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나노와이어 소자 제조 방법

기술번호 : KST2014048244
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 나노와이어소자 제조를 대량으로 가능하게 하는 방법에 관한 것으로 실리콘 웨이퍼에 종래의 사진식각공정과 실리콘 건식 식각 공정으로 직경이 수백 ㎚ 정도의 나노와이어 패턴을 제작한 후 실리콘 열산화 공정과 산화막 제거 공정을 이용하여 직경 수 나노미터 내지 수십 나노미터 크기의 나노와이어를 제작한다. 그리고 이를 절연막이 형성된 다른 기판에 전사시켜 나노와이어소자를 제작하는 방법을 제시한다. 나노와이어를 제조한 웨이퍼에서 절연막이 형성된 다른 웨이퍼로 나노와이어를 전사하는 방법을 이용함으로써 의도한 곳에 나노와이어를 위치시키려는 나노와이어 정렬과정이 불필요하며 SOI 웨이퍼를 사용할 필요가 없다. 실리콘 나노와이어, 나노와이어 릴리즈, 트랜스퍼
Int. CL	H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC	H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자	1020060039593 (2006.05.02)
출원인	전자부품연구원
등록번호/일자	10-0716937-0000 (2007.05.04)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20070514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.05.02)
심사청구항수	16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자기술연구원	대한민국	경기도 성남시 분당구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	정석원	대한민국	경기도 오산시
2	이국녕	대한민국	경기 성남시 분당구
3	김원효	대한민국	경기 용인시 기흥구
4	성우경	대한민국	경기도 성남시 분당구
5	신규식	대한민국	서울 강남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서천석	대한민국	서울특별시 서초구 서초중앙로길 , *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	전자부품연구원	대한민국	경기도 성남시 분당구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.05.02	수리 (Accepted)	1-1-2006-0310741-51
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2006.12.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2007.01.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0000410-15
4	등록결정서 Decision to grant	2007.02.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0099415-12
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-0013766-37
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.08.24	수리 (Accepted)	4-1-2020-5189497-57

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 실리콘 제 1 기판을 패턴화하는 단계;상기 실리콘 제 1 기판에 지지기둥 구조물 및 하부에 언더컷 형상을 가진 수직의 트랜치 구조물을 형성하도록 건식식각하는 단계;상기 실리콘 제 1 기판을 열산화시켜 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계;상기 실리콘 나노와이어가 상기 실리콘 제 1 기판으로부터 릴리즈되도록 상기 실리콘 제 1 기판에 형성된 열산화막을 식각하는 단계;상기 실리콘 제 1 기판의 실리콘 나노와이어를 제 2 기판으로 트랜스퍼시키는 단계; 및상기 제 2 기판에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 건식식각하는 단계는상기 실리콘 제 1 기판을 반응성 이온 식각하는 공정; 및상기 실리콘 제 1 기판을 딥 반응성 이온 식각하는 공정을 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조 방법
3	3 제 2 항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계는,상기 하부의 언더컷 부분이 전부 산화되어 실리콘 나노와이어가 상기 제 1 기판으로부터 분리되는 실리콘 나노와이어 소자 제조 방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 실리콘 나노와이어를 제 2 기판으로 트랜스퍼시키는 단계 이전에 상기 제 2 기판에 점착제를 균일하게 코팅하는 단계를 더 포함하고,상기 상기 실리콘 나노와이어를 제 2 기판으로 트랜스퍼시키는 단계 이후에 상기 점착제를 상기 제 2 기판으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조 방법
5	5 제 4 항에 있어서,상기 점착제를 상기 제 2 기판으로부터 제거하는 단계는 플라즈마 건식식각으로 수행되는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법
6	6 제 4 항에 있어서,상기 제 2 기판에 점착제를 균일하게 코팅하는 단계와 상기 실리콘 나노와이어를 트랜스퍼시키는 단계 사이에,상기 코팅된 점착제에 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조 방법
7	7 제 6 항에 있어서,상기 코팅된 점착제에 패턴을 형성하는 단계는 포토 리소그라피 공정 또는 임프린팅 공정으로 수행되는 나노와이어 소자 제조방법
8	8 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2기판은 실리콘, 수정, 세라믹, 유리 및 폴리머(polymer) 중 어느 하나인 실리콘 나노와이어 소자 제조방법
9	9 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 기판은 플렉시블 기판 또는 점성 기판인 실리콘 나노와이어 소자 제조방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 나노와이어를 트랜스퍼시키는 단계 이전에제 2 기판에 핫 엠보싱 공정을 수행하여 점착제 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 상기 나노와이어 소자 제조 방법
11	11 제 4 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 나노와이어를 트랜스퍼시키는 단계는,상기 나노와이어를 상기 제 2 기판에 점착시키는 과정; 및점착된 상기 나노와이어와 상기 제 1 기판을 서로 분리하는 과정을 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조 방법
12	12 제 11 항에 있어서,상기 나노와이어를 상기 제 2 기판에 점착시키는 과정에서 열과 압력을 가하는 실리콘 나노와이어 소자 제조 방법
13	13 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 기판에 점착제 패턴을 형성하기 전에 정렬용 표식 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 나노와이어 소자 제조방법
14	14 실리콘 기판을 패턴화하는 단계;건식식각공정으로 하부에 언더컷 형상을 가진 수직의 트랜치 구조물을 형성하는 단계;열산화막을 형성하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계;실리콘 나노와이어의 상층부가 노출되면서 나노와이어와 기판 사이의 산화막은 완전히 제거되지 않도록 산화막을 식각하는 단계; 및기판에 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조 방법
15	15 제 14 항에 있어서, 상기 산화막을 식각하는 단계는 습식식각 또는 건식식각을 이용하는 실리콘 나노와이어 소자 제조 방법
16	16 제 14 항에 있어서, 상기 기판에 전극을 형성시키는 단계 이후에상기 나노와이어가 상기 실리콘 나노와이어 기판으로부터 릴리즈 되도록 산화막을 식각하는 단계를 더 포함하는 나노와이어 소자 제작 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP04869847	JP	일본	FAMILY
2	JP19088482	JP	일본	FAMILY
3	KR100702531	KR	대한민국	FAMILY
4	KR100740531	KR	대한민국	FAMILY
5	KR100855882	KR	대한민국	FAMILY
6	US08080481	US	미국	FAMILY
7	US20070105321	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	CN1935632	CN	중국	DOCDBFAMILY
2	CN1935632	CN	중국	DOCDBFAMILY
3	JP2007088482	JP	일본	DOCDBFAMILY
4	JP4869847	JP	일본	DOCDBFAMILY
5	US2007105321	US	미국	DOCDBFAMILY
6	US8080481	US	미국	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-0716937-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060502 출원 번호 : 1020060039593 공고 연월일 : 20070514 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070221 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 21/20 발명의 명칭 : 나노와이어 소자 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20130505

