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에피택시 결정성장 ＰＶＤＦ－ＴｒＦＥ 박막을 적용한 커패시터, ＦｅＦＥＴ 및 ＦｅＦＥＴ형 비휘발성 메모리

  • 기술번호 : KST2015125375
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 커패시터, FeFET, FeFET형 비휘발성 메모리에 관한 기술로서, 상기 디바이스들의 절연체로서 마찰 전달 공정에 의해 제조된 단결정 PTFE 필름 위에 에피택시에 의하여 성장한 PVDF-TrFE 박막을 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명과 같이 단결정 PTFE 필름 위에 에피택시 성장 PVDF-TrFE 필름을 갖는 커패시터, FeFET 등은 PTFE 필름과 PVDF-TrFE와의 결정매치가 잘 이루어져, PVDF-TrFE의 융점 이상의 고온처리 이후에도 PVDF-TrFE가 강유전성을 유지할 수 있으므로 고온 디바이스 공정이 가능하고, 낮은 구동전압으로도 작동이 가능하며, 내구성이 우수하고, 우수한 점멸비를 나타낸다. 에피택시, PVDF-TrFE, PTFE, 커패시터, 트랜지스터
Int. CL H01L 27/105 (2006.01)
CPC H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01) H01L 28/40(2013.01)
출원번호/일자 1020080129943 (2008.12.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0999721-0000 (2010.12.02)
공개번호/일자 10-2010-0071284 (2010.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20101208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 박연정 대한민국 서울특별시 서초구
3 강석주 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0873222-40
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0896161-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044045-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0434595-29
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.10.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0636552-13
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0550360-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부전극; 상기 하부전극 상부의 단결정 PTFE 필름; 상기 단결정 PTFE 필름 상부의 에피택시 성장 PVDF-TrFE 강유전체 필름; 및 상부전극으로 이루어진 강유전 커패시터
2 2
제 1 항에서, 상기 단결정 PTFE 필름은, PTFE 바(bar)가 기판 위에서 압력하에 천천히 움직이는 동안 발생된 마찰력에 의해 기판에 단결정 PTFE 박막을 형성하는 마찰 전달 공정(friction transfer process)에 의하여 제조된 것을 특징으로 하는 강유전 커패시터
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에서, 상기 PVDF-TrFE 강유전체 필름은 상기 단결정 PTFE 필름 위에 PVDF-TrFE 용액의 스핀코팅 후 100 ~ 140℃에서 2 시간 이상 어닐링하여 에피택시 결정 성장하는 것을 특징으로 하는 강유전 커패시터
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에서, 상기 하부전극으로 Au 하부전극, 상기 상부전극으로 Al 상부전극인 것을 특징으로 하는 강유전 커패시터
5 5
게이트전극; 상기 게이트전극 상부의 단결정 PTFE 필름; 상기 단결정 PTFE 필름 상부의 에피택시 성장 PVDF-TrFE 게이트 절연체 필름; 상기 PVDF-TrFE 게이트 절연층 위의 반도체층; 및 상기 반도체층 위의 소스전극 및 드레인전극을 갖는 FeFET
6 6
제 5 항에서, 상기 단결정 PTFE 필름은, PTFE 바(bar)가 상기 게이트 전극 위에서 압력하에 천천히 움직이는 동안 발생된 마찰력에 의해 게이트 전극 위에 단결정 PTFE 박막을 형성하는 마찰 전달 공정(friction transfer process)에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 FeFET
7 7
제 5 항 또는 제 6 항에서, 상기 PVDF-TrFE 게이트 절연체 필름은 상기 단결정 PTFE 필름 위에 PVDF-TrFE 용액의 스핀코팅 후 100 ~ 140℃에서 2 시간 이상 어닐링하여 에피택시 결정 성장하는 것을 특징으로 하는 FeFET
8 8
제 5 항 또는 제 6 항에서, 상기 게이트전극은 Au 전극, 반도체층으로 펜타센, 소스 및 드레인 전극으로 Au 전극인 것을 특징으로 하는 FeFET
9 9
게이트전극; 상기 게이트전극 상부의 단결정 PTFE 필름; 상기 단결정 PTFE 필름 상부의 에피택시 성장 PVDF-TrFE 게이트 절연체 필름; 상기 PVDF-TrFE 게이트 절연층 위의 반도체층; 및 상기 반도체층 위의 소스전극 및 드레인전극을 갖는 FeFET를 적용한 FeFET형 비휘발성 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 / 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 차세대신기술개발 / BK21(국고) 고신뢰성 FFM 소자 개발 / BK21휴먼트로닉스정보소재사업단-3차년도