요약 | 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, RF 파워를 온 주기 및 오프 주기를 반복하고, 기재(substrate)에 상기 온 주기 및 오프 주기에 대응하여 각각 마이너스 파워 주기 및 플러스 파워 주기를 반복하여 상기 기재 상의 피식각물을 식각하는 식각 방법이 제공된다. |
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Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) |
CPC | H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100017680 (2010.02.26) |
출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1214758-0000 (2012.12.14) |
공개번호/일자 | 10-2011-0098199 (2011.09.01) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20121221) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.08.29) |
심사청구항수 | 5 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 염근영 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
2 | 강세구 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
3 | 전민환 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
4 | 박종윤 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
5 | 박병재 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
6 | 연제관 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0127174-52 |
2 | 청구범위 제출유예 안내서 Notification for Deferment of Submission of Claims |
2010.03.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0018206-95 |
3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.08.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0667155-40 |
4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2011.08.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0671749-00 |
5 | 수수료 반환 안내서 Notification of Return of Official Fee |
2011.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0078088-12 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.09.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0547462-52 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.11.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0943466-76 |
11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.11.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0943474-31 |
12 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.12.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0756499-87 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 식각장치 내의 기재 상에 피식각물을 제공하는 단계;상기 식각장치 내에 반응성 가스를 공급하는 단계;상기 피식각물에 RF 파워를 온 주기 및 오프 주기로 반복 인가하여 플라즈마를 발생 및 소멸시키는 단계; 및상기 RF 파워의 온 주기 및 오프 주기에 각각 대응되도록 상기 기재에 마이너스 파워 주기 및 플러스 파워 주기로 기재 파워를 인가하여 양이온 식각 및 음이온 식각을 진행하는 단계를 포함하고,상기 양이온 식각은 상기 RF 파워의 온 주기와 상기 기재 파워의 마이너스 파워 주기에 진행되고, 상기 음이온 식각은 상기 RF 파워의 오프 주기와 상기 기재 파워의 플러스 파워 주기에 진행되는 식각 방법 |
2 |
2 제1항에 있어서,상기 식각장치는 RIE-ICP 인 것을 특징으로 하는 식각 방법 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 제1항에 있어서,상기 피식각물은 금속인 것을 특징으로 하는 식각 방법 |
6 |
6 제1항에 있어서,상기 피식각물은 상부 자유자화층, 자기터널접합층 및 하부 고정자화층을 포함하는 MRAM 소자인 것을 특징으로 하는 식각 방법 |
7 |
7 제6항에 있어서,상기 자기터널접합층은 CoFeB층인 것을 특징으로 하는 식각 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US20130049592 | US | 미국 | FAMILY |
2 | WO2011105873 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
3 | WO2011105873 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2013049592 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | WO2011105873 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
3 | WO2011105873 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 지식경제부 | 정부)지경부-정보통신연구진흥원-지식경제기술혁신(비목통합) | IT산업원천기술개발사업 | 수직자화 MTJ 식각 공정 기술 개발 |
특허 등록번호 | 10-1214758-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20100226 출원 번호 : 1020100017680 공고 연월일 : 20121221 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121212 청구범위의 항수 : 5 유별 : H01L 21/3065 발명의 명칭 : 식각 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 120,000 원 | 2012년 12월 14일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2015년 11월 18일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2016년 09월 28일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2017년 10월 27일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 145,000 원 | 2018년 12월 17일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 166,750 원 | 2020년 04월 27일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0127174-52 |
2 | 청구범위 제출유예 안내서 | 2010.03.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0018206-95 |
3 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.08.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0667155-40 |
4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2011.08.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0671749-00 |
5 | 수수료 반환 안내서 | 2011.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0078088-12 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
9 | 의견제출통지서 | 2012.09.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0547462-52 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.11.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0943466-76 |
11 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.11.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0943474-31 |
