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채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014032117
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 박막을 이용한 플래시 메모리 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터는, 기판 상에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 일부를 덮는 반도체 채널층; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 노출 부분과 상기 반도체 채널층을 덮는 유전층; 상기 유전층 상에 형성된 추가 반도체층; 및 상기 추가 반도체층 상에 형성된 게이트 전극을 포함한다. 상기한 바와 같은 본 발명은, 메모리 소자에 추가적인 전하 주입막을 증착함으로써 지우기 동작의 효율을 개선할 수 있는 이점이 있다. 플래시 메모리, 비휘발성, 박막 트랜지스터
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/792(2013.01) H01L 29/792(2013.01)
출원번호/일자 1020090096883 (2009.10.12)
출원인 한국전자통신연구원, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1596285-0000 (2016.02.16)
공개번호/일자 10-2011-0039854 (2011.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20160223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤성민 대한민국 대전광역시 서구
2 조경익 대한민국 대전광역시 유성구
3 황치선 대한민국 대전광역시 유성구
4 임성일 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문용호 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
2 이용우 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
3 강신섭 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0624156-96
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-1129302-95
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0918538-58
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0918591-68
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0034423-15
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0802417-82
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0031216-26
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0031207-15
15 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0056728-67
16 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1140905-23
17 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0302716-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배치되는 반도체 채널층; 상기 기판과 상기 반도체 채널층 사이에 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 반도체 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 유전막 구조체; 상기 유전막 구조체 상에 배치되는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극에 연결되며, 상기 유전막 구조체와 상기 게이트 전극 사이에 배치되고, 전하가 주입되는 추가 반도체층을 포함하는, 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 유전막 구조체는, 상기 추가 반도체층 하부에 터널링 층(tunneling layer), 트래핑 층(trapping layer) 및 블록킹 층(blocking layer)이 순차적으로 배치되는, 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서, 상기 터널링 층, 상기 트래핑 층 및 상기 블록킹 층 각각은, ITO, IZO, SnO2, GiZO, Cu2O, SiNX, Si3N4, HfO2, HfSiO, Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, Si3N4, 나노 결정 물질, 유기물 자가 조립 물질 또는 이들의 혼합층을 포함하는, 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 반도체 채널층 및 상기 추가 반도체층 각각은, 산화물 반도체 및 유기물 반도체 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 산화물 반도체는 ZnO 및 IGZO 중에서 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 유기물 반도체는 pentacene, tetracene 및 CuPc 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는, 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각은, 금속 전극 및 투명 산화물 전극 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 금속 전극은 Al, Ti 및 Cr 중에서 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 투명 산화물 전극은 GaZnO, NiOX, AlZnO 및 ITO 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는, 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터
6 6
기판 상에 배치되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극에 연결되며, 상기 게이트 전극을 덮고, 전하가 주입되는 추가 반도체층; 상기 추가 반도체층을 덮는 유전막 구조체; 상기 유전막 구조체 상에 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 유전막 구조체와 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 배치되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 서로 이격된 부분에 배치되는 반도체 채널층을 포함하는, 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터
7 7
제6항에 있어서, 상기 유전막 구조체는, 상기 추가 반도체층 상부에 터널링 층(tunneling layer), 트래핑 층(trapping layer) 및 블록킹 층(blocking layer)이 순차적으로 배치되는, 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터
8 8
제7항에 있어서, 상기 터널링 층, 상기 트래핑 층 및 상기 블록킹 층 각각은, ITO, IZO, SnO2, GiZO, Cu2O, SiNX, Si3N4, HfO2, HfSiO, Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, Si3N, 나노 결정 물질, 유기물 자가 조립 물질 또는 이들의 혼합층을 포함하는, 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터
9 9
제6항에 있어서, 상기 반도체 채널층 및 상기 추가 반도체층 각각은, 산화물 반도체 및 유기물 반도체 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 산화물 반도체는 ZnO 및 IGZO 중에서 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 유기물 반도체는 pentacene, tetracene 및 CuPc 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는, 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터
10 10
제6항에 있어서, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각은, 금속 전극 및 투명 산화물 전극 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 금속 전극은 Al, Ti 및 Cr 중에서 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 투명 산화물 전극은 GaZnO, NiOX, AlZnO 및 ITO 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는, 채널 외 전하 주입 방식 비휘발성 플래시 메모리 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 한국전자통신연구원 연구개발 지원 투명전자소자를 이용한 스마트 창
2 미래창조과학부 연세대학교 중견연구자지원사업 그래핀 후속 신물질 2차원 나노조각 기반 전자소자