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기판 상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 그래핀 산화물로 형성되는 전자 채널층; 및상기 전자 채널층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하는 그래핀 산화물 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 절연막이 도포된 실리콘, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone; PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC), 폴리이미드(polyimide; PI) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 산화물 메모리 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 기판과 상기 하부 전극의 계면에는 접착층을 형성하거나 단분자막을 부착하는 표면처리가 되는 것을 특징으로 하는 그래핀 산화물 메모리 소자
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기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 그래핀 산화물로 전자 채널층을 형성하는 단계; 및상기 전자 채널층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 산화물 메모리 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 기판과 상기 하부 전극의 계면에는 접착층을 형성하거나 단분자막을 부착하는 표면처리가 되는 것을 특징으로 하는 그래핀 산화물 메모리 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 기판은 절연막이 도포된 실리콘 기판, 폴리에테르술폰(Polyethersulfone; PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC), 폴리이미드(polyimide; PI) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀 산화물 메모리 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 전자 채널층은 그라파이트가 수용액상에 분산된 그래핀 산화물을 증착한 것을 특징으로 하는 그래핀 산화물 메모리 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 전자 채널층은 상기 상부 전극 또는 하부 전극의 폭 보다 1~10000배의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀 산화물 메모리 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 그래핀 산화물은 단일 분자층으로 수용액 또는 수용성 용매에 분산되도록 에폭시드(epoxide), 알콜(alchol), 하이드록시(hydroxy), 카르복실(carboxyl) 기능기를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 산화물 메모리 소자의 제조 방법
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10
제 9 항에 있어서, 상기 수용성 용매에 분산된 그래핀 산화물 분산액의 농도는 0
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