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휨 특성이 뛰어난 투명 전도막, 및 그것을 이용한 투명 전극 및 유기 전자 소자
- 기술번호 : KST2015114393
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 휨 특성이 뛰어난 투명 전도막, 및 그것을 이용한 투명 전극 및 유기 전자 소자가 개시된다. 본 발명에 따른 투명 전도막은, 기판; 상기 기판 상에 적층되며, 상기 기판의 표면을 평탄화시키는 평탄화 층; 상기 평탄화 층 위에 적층된 제1 절연체/반도체 층; 상기 절연체 또는 반도체 층 위에 적층된 금속 박막 층; 및 상기 금속 박막 층 위에 적층된 제2 절연체/반도체 층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 투명 전도막, 투명 전극, 휨 특성, 기판, 평탄화, 절연체, 반도체 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 51/50 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/32115(2013.01) H01L 21/32115(2013.01) H01L 21/32115(2013.01) H01L 21/32115(2013.01) H01L 21/32115(2013.01) H01L 21/32115(2013.01) H01L 21/32115(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090026513 (2009.03.27) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1051662-0000 (2011.07.19) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0108058 (2010.10.06) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110726) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.03.27) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 유승협 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 윤창훈 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 3 | 조현수 | 대한민국 | 경상북도 구미시 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인충정 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.03.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0186718-93 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.04.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.05.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0031765-16 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.11.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0509920-13 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0016436-84 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.02.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0094780-82 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.02.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0094781-27 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.06.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0352100-98 |
| 9 | [일부 청구항 포기]취하(포기)서 [Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment) |
2011.07.19 | 수리 (Accepted) | 2-1-2011-0167769-58 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 투명 전도막에 있어서, 기판; 상기 기판 상부에 적층되며, 상기 기판의 표면을 평탄화시키는 평탄화 층; 상기 평탄화 층 상부에 적층된 제1 절연체 층; 상기 제1 절연체 층 상부에 적층되며, 광학적 소멸 계수가 낮고 전도도가 우수한 금속 또는 그 혼합물로 이루어진 금속 박막 층; 및 상기 금속 박막 층 상부에 적층된 제2 절연체 층을 포함하며, 상기 금속 박막 층의 두께는, 상기 투명 전도막의 전기전도도 및 광학 투과율을 기반으로 결정되고, 상기 제1 절연체 층 및 제2 절연체 층 중 적어도 하나는, 상기 투명 전도막에서의 전하 주입(carrier injection) 특성에 따라 전하 이동층으로 이용되며, 황화 아연(ZnS), 산화 텅스텐(WO3), 산화 아연(ZnO), 산화 티타늄(TiOx) 또는 각각의 혼성계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도막 |
| 2 |
2 청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 평탄화 층은 고분자 층, 솔-젤 층, 스핀-온 글래스, 산화막, 황화막, 질화막 중의 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전도막 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 제1 절연체 층은 서로 다른 종류의 복층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전도막 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 제2 절연체 층은 서로 다른 종류의 복층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전도막 |
| 8 |
8 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
| 9 |
9 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
| 10 |
10 투명 전극에 있어서, 기판; 상기 기판 상부에 적층되며, 상기 기판의 표면을 평탄화시키는 평탄화 층; 상기 평탄화 층 상부에 적층된 제1 절연체 층; 상기 제1 절연체 층 상부에 적층되며, 광학적 소멸 계수가 낮고 전도도가 우수한 금속 또는 그 혼합물로 이루어진 금속 박막 층; 상기 금속 박막 층 상부에 적층된 제2 절연체 층; 및 상기 제2 절연체 층 상부에 적층된 유기 반도체 층을 포함하며, 상기 금속 박막 층의 두께는, 상기 투명 전극의 전기전도도 및 광학 투과율을 기반으로 결정되고, 상기 제1 절연체 층 및 제2 절연체 층 중 적어도 하나는, 상기 투명 전극에서의 전하 주입(carrier injection) 특성에 따라 전하 이동층으로 이용되며, 황화 아연(ZnS), 산화 텅스텐(WO3), 산화 아연(ZnO), 산화 티타늄(TiOx) 또는 각각의 혼성계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 |
| 11 |
11 유기 전자 소자에 있어서, 기판; 상기 기판 상부에 적층된 하부 박막 층; 상기 하부 박막 층 상부에 적층된 적어도 하나의 유기 박막 층; 상기 유기 박막 층 상부에 적층된 제1 절연체 층; 상기 제1 절연체 층 상부에 적층되며, 광학적 소멸 계수가 낮고 전도도가 우수한 금속 또는 그 혼합물로 이루어진 상부 금속 박막 층; 및 상기 상부 금속 박막 층 상부에 적층되는 제2 절연체 층을 포함하며, 상기 상부 금속 박막 층의 두께는, 상기 유기 전자 소자의 전기 전도도 및 광학 투과율을 기반으로 결정되고, 상기 제1 절연체 층 및 제2 절연체 층 중 어느 하나는, 상기 유기 전자 소자에서의 전하 주입(carrier injection) 특성에 따라 전하 이동층으로 이용되며, 황화 아연(ZnS), 산화 텅스텐(WO3), 산화 아연(ZnO), 산화 티타늄(TiOx) 또는 각각의 혼성계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 기판 상에 적층되며, 상기 기판의 표면을 평탄화시키는 평탄화 층을 더 포함하며, 상기 하부 박막 층은 상기 평탄화 층 위에 적층되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자 |
