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핫 전자 기반의 금속-반도체 나노다이오드 태양전지

  • 기술번호 : KST2015114994
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 핫 전자 기반의 고효율 금속-반도체 나노다이오드 태양전지는 빛을 전기로 전환하는 활성 층과 생성된 전자를 수집하는 반도체 층 및 절연체 층, 제 1전극, 제 2전극으로 구성되어 있다. 제 1전극은 활성 층과 접해 있고, 제 2전극은 반도체 층과 접해 있다. 활성 층은 Au,Pt,Ag 등의 금속을 사용하며, 이 활성 층과 반도체 층의 접합은 광 에너지를 전기에너지로 전환시키는 쇼트키장벽을 만든다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/07(2013.01) H01L 31/07(2013.01) H01L 31/07(2013.01)
출원번호/일자 1020100131686 (2010.12.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1237282-0000 (2013.02.20)
공개번호/일자 10-2012-0070220 (2012.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20130227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정영 미국 대전광역시 유성구
2 이영근 대한민국 대전광역시 유성구
3 정찬호 대한민국 대전광역시 유성구
4 박종혁 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0844573-39
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0697808-40
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0077171-88
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0077178-07
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0434476-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0788925-84
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0788924-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0096085-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
핫 전자 기반의 나노다이오드를 포함하는 태양전지에 있어서,(i)상기 나노다이오드는 티타늄디옥사이드(TiO2) 반도체 층 위에 백금(Pt) 활성층이 형성된 것으로; (ii)티타늄디옥사이드(TiO2) 위에 백금(Pt)은 반도체층(TiO2)위에 형성된 절연층(silicon nitride) 상부의 일측에 증착된 금(Au)과 연결되어 전극(schottky electrode)이 형성되고, 티타늄디옥사이드(TiO2) 반도체 층 아래에 증착된 티타늄(Ti)과 바로 아래 일부분에 증착된 금(Au)과의 연결을 통해 상기의 티타늄디옥사이드(TiO2) 반도체 층과 또 다른 전극(ohmic electrode)이 형성되는 결합 구성을 포함하는 것을 특징으로 하고; (iii)상기 핫 전자가 상기 백금(Pt) 금속의 박막 표면에 발생한 후 티타늄디옥사이드(TiO2) 반도체 층 위에 백금(Pt) 활성층의 형성으로 인해 접촉면에 생성되는 쇼트키(Schottky) 에너지 장벽을 넘어 검출되는 것을 특징으로 하는; 태양전지
2 2
핫 전자 기반의 나노다이오드를 포함하는 태양전지에 있어서,(i)상기 나노다이오드는 갈륨나이트나이드(GaN) 위에 백금(Pt)이 형성된 것으로; (ii)갈륨나이트나이드(GaN) 위에 절연층이 구비되고, 상기 절연층 위의 백금(Pt)과 증착된 금(Au)의 연결로 전극(ohmic electrode)을 형성하고 갈륨나이트나이드(GaN) 일부의 위와 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 순차적인 증착과 금(Au)의 연결로 다른 전극(schottky electrode)이 형성되는 결합 구성을 포함하는 것을 특징으로 하고; (iii) 상기 핫 전자는 상기 백금(Pt) 금속의 박막 표면에 발생한 후 쇼트키(Schottky) 에너지 장벽을 넘어 검출되는 것을 특징으로 하는; 태양전지
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4 4
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