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패드가 구비된 반도체 패키지

  • 기술번호 : KST2015112842
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패드가 구비된 반도체 패키지에 관한 것이다.이러한 본 발명의 일 실시 예에 따른 패드가 구비된 반도체 패키지는 반도체층 내에 형성된 딥 엔웰 영역(Deep N-Well Region), 딥 엔웰 영역 상에 형성된 엔+ 영역(N+ Region) 및 엔+ 영역 상에 형성되고, 접지패드를 포함하는 그라운드(Ground)부를 포함한다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070088816 (2007.09.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0870973-0000 (2008.11.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 설우석 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0638970-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034423-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0386479-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0666229-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0666230-16
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0586963-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체층 내에 형성된 딥 엔웰 영역(Deep N-Well Region);상기 딥 엔웰 영역 상에 형성된 엔+ 영역(N+ Region); 및상기 엔+ 영역 상에 형성되고, 접지패드를 포함하는 그라운드(Ground)부를 포함하고,상기 엔+영역과는 이격되어 상기 딥 엔웰 영역 상에 형성된 소자분리영역(Shallow Trench Isolation Region, STI Region); 상기 소자분리영역 상에 형성되고, 신호패드를 포함하는 신호(Signal)입력부; 및상기 접지패드 및 상기 신호패드가 표면에 노출되도록 상기 신호입력부와 상기 그라운드부를 매립하여 상기 반도체층 상에 형성된 아이엠디층(Inter Metal Dielectric layer, IMD layer)를 더 포함하는, 패드가 구비된 반도체 패키지
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 신호입력부는,상기 신호패드의 하부에 적층된 다수의 금속층(Metal Layer) 및 상기 다수의 금속층을 연결하는 비아(via)를 포함하는, 패드가 구비된 반도체 패키지
4 4
제1항에 있어서, 상기 신호패드의 면적은,상기 소자분리영역의 면적보다 작게 형성된, 패드가 구비된 반도체 패키지
5 5
제1항에 있어서,상기 신호패드는,원형 또는 다각형으로 형성된, 패드가 구비된 반도체 패키지
6 6
제1항에 있어서, 상기 그라운드부는,상기 접지패드의 하부에 적층된 다수의 금속층(Metal Layer) 및 상기 다수의 금속층을 연결하는 비아(via)를 포함하는, 패드가 구비된 반도체 패키지
7 7
반도체층 내에 형성된 딥 엔웰 영역(Deep N-Well Region);상기 딥 엔웰 영역 상에 형성된 엔+ 영역(N+ Region); 및상기 엔+ 영역 상에 형성되고, 접지패드를 포함하는 그라운드(Ground)부를 포함하고,상기 엔+영역과는 이격되어 상기 딥 엔웰 영역 상에 형성된 소자분리영역(Shallow Trench Isolation Region, STI Region); 상기 소자분리영역과 절연되도록 상기 소자분리영역 상에 형성되고, 신호패드를 포함하는 신호(Signal)입력부; 및상기 접지패드 및 상기 신호패드가 표면에 노출되도록 상기 신호입력부와 상기 그라운드부를 매립하여 상기 반도체층 상에 형성된 아이엠디층(Inter Metal Dielectric layer, IMD layer)을 더 포함하는, 패드가 구비된 반도체 패키지
8 8
제7항에 있어서, 상기 신호입력부는,상기 신호패드의 하부에 적층된 다수의 금속층(Metal Layer) 및 상기 다수의 금속층을 연결하는 비아(via)를 포함하되 상기 패드가 외부에 노출되는, 패드가 구비된 반도체 패키지
9 9
제7항에 있어서, 상기 신호패드 면적은,상기 소자분리영역의 면적보다 작게 형성된, 패드가 구비된 반도체 패키지
10 10
제7항에 있어서,상기 신호패드는,원형 또는 다각형으로 형성된, 패드가 구비된 반도체 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.