12 | 등록결정서 | 2012.12.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0756499-87 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
기술번호 | KST2014044850 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 성균관대학교 |
기술명 | MRAM의 TMR 소자 식각 방법 |
기술개요 |
본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, RF 파워를 온 주기 및 오프 주기를 반복하고, 기재(substrate)에 상기 온 주기 및 오프 주기에 대응하여 각각 마이너스 파워 주기 및 플러스 파워 주기를 반복하여 상기 기재 상의 피식각물을 식각하는 식각 방법이 제공된다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 식각 방법 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415104760 |
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세부과제번호 | 2008-A08-005 |
연구과제명 | 반도체인력양성사업 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200809~201308 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345097978 |
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세부과제번호 | 03-2006-17-001-00 |
연구과제명 | 나노소자용식각장비제작및공정개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 보안과제 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200007~201003 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415104760 |
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세부과제번호 | 2008-A08-005 |
연구과제명 | 반도체인력양성사업 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200809~201308 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
[1020100121567] | 플라즈마 소스 및 이를 구비하는 플라즈마 발생장치 | 새창보기 |
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[1020100066149] | 그라핀을 이용하는 태양전지 및 이의제조방법 | 새창보기 |
[1020100043227] | 이온 주입 방법에 의한 반도체 소자의 배선 형성방법 | 새창보기 |
[1020100043226] | 순환적 증착을 이용한 구리합금 형성방법 | 새창보기 |
[1020100043224] | 플라즈마 향상 화학 기상 증착을 이용한 구리합금 형성 방법 | 새창보기 |
[1020100035367] | 그라핀 시트를 포함하는 가요성 투명 전도층을 구비하는 유기전자 소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020100017932] | 중성빔 식각 장치를 이용한 원자층 식각 방법 | 새창보기 |
[1020100017864] | 중성빔을 이용한 고품위 Si 저온 증착 방법 | 새창보기 |
[1020100017829] | 중성빔을 이용한 표면 처리 방법 | 새창보기 |
[1020100017816] | 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치 | 새창보기 |
[1020100017680] | MRAM의 TMR 소자 식각 방법 | 새창보기 |
[1020100016899] | 원자층 식각 장치 | 새창보기 |
[1020100011929] | 원자층 식각에서의 반응성 Radical을 이용한 개선된 표면 흡착 방식 | 새창보기 |
[1020090134305] | 기판 교체시 교체 용액의 온도를 기준온도로 유지하여 ZnO 나노로드를 수직방향으로 성장시키 | 새창보기 |
[1020090078460] | 금속산화물 나노구조체의 제조방법 및 금속산화물 나노구조체가 구비된 전자소자 | 새창보기 |
[1020090068689] | 나노월을 포함하는 산화아연계 2차원 나노 구조체의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 산화 | 새창보기 |
[1020090048891] | 고온 공정에서 버퍼층을 이용한 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 및 이를 이용하는 전자 | 새창보기 |
[1020090048890] | 단결정 구조를 갖는 반도체 박막의 제조 방법 및 이를 이용하는 광전 소자의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090030011] | 기판처리장치 및 기판처리방법 | 새창보기 |
[KST2015142866][성균관대학교] | 대면적 처리용 중성빔 소스 및 그 플라즈마 밀도 제어방법 | 새창보기 |
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[KST2014040027][성균관대학교] | 식각 방법 | 새창보기 |
[KST2015142735][성균관대학교] | 개선된 반사체를 구비한 중성빔 식각장치 | 새창보기 |
[KST2015214386][성균관대학교] | 중성빔을 이용한 식각장치 | 새창보기 |
[KST2015142819][성균관대학교] | 이중 주파수를 이용한 초대면적 플라스마 발생장치 | 새창보기 |
[KST2015142867][성균관대학교] | 중성 빔 그리드 구조 | 새창보기 |
[KST2014035689][성균관대학교] | 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중패터닝 방법 | 새창보기 |
[KST2014028986][성균관대학교] | 원자층 식각에서의 반응성 Radical을 이용한 개선된 표면 흡착 방식 | 새창보기 |
[KST2015214499][성균관대학교] | 전자석이 구비된 반도체 식각용 중성빔 소오스 | 새창보기 |
[KST2015214391][성균관대학교] | 중성빔을 이용한 층대층 식각장치 및 식각방법 | 새창보기 |
[KST2015143913][성균관대학교] | 산화 알루미늄에 대한 저손상 원자층 식각 방법 | 새창보기 |
[KST2015142849][성균관대학교] | 고밀도 플라즈마 소스 및 그 제어방법 | 새창보기 |
[KST2015144324][성균관대학교] | 실리콘 건식 식각을 이용한 나노 구조의 실리콘 표면형성방법 및 이 나노 구조를 이용한 비휘발성 메모리의제조방법. | 새창보기 |
[KST2015142839][성균관대학교] | 개선된 이온빔 소오스 및 이온빔 추출방법 | 새창보기 |
[KST2015214443][성균관대학교] | 개선된 이온빔 소오스 및 반사체의 세정방법 | 새창보기 |
[KST2014033176][성균관대학교] | 전자저장 소자 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015214491][성균관대학교] | 자장이 인가된 내장형 선형 안테나를 구비하는 대면적처리용 유도 결합 플라즈마 소오스 | 새창보기 |
[KST2015214419][성균관대학교] | 삼중그리드를 이용한 반도체 식각용 중성빔 소오스 | 새창보기 |
[KST2015144803][성균관대학교] | 중성빔을 이용한 표면 처리 방법 | 새창보기 |
[KST2015144547][성균관대학교] | 원자층 식각 장치 | 새창보기 |
[KST2015143604][성균관대학교] | 저손상 공정을 위한 차세대 나노소자용 식각 장비 | 새창보기 |
[KST2015143183][성균관대학교] | 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법 | 새창보기 |
[KST2015011747][성균관대학교] | 원자층 식각을 이용한 III-V MOS devices 의 interface passivation layer 인 BeO 에 대한 저손상 식각 공정 | 새창보기 |
[KST2015003833][성균관대학교] | 고균일도의 및 저손상 공정을 위한 차세대 대면적 나노소자용 식각 장비 | 새창보기 |
[KST2015143039][성균관대학교] | 중성 빔 그리드 구조 | 새창보기 |
[KST2015143240][성균관대학교] | 중성빔 식각 장치를 이용한 원자층 식각 방법 | 새창보기 |
[KST2021010328][성균관대학교] | C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법 | 새창보기 |
[KST2015214442][성균관대학교] | 개선된 이온빔 소오스 | 새창보기 |
[KST2014027869][성균관대학교] | 반도체 기판의 비아 형성방법 | 새창보기 |
[KST2015143607][성균관대학교] | 마그네틱 램 제조방법 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
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