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	472,500 원	2007년 05월 07일	납입
제 4 년분	금 액	392,000 원	2010년 02월 01일	납입
제 5 년분	금 액	392,000 원	2011년 01월 11일	납입
제 6 년분	금 액	392,000 원	2012년 01월 16일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.05.02	수리 (Accepted)	1-1-2006-0310741-51
2	선행기술조사의뢰서	2006.12.06	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2007.01.12	수리 (Accepted)	9-1-2007-0000410-15
4	등록결정서	2007.02.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0099415-12
5	출원인정보변경(경정)신고서	2013.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-0013766-37
6	출원인정보변경(경정)신고서	2020.08.24	수리 (Accepted)	4-1-2020-5189497-57


기술번호	KST2014048244
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국전자기술연구원
기술명	나노와이어 소자 제조 방법
기술개요	본 발명은 나노와이어소자 제조를 대량으로 가능하게 하는 방법에 관한 것으로 실리콘 웨이퍼에 종래의 사진식각공정과 실리콘 건식 식각 공정으로 직경이 수백 ㎚ 정도의 나노와이어 패턴을 제작한 후 실리콘 열산화 공정과 산화막 제거 공정을 이용하여 직경 수 나노미터 내지 수십 나노미터 크기의 나노와이어를 제작한다. 그리고 이를 절연막이 형성된 다른 기판에 전사시켜 나노와이어소자를 제작하는 방법을 제시한다. 나노와이어를 제조한 웨이퍼에서 절연막이 형성된 다른 웨이퍼로 나노와이어를 전사하는 방법을 이용함으로써 의도한 곳에 나노와이어를 위치시키려는 나노와이어 정렬과정이 불필요하며 SOI 웨이퍼를 사용할 필요가 없다. 실리콘 나노와이어, 나노와이어 릴리즈, 트랜스퍼
개발상태	특허만신청(등록)
기술의 우수성
응용분야	나노와이어 웨이퍼
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1410047665
세부과제번호	10023796
연구과제명	나노와이어기반유비쿼터스바이오센서기술개발
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	전자부품연구원
성과제출연도	2006
연구기간	200506~200805
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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