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ＥＣＲ 플라즈마를 이용한 유기 소자의 보호막 제조방법

  • 기술번호 : KST2014043711
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ECR 플라즈마를 이용한 유기 소자의 보호막 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기 소자의 표면에 유기금속 소스를 흡착시키는 단계; 흡착되지 않은 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계; 산소를 포함하는 소스와 ECR(electron cyclotron resonance) 플라즈마를 주입하여 상기 유기금속 소스 내 금속과 반응시켜 유기 소자의 표면에 금속 산화물층을 형성하는 단계, 이때 상기 ECR 플라즈마는 100 W에서 500 W에서 발생시키고; 및, 금속 산화물층을 형성하지 않은 잔류 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계를 포함하는 ECR 플라즈마를 이용한 유기 소자의 보호막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 제조방법은 ECR 플라즈마를 이용하여 수행하며, 유기 소자의 손상 없이 저온에서 증착이 가능하고, 이렇게 형성된 보호막은 우수한 막 밀도 및 소수성을 나타내 외부로부터 소자 내부로 침투하는 산소, 수분 또는 불순물의 투과를 억제하여 비휘발성 폴리머 메모리 소자(PoRAM) 및 유기전계발광소자(OLED)와 같은 유기 소자의 수명을 높일 뿐만 아니라, 단차가 큰 구조를 지닌 소자에도 바람직하게 적용된다. PoRAM, OLED, 수분, 산소, 금속 산화물, 폴리머 메모리
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) C23C 16/50 (2006.01.01) C23C 16/18 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01)
출원번호/일자 1020080021863 (2008.03.10)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0971503-0000 (2010.07.14)
공개번호/일자 10-2009-0096815 (2009.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20100721) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.10)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 경기 남양주시
2 김웅선 대한민국 서울 강동구
3 고명균 대한민국 서울 성동구
4 김태섭 대한민국 서울 성동구
5 강병우 대한민국 인천 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0171397-44
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0230719-71
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0022995-75
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0027407-29
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0103994-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0103993-77
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0245207-52
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 유기 소자의 표면에 금속 리간드를 포함하는 유기금속 소스를 흡착시키는 단계; b) 흡착되지 않은 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계; c) 산소를 포함하는 소스와 ECR(electron cyclotron resonance) 플라즈마를 주입하여 상기 유기금속 소스 내 금속과 반응시켜 유기 소자의 표면에 금속 산화물층을 형성하는 단계, 이때 상기 ECR 플라즈마는 100 W에서 500 W에서 발생시키고; 및, d) 금속 산화물층을 형성하지 않은 잔류 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계를 포함하고, 상기 유기금속 소스는 Al, Ti, Si, Zr, Hf, La, Ta, Mg 및 이들의 조합으로 이루어진 금속 중에서 선택된 1종의 유기금속 전구체(precursor)인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 유기금속 전구체는 Al, Ti, Si, Zr, Hf, La, Ta, Mg 및 이들의 조합으로 이루어진 금속 중에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 염화물, 수산화물, 옥시수산화물, 질산염, 탄산염, 초산염, 옥살산염, 시트르산염, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 단계 a)는 60 내지 250 ℃에서 수행하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 단계 b) 및 d)의 불활성 가스는 Ar, N2 및 이들의 혼합 기체로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 단계 c)의 산소를 포함하는 소스는 O2, O3, H2O, H2O2, N2O, NH3, CH3OH, C2H5OH, C3H7OH 및 이들의 혼합 기체로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 단계 a) 내지 d)를 100 내지 1000회 동안 수행하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 보호막은 1 내지 300 nm의 두께를 갖는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 보호막은 AFM으로 측정한 표면 거칠기도(RMS)가 0
10 10
제 1항에 있어서, 상기 보호막은 소수성인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 보호막은 단일 박막 또는 다층 박막의 형태를 갖는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 유기 소자는 적어도 하나의 폴리머층을 포함하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자(PoRAM) 또는 유기전계발광소자(OLED)인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한양대학교 산학협력단 차세대신기술개발사업 고신뢰성 PoRAM 소자 개발