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이산화규소 투명 유전체증을 구비한 투명 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014046756
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이산화규소 투명 유전체층을 구비한 투명 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 플라즈마 디스플레이 패널은 유리 기판 전면 상부에 형성되는 투명 전극; 및 투명 플라즈마 디스플레이 패널의 투과도를 향상시키기 위해, 상기 투명 전극이 형성된 상기 유리 기판 전면 상부에 졸-겔(sol-gel) 형태의 SiO2 용액이 코팅되어 형성되는 SiO2 투명 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하고, 나아가 상기 SiO2 투명 유전체층은 상기 졸-겔(sol-gel) 형태의 SiO2 용액을 상기 유리 기판 배면 혹은 전면 상부에 스핀 코팅한 후 섭씨 300[℃] 이하의 열처리에 의해 형성함으로써, 투명 플라즈마 디스플레이 패널의 투과도를 높일 수 있다. SiO2, 투명 플라즈마 디스플레이, 투과도, 투명 유전체층
Int. CL H01J 11/38 (2006.01)
CPC H01J 11/38(2013.01)H01J 11/38(2013.01)H01J 11/38(2013.01)H01J 11/38(2013.01)H01J 11/38(2013.01)H01J 11/38(2013.01)
출원번호/일자 1020090116403 (2009.11.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1089511-0000 (2011.11.29)
공개번호/일자 10-2011-0059950 (2011.06.08) 문서열기
공고번호/일자 (20111206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경철 대한민국 대전광역시 유성구
2 이성민 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0734450-17
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0189936-59
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0423535-31
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0423534-96
5 등록결정서
Decision to grant
2011.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0626235-46
6 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2011.11.29 수리 (Accepted) 2-1-2011-0281012-67
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유리 기판 전면 상부에 형성되는 투명 전극; 투명 플라즈마 디스플레이 패널의 투과도를 향상시키기 위해, 상기 투명 전극이 형성된 상기 유리 기판 전면 상부에 졸-겔(sol-gel) 형태의 SiO2 용액이 코팅되어 형성되는 SiO2 투명 유전체층; 및 상기 유리 기판 배면 상부에 상기 졸-겔(sol-gel) 형태의 SiO2 용액이 코팅되어 형성되는 SiO2 투명 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 플라즈마 디스플레이 패널
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 SiO2 투명 유전체층은 상기 졸-겔(sol-gel) 형태의 SiO2 용액을 상기 유리 기판 배면 혹은 전면 상부에 스핀 코팅한 후 섭씨 300[℃] 이하의 열처리에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 플라즈마 디스플레이 패널
4 4
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
5 5
제1항에 있어서, 상기 유리 기판 전면 상부에 형성된 상기 SiO2 투명 유전체층 상부에 형성되는 투명 격벽; 및 상기 투명 격벽들에 의해 형성되는 셀 영역에 투명 형광체 물질이 도포되어 형성되는 투명 형광체층 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 플라즈마 디스플레이 패널
6 6
제1항에 있어서, 상기 유리 기판 전면 상부에 형성된 상기 SiO2 투명 유전체층 상부에 형성되는 보호막 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 플라즈마 디스플레이 패널
7 7
유리 기판 전면 상부에 투명 전극을 형성하는 단계; 상기 투명 전극이 형성된 상기 유리 기판 전면 상부에 졸-겔(sol-gel) 형태의 SiO2 용액을 코팅하여 SiO2 투명 유전체층을 형성하는 단계; 및 상기 유리 기판 배면 상부에 상기 졸-겔 형태의 SiO2 용액을 코팅하여 SiO2 투명 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 플라즈마 디스플레이 패널 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서, 상기 SiO2 투명 유전체층을 형성하는 단계는 상기 졸-겔(sol-gel) 형태의 SiO2 용액을 상기 유리 기판 배면 혹은 전면 상부에 스핀 코팅한 후 섭씨 300[℃] 이하의 열처리에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 플라즈마 디스플레이 패널 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.