07)
공개번호/일자 10-2000-0063759 (2000.11.06) 문서열기
공고번호/일자 (20011126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.02)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백경욱 대한민국 대전광역시유성구
2 임명진 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2000-0162404-89
2 우선심사신청서
Request for Accelerated Examination
2000.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-5251024-36
3 조기출원공개신청서
Request for Laying Open of Early Application
2000.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-5251023-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0297865-81
5 의견서
Written Opinion
2001.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2001-0015169-74
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2001.01.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0015170-10
7 우선심사결과통지서
Notice for Accelerated Examination Result
2001.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0116658-26
8 등록결정서
Decision to grant
2001.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0305344-84
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

고상의 비스페놀 A 타입 에폭시 수지가 6 ~ 10wt%,

액상의 비스페놀 F 타입 에폭시 수지가 15 ~ 25wt%,

고상의 페녹시 수지가 12 ~ 18wt%,

메틸에틸케톤과 톨루엔이 vol%로 1:3으로 혼합된 솔벤트가 32 ~ 40wt%,

액상의 이미다졸 경화제가 8 ~ 14wt%,

비전도성 입자인 SiO2 또는 SiC 입자가 6 ~ 20wt% 포함된 후 건조되어 필름 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 용 비전도성 접착제

2 2

제1 항에 있어서, 상기 필름의 두께가 10~50㎛인 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 용 비전도성 접착제

3 3

제1 항에 있어서,

고상의 비스페놀 A 타입 에폭시 수지가 6 ~ 10wt%,

액상의 비스페놀 F 타입 에폭시 수지가 15 ~ 25wt%,

고상의 페녹시 수지가 12 ~ 18wt%,

메틸에틸케톤과 톨루엔이 vol%로 1:3으로 혼합된 솔벤트가 32 ~ 40wt%,

액상의 이미다졸 경화제가 8 ~ 14wt% 포함된 후 건조되어 이루어지며,

상기 필름의 양면에 2~5㎛의 두께를 갖도록 형성된 에폭시 접착력 증강층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 용 비전도성 접착제

4 4

액상의 비스페놀 A 또는 F 타입 에폭시 수지가 40 ~ 75wt%,

액상의 이미다졸 경화제가 15 ~ 30wt%,

비전도성 입자인 SiO2 또는 SiC 입자가 10 ~ 30wt% 포함되어 이루어지며 페이스트 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 용 비전도성 접착제

5 5

제1 항 또는 제4 항에 있어서, 상기 비전도성 입자가 0

6 6

제1 항 또는 제4 항에 있어서, 상기 경화제는 에폭시 수지에 대해서 15~30의 wt%를 갖고, 상기 비전도성 입자는 상기 비전도성 접착제 전체에 대하여 10~30의 wt%를 갖는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 용 비전도성 접착제

7 7

복수개의 비솔더 범프가 I/O 단에 형성된 IC 칩과, 금속전극이 표면에 형성된 기판을 마련하는 단계와,

상기 기판 상에 고상의 비스페놀 A 타입 에폭시 수지와, 액상의 비스페놀 F 타입 에폭시 수지와, 고상의 페녹시 수지와, 메틸에틸케톤과 톨루엔이 혼합된 솔벤트와, 액상의 경화제와, 비전도성 입자를 포함하여 건조되어 필름 형태를 갖는 비전도성 접착제를 접착시키는 단계와,

상기 범프를 상기 금속전극에 정렬시키는 단계와,

상기 범프가 소성변형되어 상기 범프와 상기 금속전극이 기계적 및 전기적으로 서로 연결되도록 상기 IC 칩을 상기 기판에 열압착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법

8 8

복수개의 비솔더 범프가 I/O 단에 형성된 IC 칩과, 금속전극이 표면에 형성된 기판을 마련하는 단계와,

상기 기판 상에 액상의 비스페놀 A 또는 F 타입 에폭시 수지와, 액상의 경화제와, 비전도성 입자를 포함하여 이루어지는 페이스트 형태의 비전도성 접착제를 도포시키는 단계와,

상기 범프를 상기 금속전극에 정렬시키는 단계와,

상기 범프가 소성변형되어 상기 범프와 상기 금속전극이 기계적 및 전기적으로 서로 연결되도록 상기 IC 칩을 상기 기판에 열압착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법

9 9

제7 항 또는 제8 항에 있어서, 상기 비솔더 범프를 형성하는 단계가,

상기 IC 칩의 I/O 단에 금속 패드를 형성하는 단계와,

상기 금속 패드 상에 금 또는 구리로 이루어진 스터드 범프를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법

10 10

제9 항에 있어서, 상기 스터드 범프를 형성하는 단계 이후에, 상기 스터드 범프의 단부가 평평해지도록 상기 스터드 범프의 단부에 압력을 가하는 코이닝 공정을 더 행하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법

11 11

제7 항 또는 제8 항에 있어서, 상기 비솔더 범프를 형성하는 단계가,

상기 IC 칩의 I/O 단에 금속 패드를 형성하는 단계와,

상기 금속 패드 상에 무전해 방식으로 니켈층, 구리층, 및 금 층을 순차적으로 형성함으로써 니켈/구리/금 범프를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법

12 12

제11 항에 있어서, 상기 금속 패드를 형성하는 단계 이후에 상기 금속 패드 상에 징케이트 처리를 행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01314197 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01314197 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP16507089 JP 일본 FAMILY
4 US06930399 US 미국 FAMILY
5 US20030143797 US 미국 FAMILY
6 WO2002015259 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AT309615 AT 오스트리아 DOCDBFAMILY
2 DE60114851 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 DE60114851 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 EP1314197 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP1314197 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 EP1314197 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
7 JP2004507089 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP2004507089 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 JP2004507089 JP 일본 DOCDBFAMILY
10 US2003143797 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US6930399 US 미국 DOCDBFAMILY
12 WO0215259 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
13 WO0215259 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.