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시드층을 이용한 산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법

  • 기술번호 : KST2014051055
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판 등의 다양한 기판 위에 수직 성장하는 산화아연 나노 구조체의 밀도 조절에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액상 성장 방법으로 산화아연 나노 구조체를 성장시키며, 이를 위해 시드층을 형성할 때 사용하는 전구체 용액을 조절하여 성장된 구조체의 밀도 조절에 관한 것이다.본 발명에 따른 산화아연 나노 구조체 밀도 제어 방법은, 산화아연 시드층(ZnO seed layer)을 형성하는 방법에 있어서, 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계; 분산된 혼합물을 기판 위에 스핀코팅(spin coating)으로 도포하는 단계; 기판을 열처리(heat treatment)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하며, 또한 나노 구조체를 성장시키는 방법에 있어서, 시드 용액 제조시, 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키며, 불순물 입자의 크기와 농도를 조절하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020100137416 (2010.12.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1272502-0000 (2013.06.03)
공개번호/일자 10-2012-0075667 (2012.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20130610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경일 대한민국 경기도 과천시
2 조진우 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김성현 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김선민 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0870029-78
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0002456-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087291-91
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0038191-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0229628-52
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0229639-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0378237-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계;분산된 혼합물을 기판 위에 스핀코팅(spin coating)으로 도포하는 단계;상기 기판을 열처리(heat treatment)하는 단계;를 통해 산화아연 시드층(ZnO seed layer)을 형성하고, 이를 이용하여 산화아연 나노 구조체로 성장시키는 것을 특징으로 하는산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계에서, 전구체 용액과 상기 불순물 입자의 응집현상을 방지하기 위해 분산제 또는 안정제가 사용되는 것을 특징으로 하는산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법
3 3
제1항에 있어서,상기 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계에서, 불순물 입자는 TiO2 또는 Al2O3 인 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법
4 4
제1항에 있어서,상기 열처리 단계는 200℃ 내지 500℃의 온도에서 이루어지며 산화아연 시드와 상기 불순물 입자가 혼재하는 시드층의 결정면을 일정하게 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법
5 5
제3항에 있어서,상기 불순물 농도 및 입자의 크기를 조절함에 따라, 성장되는 나노 구조체의 간격이 조절되는 것을 특징으로 하는산화아연 나노 구조체의 밀도 제어방법
6 6
제1항에 있어서,상기 시드층을 형성한 후, 액상 성장 방법을 이용하여 산화아연 나노 구조체를 성장시키면 상기 불순물 입자에서는 성장이 일어나지 않는 것을 특징으로 하는산화아연 나노 구조체의 밀도 제어방법
7 7
제1항에 있어서,상기 나노 구조체는 기판에 수직 방향으로 에픽텍셜(epitaxial) 성장하는 것을 특징으로 하는산화아연 나노 구조체의 밀도 제어방법
8 8
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 산업기술산업원천기술개발 액상공정 기반 나노구조체 제작기술