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금속이온 이용 무전해 에칭법에 의한 다발구조의 실리콘 나노로드 제조방법 및 이를 함유하는 리튬이차전지용 음극 활물질
- 기술번호 : KST2014049293
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 내부에 공극을 가지고 있는 직경 10 ~ 1000 nm 그리고 길이 0.1 ~ 100 ㎛ 범위의 다발형태의 실리콘 나노로드 구조체의 제조방법 및 이를 음극 활물질로 사용하는 리튬이차전지에 관한 것이다. 분말상태의 실리콘 표면에 금속을 전착시키는 것과 동시에 불산을 이용하여 부분적으로만 식각하여 실리콘이 갖는 낮은 전도도와 부피팽창에 대한 전극열화를 개선할 수 있는 고용량, 고효율 리튬이차전지용 음극활물질을 제공하는데 있다. 리튬이차전지, 실리콘, 활물질, 다발구조, 나노로드 |
|---|---|
| Int. CL | H01M 4/04 (2006.01) C23C 18/54 (2006.01) H01M 4/58 (2010.01) C01B 33/021 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020090046373 (2009.05.27) |
| 출원인 | 한국과학기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1103841-0000 (2012.01.02) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0127990 (2010.12.07) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120106) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.05.27) |
| 심사청구항수 | 7 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술연구원 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이중기 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 2 | 조병원 | 대한민국 | 서울특별시 은평구 |
| 3 | 우주만 | 대한민국 | 서울특별시 노원구 |
| 4 | 김형선 | 대한민국 | 서울특별시 용산구 |
| 5 | 정경윤 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 6 | 장원영 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 7 | 김상옥 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 8 | 박상은 | 대한민국 | 서울특별시 강동구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김영우 | 대한민국 | 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)(한라특허법인(유한)) |
| 2 | 한라특허법인(유한) | 대한민국 | 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주식회사 클라우드앤티나 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.05.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0318779-75 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
| 3 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0813882-16 |
| 4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0813941-12 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.01.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.01.28 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0006360-87 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.04.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0214240-78 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.06.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0439570-48 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.06.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0439569-02 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.12.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0769948-45 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 12 | 대리인선임신고서 Report on Appointment of Agent |
2015.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-5033520-42 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 삭제 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 불산 수용액에 금속을 용해시켜 치환도금용액을 만드는 1단계; 상기 치환도금용액을 포함하는 도금조에 실리콘을 첨가하고 교반하여 실리콘의 에칭 및 금속의 전착이 이루어져 실리콘입자를 생성하는 2단계; 및 상기 실리콘입자에 전착된 금속을 에칭하는 3단계 를 포함하여 이루어진 표면에 전착된 금속이 제거된 기공구조 실리콘입자의 제조방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 1단계에서의 금속은 은, 금, 구리, 납, 주석, 니켈, 코발트, 카드뮴, 철, 크롬, 아연 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 표면에 전착된 금속이 제거된 기공형 실리콘입자의 제조방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 금속은 은을 포함하는 금속인 것을 특징으로 하는 표면에 전착된 금속이 제거된 기공형 실리콘입자의 제조방법 |
| 9 |
9 제 6 항에 있어서, 상기 불산 수용액의 농도는 0 |
| 10 |
10 제 6 항에 있어서, 상기 치환도금용액의 금속의 농도는 0 |
| 11 |
11 삭제 |
| 12 |
12 상기 제 6 항 내지 제 10 항 중에서 선택된 어느 한 항의 제조방법에 의하여 제조된 표면에 전착된 금속이 제거된 기공형 실리콘입자 |
| 13 |
13 제 12 항의 실리콘 입자를 포함하는 리튬이차전지용 음극활물질 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08741254 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20100301276 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2010301276 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8741254 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1103841-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090527 출원 번호 : 1020090046373 공고 연월일 : 20120106 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111226 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01M 4/04 발명의 명칭 : 금속이온 이용 무전해 에칭법에 의한 다발구조의 실리콘 나노로드 제조방법 및 이를 함유하는 리튬이차전지용 음극 활물질 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
| 2 |
(의무자) 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구... |
| 2 |
(권리자) 주식회사 클라우드앤티나 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 159,000 원 | 2012년 01월 03일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 135,800 원 | 2014년 12월 26일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 135,800 원 | 2015년 12월 29일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 135,800 원 | 2016년 12월 26일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 256,200 원 | 2017년 12월 27일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 183,000 원 | 2019년 01월 02일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 183,000 원 | 2019년 11월 01일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 312,500 원 | 2020년 11월 06일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.05.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0318779-75 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5247056-16 |
| 3 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0813882-16 |
| 4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.12.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0813941-12 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.01.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2011.01.28 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0006360-87 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2011.04.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0214240-78 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.06.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0439570-48 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.06.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0439569-02 |
| 10 | 등록결정서 | 2011.12.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0769948-45 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5022002-69 |
| 12 | 대리인선임신고서 | 2015.12.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-5033520-42 |
| 기술번호 | KST2014049293 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국과학기술연구원 |
| 기술명 | 금속이온 이용 무전해 에칭법에 의한 다발구조의 실리콘 나노로드 제조방법 및 이를 함유하는 리튬이차전지용 음극 활물질 |
| 기술개요 |
본 발명은 내부에 공극을 가지고 있는 직경 10 ~ 1000 nm 그리고 길이 0.1 ~ 100 ㎛ 범위의 다발형태의 실리콘 나노로드 구조체의 제조방법 및 이를 음극 활물질로 사용하는 리튬이차전지에 관한 것이다. 분말상태의 실리콘 표면에 금속을 전착시키는 것과 동시에 불산을 이용하여 부분적으로만 식각하여 실리콘이 갖는 낮은 전도도와 부피팽창에 대한 전극열화를 개선할 수 있는 고용량, 고효율 리튬이차전지용 음극활물질을 제공하는데 있다. 리튬이차전지, 실리콘, 활물질, 다발구조, 나노로드 |
| 개발상태 | 특허만신청(등록) |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이선스 |
| 사업화적용실적 | 없음 |
| 도입시고려사항 | 없음 |
| 과제고유번호 | 1345098383 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 15-2008-04-003-00 |
| 연구과제명 | 이차전지용음전극표면나노코팅기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200804~201103 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020090046373] | 금속이온 이용 무전해 에칭법에 의한 다발구조의 실리콘 나노로드 제조방법 및 이를 함유하는 리튬이차전지용 음극 활물질 | 새창보기 |
|---|
중요키워드
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