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실리콘층, 산화막층 및 단결정 실리콘층으로 구성된 SOI 기판 상에 트랜지스터를 형성하는 제 1단계;
상기 트랜지스터가 형성된 상기 SOI 기판 상에 플렉시블 기판을 형성하는 제 2단계;
상기 SOI 기판의 상기 실리콘층 하부를 식각하여 상기 산화막층을 노출시키는 제 3단계; 및
상기 SOI 기판 하부의 가장자리에 남아있는 실리콘층, 산화막층 및 단결정 실리콘층을 제거하는 제 4단계
를 포함하는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 3단계는
상기 산화막층과 실리콘 단결정층을 식각하여 상기 트랜지스터의 기본 단위 픽셀로 형성하는 단계를 더 포함하는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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실리콘층, 산화막층 및 단결정 실리콘층으로 구성된 SOI 기판 상에 트랜지스터를 형성하는 제 1단계;
상기 트랜지스터가 형성된 상기 SOI 기판 상에 점착제와 지지 기판을 순차적으로 형성하는 제 2단계;
상기 SOI 기판의 상기 실리콘층 하부를 식각하여 상기 산화막층을 노출시키는 제 3단계;
상기 산화막층과 단결정 실리콘층을 식각하여 상기 트랜지스터의 기본 단위 픽셀로 형성하는 제 4단계
식각된 상기 SOI 기판 하부에 노출된 상기 산화막층에 플렉시블 기판을 형성하는 제 5단계;
상기 플렉시블 기판을 다이싱하는 제 6단계; 및
상기 점착제 및 상기 지지 기판을 제거하는 제 7단계
를 포함하는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 3단계는
상기 산화막층 하부에 상기 트랜지스터와 플렉시블 기판의 접착력을 향상하기 위한 실리콘 굴곡 구조물을 형성하는 단계를 더 포함하는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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실리콘층, 산화막층 및 단결정 실리콘층으로 구성된 SOI 기판 상에 트랜지스터를 형성하는 제 1단계;
상기 트랜지스터가 형성된 상기 SOI 기판 상에 감광막을 형성하고 패터닝하여 상기 단결정 실리콘층을 식각하는 제 2단계;
상기 SOI 기판의 산화막층을 제거하여 상기 단결정 실리콘층에 형성된 상기 트랜지스터를 릴리즈시키는 제 3단계; 및
상기 감광막을 제거한 후, 플렉시블 기판에 상기 트랜지스터를 전사하는 제 4단계
를 포함하는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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기판 상에 트랜지스터를 형성하는 제 1단계;
상기 트랜지스터가 형성된 상기 기판 상에 점착제와 지지 기판을 차례로 형성하는 제 2단계;
상기 기판을 폴리싱 및 다이싱하고 상기 트랜지스터를 기본 단위 픽셀로 형성하기 위하여 식각하는 제 3단계;
상기 점착제 및 상기 지지 기판을 제거하는 제 4단계; 및
상기 트랜지스터를 플렉시블 기판에 전사하는 제 5단계
를 포함하는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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제 6항에 있어서,
상기 기판은 실리콘, 유리, 석영 및 세라믹 중 어느 하나를 이용하는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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제 3항 또는 제 6항에 있어서,
상기 지지 기판은 유연한 플라스틱, 유리, 실리콘 및 세라믹 중 어느 하나로 이루어지는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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제 1항 또는 제 3항에 있어서,
상기 플렉시블 기판은 폴리머를 도포하여 형성하는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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제 9항에 있어서,
상기 폴리머는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 설파이드(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 나일론, 폴리에테르 에테르 케톤(PEEK), 폴리술폰(PSF), 폴리에테르 이미드(PEI), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT) 및 극성기를 갖는 노보넨 수지로 이루어진 ARTON 중 선택되는 어느 하나인 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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제 3항 또는 제 6항에 있어서,
상기 점착제는 반응 경화형 점착제, 열 경화형 점착제 및 자외선 경화형 점착재 중 선택되는 어느 하나인 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조방법
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제 1항, 제 3항, 제 5항 및 제 6항 중 선택되는 어느 한 항에 있어서,
상기 트랜지스터는 CMOS 트랜지스터인 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터의 제조 방법
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플렉시블 기판;
상기 플렉시블 기판 상부에 위치한 패터닝된 산화막층;
상기 산화막층 상부에 위치한 단결정 실리콘층에 형성되어 있는 트랜지스터; 및
상기 산화막층과 플렉시블 기판 사이에 상기 트랜지스터와 플렉시블 기판의 접착력을 향상시키고 상기 플렉시블 기판의 휨 발생시 상기 단결정 실리콘층의 굴곡을 완화시키기 위한 실리콘 굴곡 구조물을 포함하는 플렉시블 기판에 형성된 트랜지스터
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