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발광 파장에 따라 메탈 나노체의 표면 플라즈몬 공명현상을 선택적으로 적용하여 강화된 발광 효율을 갖는 교류 플라즈마 디스플레이 소자 및 그것의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015113492
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 발광 파장에 따라 메탈 나노체의 표면 플라즈몬 공명현상을 선택적으로 적용하여 강화된 발광 효율을 갖는 교류 플라즈마 디스플레이 소자 및 그것의 제조 방법에 관한 것으로서, 형광체층에 구비된 메탈 나노입자들의 플라즈몬 주파수를 형광체의 발광 파장에 근접하게 구성함에 따라 여기된 형광체의 지속 시간을 줄이고 메탈 유도 발광을 증가시켜 형광체의 발광 세기를 증가시키고, 이에 따라 디스플레이 소자의 발광 효율을 더욱 증가시킬 수 있는 효과를 갖게 된다. PDP, 플라즈마, 형광체, 메탈 나노, 공명현상, 표면 플라즈몬, 발광 파장
Int. CL H01J 11/42 (2006.01)
CPC H01J 11/42(2013.01) H01J 11/42(2013.01) H01J 11/42(2013.01) H01J 11/42(2013.01) H01J 11/42(2013.01) H01J 11/42(2013.01) H01J 11/42(2013.01) H01J 11/42(2013.01)
출원번호/일자 1020090052442 (2009.06.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1018447-0000 (2011.02.22)
공개번호/일자 10-2010-0133744 (2010.12.22) 문서열기
공고번호/일자 (20110302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.12)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경철 대한민국 대전광역시 유성구
2 이성민 대한민국 대전광역시 유성구
3 조관현 대한민국 대전광역시 서구
4 양기열 대한민국 경상북도 포항시 북구
5 김우현 대한민국 서울특별시 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0356920-08
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0224441-46
3 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2010.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0020362-62
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2010.04.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0229975-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0498103-22
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0565054-33
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0633424-52
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0710374-07
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0710376-98
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0552157-80
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.01.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0001374-96
13 등록결정서
Decision to grant
2011.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0077132-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나란히 배치된 전면판과 후면판이 구비되고, 전면판과 후면판 중에 적어도 어느 한쪽 판에는 가스 방전을 위한 전극이 형성되며, 상기 후면판에는 상기 전극의 가스 방전에 의해 여기되면서 발광하는 형광체층이 형성되고, 상기 형광체층에는 나노 크기의 금속 입자 또는 나노 크기의 전이 금속 입자로 이루어진 메탈 나노체가 구비되되, 각각의 색상을 표현하기 위한 형광체의 발광 파장에 따라, 그 발광 파장 대역에서 표면 플라즈몬 공명을 발생시키는 메탈 나노체를 포함시켜 구성한 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
2 2
나란히 배치된 전면판과 후면판이 구비되고, 상기 전면판에는 하나 또는 그 이상의 전극이 구비됨과 아울러, 이 전극 위에 유전체층 및 보호층이 순차적으로 형성되며, 상기 후면판에는 상기 전면판에 구비된 전극과 직교하는 방향으로 전극이 형성되고, 이 전극 위에 유전체층, 이 유전체층 위에 복수의 셀을 구획토록 격벽들이 형성되며, 유전체층과 격벽 사이의 공간에 가스 방전에 의해 여기되면서 발광하도록 형광체층이 형성되고, 상기 형광체층에는 나노 크기의 금속 입자 또는 나노 크기의 전이 금속 입자로 이루어진 메탈 나노체가 구비되되, 각각의 색상을 표현하기 위한 형광체의 발광 파장에 따라, 그 발광 파장 대역에서 표면 플라즈몬 공명을 발생시키는 메탈 나노체를 포함시켜 구성한 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 형광체층은 삼원색을 표현하기 위해서 R, G, B의 세 가지 형광체층이 격벽으로 각각 분할되어 구성되고, 각각의 형광체층에는 R, G, B 형광체의 각 발광 파장에 따라 그 발광 파장 대역에서 표면 플라즈몬 공명을 발생시키는 메탈 나노체를 적용하여 광자 발생 형광체의 발광 세기를 증가시킬 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 형광체층에는 각 형광체의 발광 파장에 표면 플라즈몬 주파수가 일치할 수 있도록 메탈 나노체의 형태와 크기로 가공하여 적용하는 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 메탈 나노체는 비배열화된 입자형 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
