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MRAM의 TMR 소자 식각 방법

  • 기술번호 : KST2014044850
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, RF 파워를 온 주기 및 오프 주기를 반복하고, 기재(substrate)에 상기 온 주기 및 오프 주기에 대응하여 각각 마이너스 파워 주기 및 플러스 파워 주기를 반복하여 상기 기재 상의 피식각물을 식각하는 식각 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01) H01J 37/32091(2013.01)
출원번호/일자 1020100017680 (2010.02.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1214758-0000 (2012.12.14)
공개번호/일자 10-2011-0098199 (2011.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20121221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 강세구 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 전민환 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 박종윤 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 박병재 대한민국 경기도 수원시 장안구
6 연제관 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0127174-52
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims
2010.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0018206-95
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0667155-40
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0671749-00
5 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0078088-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0547462-52
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0943466-76
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0943474-31
12 등록결정서
Decision to grant
2012.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0756499-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
식각장치 내의 기재 상에 피식각물을 제공하는 단계;상기 식각장치 내에 반응성 가스를 공급하는 단계;상기 피식각물에 RF 파워를 온 주기 및 오프 주기로 반복 인가하여 플라즈마를 발생 및 소멸시키는 단계; 및상기 RF 파워의 온 주기 및 오프 주기에 각각 대응되도록 상기 기재에 마이너스 파워 주기 및 플러스 파워 주기로 기재 파워를 인가하여 양이온 식각 및 음이온 식각을 진행하는 단계를 포함하고,상기 양이온 식각은 상기 RF 파워의 온 주기와 상기 기재 파워의 마이너스 파워 주기에 진행되고, 상기 음이온 식각은 상기 RF 파워의 오프 주기와 상기 기재 파워의 플러스 파워 주기에 진행되는 식각 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 식각장치는 RIE-ICP 인 것을 특징으로 하는 식각 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 피식각물은 금속인 것을 특징으로 하는 식각 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 피식각물은 상부 자유자화층, 자기터널접합층 및 하부 고정자화층을 포함하는 MRAM 소자인 것을 특징으로 하는 식각 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 자기터널접합층은 CoFeB층인 것을 특징으로 하는 식각 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20130049592 US 미국 FAMILY
2 WO2011105873 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2011105873 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013049592 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2011105873 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2011105873 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 정부)지경부-정보통신연구진흥원-지식경제기술혁신(비목통합) IT산업원천기술개발사업 수직자화 MTJ 식각 공정 기술 개발