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구형의 Ｃｕ２ＩｎＧａＳｅ２응집체를 포함하는 광흡수 층 및 이를 이용한 태양전지, 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014047319
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 구형의 Cu2InGaSe2 응집체를 포함하는 광흡수 층 및 이를 이용한 태양전지, 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 광흡수 층은 광흡수 나노입자들이 구형, 타원형, 내지는 도우넛형 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 형상으로 응집되어 이루어진 응집체를 포함하는 제 1 광흡수 층; 및 상기 제 1 광 흡수층 상에 도포된 제 2 광흡수 층을 포함하며, 본 발명에 의하면, 나노입자들이 응집되어 형성된 제 1의 광흡수 나노입자 응집체들과 광흡수 전구체를 함유하는 용액으로부터 코팅되어 형성된 제 2의 광흡수 막이 제 1의 광흡수 나노입자 응집체들 사이의 기공을 채우고, 광흡수 응집체들의 거친 표면을 매끄럽게 코팅하여 줌으로써, 표면 거칠기가 없고, 기공이 잘 채워져 있는 치밀한 태양전지 광흡수 층을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020110038608 (2011.04.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1194375-0000 (2012.10.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.25)
심사청구항수 31

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 대전광역시 유성구
2 조남규 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0307568-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021200-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0222943-23
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0343264-43
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0343265-99
7 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0052835-59
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0355973-21
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0516854-20
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.09.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0708108-45
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0708107-00
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0547265-64
13 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2012.10.18 수리 (Accepted) 2-1-2012-0503396-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광흡수 나노입자들이 구형, 타원형, 내지는 도우넛형 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 형상으로 응집되어 이루어진 응집체를 포함하며, 상기 응집체 사이에는 기공이 형성된 제 1 광흡수 층; 및 상기 제 1 광흡수 층 상에 도포되는 제 2 광흡수 층을 포함하며, 상기 제 2 광흡수 층은 상기 제 1 광합수 층의 상기 응집체 사이의 기공을 채우는 태양전지 광흡수 층
2 2
제1항에 있어서, 상기 광흡수 나노입자는 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 하나 이상의 나노입자를 포함하는 태양전지 광흡수 층
3 3
청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
4 4
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
5 5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
6 6
청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
7 7
청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
8 8
제1항에 있어서, 상기 제 2 광흡수 층은 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 화합물을 포함하는 태양전지 광흡수 층
9 9
삭제
10 10
청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
11 11
집전체와, 상기 집전체 상에 적층된 제1항 내지 제8항, 제10항 중 어느 한 항의 광흡수 층을 포함하는 태양전지
12 12
Mo 전극이 코팅된 유리기판; 제1항 내지 제8항, 제 10항 중 어느 한 항에 따른 광흡수 층을 포함하는 p-type 광흡수 층; N-type CdS 버퍼 층; 및 투명전극 층을 순차적으로 적층시킨 구조를 포함하는 태양전지
13 13
(a) 전극이 코팅된 기판 상에 제 1 광흡수 나노입자 분산용액을 전기분사하여 광흡수 나노입자 응집체를 형성하는 단계; (b) 상기 제 1 광흡수 나노입자 응집체위에, 제 2 광흡수 전구체를 포함하는 용액을 전기분사하여, 상기 제 1 광흡수 응집체 사이의 열린 기공을 채우고, 광흡수 응집체의 표면을 도포하는 단계; 및 (e) 제 1 광흡수 응집체의 입자크기 증대와 제 2 광흡수 층의 결정화를 위한 후열처리를 진행하는 단계를 포함하여 이루어진 태양전지 광흡수 층의 제조방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 방법은 상기 단계 (a)와 단계 (b) 사이에 상기 제 1 광흡수 나노입자 응집체를 압착하여, 밀도를 높이는 단계를 더 포함하는 태양전지 광흡수 층의 제조방법
15 15
제 13항에 있어서, 상기 후열처리는 H2Se, H2S 분위기 또는 비활성 내지는 환원 분위기에서 진행되는 태양전지 광흡수 층의 제조방법
16 16
제13항에 있어서, 제 1 광흡수 나노입자는 Cu2InGaSe2, CuInSe2, CuGaSe2, Cu2InGa(S,Se)2, Cu2ZnSnS4 중에서 선택된 하나 이상의 나노입자를 포함하는 태양전지 광흡수 층의 제조방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노입자 분산용액과 제 2 광흡수 전구체의 분산용액은 에탄올, 메탄올, 프로판올, 부탄올, IPA, 디메틸포름아마이드(dimethylformamide; DMF), 아세톤, 데트라하이드로퓨란, 톨루엔, 물 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 용매를 포함하는 태양전지 광흡수 층의 제조방법
18 18
제13항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노입자 분산용액과 제 2 광흡수 전구체 분산용액은 비점이 80℃ 이하인 용매를 전체 용액 내에 50% 이상 함유하고 있는 태양전지 광흡수 층의 제조방법
19 19
제 18항에 있어서, 상기 용매는 에탄올(CH3CH2-OH, 78℃), 메탄올(CH3-OH, 68℃), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran (THF, 66 ℃)), 아세톤(CH3COCH3, 56
20 20
제13항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노입자 분산용액에서 나노입자의 함유량은 전체용액 대비 0
21 21
제13항에 있어서, 상기 분산용액은, 아세트산, 스테아릭산, 아디픽산, 에톡시아세틱산, 벤조익산, 니트릭산 및 세틸트리메틸 암모늄 브로마이드로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 첨가제를 더 포함하는 것인 태양전지 광흡수 층의 제조방법
22 22
청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
23 23
청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
24 24
제13항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노입자 분산용액과 제 2 광흡수 전구체 분산용액의 전기분사는 동시에 수행되는 태양전지 광흡수 층의 제조방법
25 25
청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
26 26
제13항에 있어서, 상기 제 1 광흡수 나노입자 응집체는 구형, 타원형, 내지는 도우넛형 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 형상으로 이루어진 태양전지 광흡수 층의 제조방법
27 27
청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
28 28
청구항 28은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
29 29
청구항 29은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
30 30
제 13항 내지 제 29항 중 어느 한 항에 따라 제조된 태양전지 광흡수 층
31 31
집전체와, 상기 집전체 상에 형성되며 제13항 내지 제26항 중 어느 한 항에 따라 제조된 광흡수 층을 포함하여 이루어진 광흡수 층을 전극으로 포함하는 태양전지
32 32
제 31항에 있어서, 상기 태양전지는 Mo 전극이 코팅된 유리기판; 상기 광흡수 층; N-type CdS 버퍼 층; 및 투명전극 층을 순차적으로 적층시킨 구조로서, 상기 광흡수 층은 P-type인 태양전지
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.