6 6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 메탈 나노체는 각각의 입자가 각 형광체의 알갱이 표면에 적어도 일부분 이상에 도포된 구조로 구비된 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
7 7
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 메탈 나노체는 각각의 입자가 각 형광체의 알갱이에 박힌 구조로 구비된 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
8 8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 메탈 나노체는 배열화된 나노 구조물로 이루어진 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
9 9
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 메탈 나노체는 후면판의 유전체층 위에 형성된 형광체층 위에 형성된 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
10 10
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 메탈 나노체는 후면판의 유전체층과 형광체층 사이에 위치하도록 형성된 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
11 11
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 메탈 나노체는 후면판의 유전체층 위에 형성된 형광체층 위에 형성됨과 아울러, 후면판의 유전체층과 형광체층 사이에도 형성된 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
12 12
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 메탈 나노체는 형광체와 함께 섞여 형광체층 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자
13 13
서로 대향하는 전면판 및 후면판 사이의 내부 공간을 격벽으로 구분하여 방전 셀을 형성하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 후면판에 유전체층을 형성하는 제1단계와; 상기 유전체층 위에 격벽을 형성하는 제2단계와; 상기 격벽 사이의 유전체층 위에 형광체층을 형성하는 제3단계를 포함하되, 상기 제3단계의 형광체층을 형성하기 전 또는 후에, 상기 유전체층과 형광체층 사이 또는 상기 형광체층의 상면 중 적어도 어느 한 쪽에 형광체의 발광 특성을 향상시키기 위하여 나노 크기의 금속 입자 또는 나노 크기의 전이 금속 입자로 이루어진 메탈 나노체 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자 제조 방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 메탈 나노체층은 각 형광체의 발광 파장에 따라 그 발광 파장 대역에서 표면 플라즈몬 공명을 발생시킬 수 있는 메탈 나노체를 적용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자 제조 방법
15 15
청구항 13에 있어서, 상기 메탈 나노체층은 전자 빔 증착 방법 또는 열 증착 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자 제조 방법
16 16
청구항 13에 있어서, 상기 메탈 나노체층은 메탈 나노체를 구성하는 입자들을 용매에 분산시켜 혼합한 후에 상기 유전체층 위 또는 형광체층 위에 도포하는 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자 제조 방법
17 17
서로 대향하는 전면판 및 후면판 사이의 내부 공간을 격벽으로 구분하여 방전 셀을 형성하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 후면판에 유전체층을 형성하는 제1단계와; 상기 유전체층 위에 격벽을 형성하는 제2단계와; 상기 격벽 사이의 유전체층 위에, 형광체의 발광 특성을 향상시키기 위하여 나노 크기의 금속 입자 또는 나노 크기의 전이 금속 입자로 이루어진 메탈 나노체가 포함된 형광체 페이스트를 도포하여 형광체층을 형성하는 제3단계를 포함한 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자 제조 방법
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 메탈 나노체가 포함된 형광체 페이스트는, 형광체 페이스트를 구성하는 용매와 동일한 용매에 메탈 나노체를 분산시켜 혼합한 다음, 이 혼합물을 형광체 페이스트에 섞어서 제조하는 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자 제조 방법
19 19
청구항 17에 있어서, 상기 메탈 나노체가 포함된 형광체 페이스트는, 메탈 나노체의 각 입자가 각 형광체 알갱이의 표면에 도포되어 있거나 박혀있는 형광체 페이스트를 이용하는 것을 특징으로 하는 교류 플라즈마 디스플레이 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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국가 R&D 정보가 없습니다.