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멤리스터 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014045104
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 멤리스터 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판 상부에 형성되어, 상기 기판의 구부러짐 동작에서 발생하는 상기 기판의 기계적인 스트레스를 경감시키는 기판 베리어 절연막층; 상기 기판 베리어 절연막층의 일측에 형성된 소오스 전극층; 상기 기판 베리어 절연막층의 타측에 형성된 드레인 전극층; 상기 소오스 전극층과 상기 드레인 전극층 사이의 상기 기판 베리어 절연막층 상부에 형성되어 채널 영역을 형성하는 산화물반도체 박막층; 상기 산화물반도체 박막층 상부에 형성되어, 상기 산화물반도체 박막층을 보호하는 보호 절연막층; 상기 소오스 전극층, 상기 드레인 전극층 및 상기 보호 절연막층 상부에 형성되어, 게이트 절연막으로 사용되는 유기 강유전체 박막층; 및 상기 채널 영역의 상부측 유기 강유전체 박막층의 상부에 형성되는 상부 게이트 전극층을 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020100130290 (2010.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0068598 (2012.06.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤성민 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0836049-94
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0063343-07
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0784803-64
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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기판;상기 기판 상부에 형성되어, 상기 기판의 구부러짐 동작에서 발생하는 상기 기판의 기계적인 스트레스를 경감시키는 기판 베리어 절연막층;상기 기판 베리어 절연막층의 일측에 형성된 소오스 전극층;상기 기판 베리어 절연막층의 타측에 형성된 드레인 전극층;상기 소오스 전극층과 상기 드레인 전극층 사이의 상기 기판 베리어 절연막층 상부에 형성되어 채널 영역을 형성하는 산화물반도체 박막층;상기 산화물반도체 박막층 상부에 형성되어, 상기 산화물반도체 박막층을 보호하는 보호 절연막층;상기 소오스 전극층, 상기 드레인 전극층 및 상기 보호 절연막층 상부에 형성되어, 게이트 절연막으로 사용되는 유기 강유전체 박막층; 및상기 채널 영역의 상부측 유기 강유전체 박막층의 상부에 형성되는 상부 게이트전극층;을 포함하는 멤리스터 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 정보통신산업원천기술개발사업 비접촉식 멀티포인트 실감 인터랙션 기술 개발