요약 | 본 발명의 실시예에 의한 레벨 쉬프터는, 게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 입력단(Input) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 상기 제 1노드(A)에 연결되고, 제 1전원(VDD)과 상기 제 1노드(A) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)를 포함함을 특징으로 한다. |
---|---|
Int. CL | H03K 19/0185 (2006.01.01) G09G 3/36 (2006.01.01) |
CPC | H03K 19/018521(2013.01) H03K 19/018521(2013.01) H03K 19/018521(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080029755 (2008.03.31) |
출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0969137-0000 (2010.07.01) |
공개번호/일자 | 10-2009-0104360 (2009.10.06) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20100708) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.03.31) |
심사청구항수 | 8 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 권오경 | 대한민국 | 서울 송파구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 신영무 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0232768-44 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.12.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0003020-06 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.12.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0537258-72 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.02.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0128906-45 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0128907-91 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.06.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0268501-54 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 삭제 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 게이트 전극이 반전입력단(Input_b)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 반전입력단(Input_b) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 제 2노드(B)에 연결되고, 입력단(Input)과 상기 제 1노드(A) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)와; 게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 2노드(B)와 제 1노드(A) 사이에 연결된 제 4트랜지스터(P3)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 반전입력단(Input_b)과 제 2노드(B) 사이에 연결된 제 5트랜지스터(N2)를 포함함을 특징으로 하는 레벨 쉬프터 |
5 |
5 제 4항에 있어서, 상기 제 1, 5트랜지스터(N1, N2)는 N형 트랜지스터로, 제 2, 3, 4트랜지스터(P1, P2, P3)는 P형 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 레벨 쉬프터 |
6 |
6 게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 입력단(Input) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 제 2노드(B)에 연결되고, 제 1노드(A)와 상기 출력단(Output) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 2노드(B)와 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 4트랜지스터(P3)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 접지전원(GND)과 상기 제 2노드(B) 사이에 연결된 제 5트랜지스터(N2)를 포함함을 특징으로 하는 레벨 쉬프터 |
7 |
7 제 6항에 있어서, 상기 제 1, 5트랜지스터(N1, N2)는 N형 트랜지스터로, 제 2, 3, 4트랜지스터(P1, P2, P3)는 P형 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 레벨 쉬프터 |
8 |
8 게이트 전극이 제 2노드(B)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 제 2노드(B) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 제 2노드(B)와 제 1전원(VDD) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 2노드(B)와 접지전원(GND) 사이에 연결된 제 4트랜지스터(N2)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 1노드(A)와 제 1전원(VDD) 사이에 연결된 제 5트랜지스터(N3)를 포함함을 특징으로 하는 레벨 쉬프터 |
9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 제 1, 4, 5트랜지스터(N1, N2, N3)는 N형 트랜지스터로, 제 2, 3트랜지스터(P1, P2)는 P형 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 레벨 쉬프터 |
10 |
10 게이트 전극이 제 2노드(B)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 제 2노드(B) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 제 3노드(C)에 연결되고, 제 1노드(A)와 제 1전원(VDD) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)와; 게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 2노드(B)와 접지전원(GND) 사이에 연결된 제 4트랜지스터(N2)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 3노드(C)와 접지전원(GND) 사이에 연결된 제 5트랜지스터(N3)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 3노드(C)와 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 6트랜지스터(P3)와; 게이트 전극이 상기 입력단(Input)에 연결되고, 상기 제 2노드(B)와 제 1전원(VDD) 사이에 연결된 제 7트랜지스터(P4)를 포함함을 특징으로 하는 레벨 쉬프터 |
11 |
11 제 10항에 있어서, 상기 제 1, 4, 5트랜지스터(N1, N2, N3)는 N형 트랜지스터로, 제 2, 3, 6, 7트랜지스터(P1, P2, P3, P4)는 P형 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 레벨 쉬프터 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 산업자원부 | 한양대학교 산학협력단 | 차세대정보디스플레이기술개발사업 | LTPS TFT를 이용한 화소, 구동회로, 시스템용 각종회로설계 기반기술 개발 |
특허 등록번호 | 10-0969137-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20080331 출원 번호 : 1020080029755 공고 연월일 : 20100708 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100624 청구범위의 항수 : 8 유별 : H03K 19/0175 발명의 명칭 : 레벨 쉬프터 존속기간(예정)만료일 : 20150702 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 178,500 원 | 2010년 07월 01일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2013년 06월 28일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2014년 05월 28일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0232768-44 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.12.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2009.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0003020-06 |
4 | 의견제출통지서 | 2009.12.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0537258-72 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.02.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0128906-45 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0128907-91 |
7 | 등록결정서 | 2010.06.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0268501-54 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술번호 | KST2014047372 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한양대학교 에리카캠퍼스 |
기술명 | 레벨 쉬프터 |
기술개요 |
본 발명의 실시예에 의한 레벨 쉬프터는, 게이트 전극이 입력단(Input)에 연결되고, 접지전원(GND)과 출력단(Output) 사이에 연결된 제 1트랜지스터(N1)와; 게이트 전극이 제 1노드(A)에 연결되고, 출력단(Output)과 제 2전원(VDDH) 사이에 연결된 제 2트랜지스터(P1)와; 상기 제 1노드(A) 및 입력단(Input) 사이에 연결된 제 1커패시터(C1)와; 게이트 전극이 상기 제 1노드(A)에 연결되고, 제 1전원(VDD)과 상기 제 1노드(A) 사이에 연결된 제 3트랜지스터(P2)를 포함함을 특징으로 한다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 레벨 쉬프터 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415091274 |
---|---|
세부과제번호 | F0004060-2008-31 |
연구과제명 | 다기능복합디스플레이기반기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200805~201205 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345136343 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A1612 |
연구과제명 | 수요지향적정보기술전문인력양성사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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