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레벨 쉬프터

  • 기술번호 : KST2014047372
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 의한 레벨 쉬프터는, 게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 입력단(Input) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 상기 제 1노드(A)에 연결되고, 제 1전원(VDD)과 상기 제 1노드(A) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)를 포함함을 특징으로 한다.
Int. CL H03K 19/0185 (2006.01.01) G09G 3/36 (2006.01.01)
CPC H03K 19/018521(2013.01) H03K 19/018521(2013.01) H03K 19/018521(2013.01)
출원번호/일자 1020080029755 (2008.03.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0969137-0000 (2010.07.01)
공개번호/일자 10-2009-0104360 (2009.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20100708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오경 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0232768-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0003020-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0537258-72
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0128906-45
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0128907-91
7 등록결정서
Decision to grant
2010.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0268501-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
삭제
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4 4
게이트 전극이 반전입력단(Input_b)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 반전입력단(Input_b) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 제 2노드(B)에 연결되고, 입력단(Input)과 상기 제 1노드(A) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)와; 게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 2노드(B)와 제 1노드(A) 사이에 연결된 제 4트랜지스터(P3)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 반전입력단(Input_b)과 제 2노드(B) 사이에 연결된 제 5트랜지스터(N2)를 포함함을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
5 5
제 4항에 있어서, 상기 제 1, 5트랜지스터(N1, N2)는 N형 트랜지스터로, 제 2, 3, 4트랜지스터(P1, P2, P3)는 P형 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
6 6
게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 입력단(Input) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 제 2노드(B)에 연결되고, 제 1노드(A)와 상기 출력단(Output) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 2노드(B)와 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 4트랜지스터(P3)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 접지전원(GND)과 상기 제 2노드(B) 사이에 연결된 제 5트랜지스터(N2)를 포함함을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
7 7
제 6항에 있어서, 상기 제 1, 5트랜지스터(N1, N2)는 N형 트랜지스터로, 제 2, 3, 4트랜지스터(P1, P2, P3)는 P형 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
8 8
게이트 전극이 제 2노드(B)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 제 2노드(B) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 제 2노드(B)와 제 1전원(VDD) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 2노드(B)와 접지전원(GND) 사이에 연결된 제 4트랜지스터(N2)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 1노드(A)와 제 1전원(VDD) 사이에 연결된 제 5트랜지스터(N3)를 포함함을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제 1, 4, 5트랜지스터(N1, N2, N3)는 N형 트랜지스터로, 제 2, 3트랜지스터(P1, P2)는 P형 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
10 10
게이트 전극이 제 2노드(B)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 제 2노드(B) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 제 3노드(C)에 연결되고, 제 1노드(A)와 제 1전원(VDD) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)와; 게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 2노드(B)와 접지전원(GND) 사이에 연결된 제 4트랜지스터(N2)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 3노드(C)와 접지전원(GND) 사이에 연결된 제 5트랜지스터(N3)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 3노드(C)와 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 6트랜지스터(P3)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 2노드(B)와 제 1전원(VDD) 사이에 연결된 제 7트랜지스터(P4)를 포함함을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
11 11
제 10항에 있어서, 상기 제 1, 4, 5트랜지스터(N1, N2, N3)는 N형 트랜지스터로, 제 2, 3, 6, 7트랜지스터(P1, P2, P3, P4)는 P형 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 레벨 쉬프터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한양대학교 산학협력단 차세대정보디스플레이기술개발사업 LTPS TFT를 이용한 화소, 구동회로, 시스템용 각종회로설계 기반기술 개발