| 13 |
13 유기 전자 소자에 있어서 기판; 상기 기판 상부에 적층되며, 상기 기판의 표면을 평탄화시키는 평탄화 층; 상기 평탄화 층 상부에 적층된 제1 절연체 층; 상기 제1 절연체 층 상부에 적층되며, 광학적 소멸 계수가 낮고 전도도가 우수한 금속 또는 그 혼합물로 이루어진 하부 금속 박막 층; 상기 하부 금속 박막 층 위에 적층된 제2 절연체 층; 상기 제2 절연체 층 상부에 적층된 적어도 하나의 유기 박막 층; 및 상기 유기 박막 층 상부에 적층된 상부 박막 층을 포함하며, 상기 하부 금속 박막 층의 두께는, 상기 유기 전자 소자의 전기 전도도 및 광학 투과율을 기반으로 결정되고, 상기 제1 절연체 층 및 제2 절연체 층 중 어느 하나는, 상기 유기 전자 소자에서의 전하 주입(carrier injection) 특성에 따라 전하 이동층으로 이용되며, 황화 아연(ZnS0, 산화 텅스텐(WO3), 산화 아연(ZnO), 산화 티타늄(TiOx) 또는 각각의 혼성계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자 |
| 14 |
14 제 11항 내지 제 13항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 박막 층 또는 상기 상부 박막 층은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), FTO(F-doped Tin Oxide)를 포함하는 전도성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자 |
| 15 |
15 유기 전자 소자에 있어서, 기판; 상기 기판 상부에 적층되며, 상기 기판의 표면을 평탄화시키는 평탄화 층; 상기 평탄화 층 상부에 적층된 제1 절연체 층; 상기 제1 절연체 층 위에 적층된 하부 금속 박막 층; 상기 하부 금속 박막 층 위에 적층된 제2 절연체 층; 상기 제2 절연체 층 위에 적층된 적어도 하나의 유기 박막 층; 상기 유기 박막 층 위에 적층된 제3 절연체 층; 상기 제3 절연체 층 위에 적층된 상부 금속 박막 층; 및 상기 상부 금속 박막 층 위에 적층되는 제4 절연체 층을 포함하며, 상기 하부 금속 박막 층 및 상기 상부 금속 박막 층은, 광학적 소멸 계수가 낮고 전도도가 우수한 금속 또는 그 혼합물로 이루어지고, 상기 하부 금속 박막 층의 두께 및 상기 상부 금속 박막 층의 두께는, 상기 유기 전자 소자의 전기 전도도 및 광학 투과율을 기반으로 결정되고, 상기 제1 절연체 층 내지 제4 절연체 층 중 적어도 하나는, 상기 유기 전자 소자에서의 전하 주입(carrier injection) 특성에 따라 전하 이동층으로 이용되며, 황화 아연(ZnS), 산화 텅스텐(WO3), 산화 아연(ZnO), 산화 티타늄(TiOx) 또는 각각의 혼성계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1051662-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090327 출원 번호 : 1020090026513 공고 연월일 : 20110726 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110627 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 51/50 발명의 명칭 : 휨 특성이 뛰어난 투명 전도막, 및 그것을 이용한 투명 전극 및 유기 전자 소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2011년 07월 20일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2014년 06월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2015년 06월 29일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2016년 06월 27일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 06월 27일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2018년 07월 02일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2019년 06월 25일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 395,000 원 | 2020년 06월 25일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.03.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0186718-93 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.04.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2010.05.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0031765-16 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2010.11.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0509920-13 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0016436-84 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.02.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0094780-82 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.02.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0094781-27 |
| 8 | 등록결정서 | 2011.06.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0352100-98 |
| 9 | [일부 청구항 포기]취하(포기)서 | 2011.07.19 | 수리 (Accepted) | 2-1-2011-0167769-58 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345155741 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-0056733 |
| 연구과제명 | 플렉시블 투명 유기발광 소자의 특성 향상 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200709~201602 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415115198 |
|---|---|
| 세부과제번호 | C1080-1101-0001 |
| 연구과제명 | KAIST-ICU 통합지원(ICC 교육여건 개선) |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신산업진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200903~201112 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1345096546 |
|---|---|
| 세부과제번호 | N10090024 |
| 연구과제명 | 편재디스플레이기반지식사회를위한서비스및단말융합플랫폼기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200901~200912 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345102070 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-0056733 |
| 연구과제명 | 플렉시블투명유기발광소자연구(3차) |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200709~201602 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415093770 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-A06-007 |
| 연구과제명 | AMOLED디스플레이를위한솔-젤이용OxideTFT백플레인기술개발및인력양성 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200809~201308 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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