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고상의 비스페놀 A 타입 에폭시 수지가 6 ~ 10wt%, 액상의 비스페놀 F 타입 에폭시 수지가 15 ~ 25wt%, 고상의 페녹시 수지가 12 ~ 18wt%, 메틸에틸케톤과 톨루엔이 vol%로 1:3으로 혼합된 솔벤트가 32 ~ 40wt%, 액상의 이미다졸 경화제가 8 ~ 14wt%, 비전도성 입자인 SiO2 또는 SiC 입자가 6 ~ 20wt% 포함된 후 건조되어 필름 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 용 비전도성 접착제
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제1 항에 있어서, 상기 필름의 두께가 10~50㎛인 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 용 비전도성 접착제
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제1 항에 있어서, 고상의 비스페놀 A 타입 에폭시 수지가 6 ~ 10wt%, 액상의 비스페놀 F 타입 에폭시 수지가 15 ~ 25wt%, 고상의 페녹시 수지가 12 ~ 18wt%, 메틸에틸케톤과 톨루엔이 vol%로 1:3으로 혼합된 솔벤트가 32 ~ 40wt%, 액상의 이미다졸 경화제가 8 ~ 14wt% 포함된 후 건조되어 이루어지며, 상기 필름의 양면에 2~5㎛의 두께를 갖도록 형성된 에폭시 접착력 증강층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 용 비전도성 접착제
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액상의 비스페놀 A 또는 F 타입 에폭시 수지가 40 ~ 75wt%, 액상의 이미다졸 경화제가 15 ~ 30wt%, 비전도성 입자인 SiO2 또는 SiC 입자가 10 ~ 30wt% 포함되어 이루어지며 페이스트 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 용 비전도성 접착제
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제1 항 또는 제4 항에 있어서, 상기 비전도성 입자가 0
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제1 항 또는 제4 항에 있어서, 상기 경화제는 에폭시 수지에 대해서 15~30의 wt%를 갖고, 상기 비전도성 입자는 상기 비전도성 접착제 전체에 대하여 10~30의 wt%를 갖는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 용 비전도성 접착제
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7 |
7
복수개의 비솔더 범프가 I/O 단에 형성된 IC 칩과, 금속전극이 표면에 형성된 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 고상의 비스페놀 A 타입 에폭시 수지와, 액상의 비스페놀 F 타입 에폭시 수지와, 고상의 페녹시 수지와, 메틸에틸케톤과 톨루엔이 혼합된 솔벤트와, 액상의 경화제와, 비전도성 입자를 포함하여 건조되어 필름 형태를 갖는 비전도성 접착제를 접착시키는 단계와, 상기 범프를 상기 금속전극에 정렬시키는 단계와, 상기 범프가 소성변형되어 상기 범프와 상기 금속전극이 기계적 및 전기적으로 서로 연결되도록 상기 IC 칩을 상기 기판에 열압착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법
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8
복수개의 비솔더 범프가 I/O 단에 형성된 IC 칩과, 금속전극이 표면에 형성된 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 액상의 비스페놀 A 또는 F 타입 에폭시 수지와, 액상의 경화제와, 비전도성 입자를 포함하여 이루어지는 페이스트 형태의 비전도성 접착제를 도포시키는 단계와, 상기 범프를 상기 금속전극에 정렬시키는 단계와, 상기 범프가 소성변형되어 상기 범프와 상기 금속전극이 기계적 및 전기적으로 서로 연결되도록 상기 IC 칩을 상기 기판에 열압착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법
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제7 항 또는 제8 항에 있어서, 상기 비솔더 범프를 형성하는 단계가, 상기 IC 칩의 I/O 단에 금속 패드를 형성하는 단계와, 상기 금속 패드 상에 금 또는 구리로 이루어진 스터드 범프를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법
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10 |
10
제9 항에 있어서, 상기 스터드 범프를 형성하는 단계 이후에, 상기 스터드 범프의 단부가 평평해지도록 상기 스터드 범프의 단부에 압력을 가하는 코이닝 공정을 더 행하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법
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11 |
11
제7 항 또는 제8 항에 있어서, 상기 비솔더 범프를 형성하는 단계가, 상기 IC 칩의 I/O 단에 금속 패드를 형성하는 단계와, 상기 금속 패드 상에 무전해 방식으로 니켈층, 구리층, 및 금 층을 순차적으로 형성함으로써 니켈/구리/금 범프를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법
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12
제11 항에 있어서, 상기 금속 패드를 형성하는 단계 이후에 상기 금속 패드 상에 징케이트 처리를 행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 본딩 방법
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