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산화주석 나노선 가스센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014051251
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화주석 나노선 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 등의 기판 위에 센서 디바이스의 하부 전극 패턴을 제작하는 단계, 산화주석 나노선을 정해진 위치에 합성하기 위해 금(Au) 촉매를 올리는 단계, 산화주석 나노선을 합성하는 단계로 제조하는 산화주석 나노선 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 의하면, 개별적인 고비용의 전자빔 리소그라피 공정을 배제하면서 산화주석 나노선을 기반으로 하는 수십 ~ 수천 개의 소자를 일괄적으로 대량 제작할 수 있고, 저비용 및 단시간에 대량으로 제품을 일괄 제작할 수 있으므로 제품의 상업화가 가능해지는 장점이 있게 된다.산화주석, 나노선, 가스센서, 백금 전극, 금 촉매층, 절연층, 네트워크 구조, 공중 부양, 감도 향상, 대량 생산, 일괄 제작
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01)
CPC G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01)
출원번호/일자 1020060061734 (2006.07.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0791812-0000 (2007.12.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.03)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재환 대한민국 서울 마포구
2 박재관 대한민국 서울 노원구
3 최영진 대한민국 서울 용산구
4 권석준 대한민국 서울 도봉구
5 황인성 대한민국 대구 동구
6 박정현 대한민국 서울 구
7 박경수 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0474809-68
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0024646-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0359638-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0624303-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0624302-97
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0702468-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화주석 가스센서에 있어서,기판과;상기 기판 위에 서로 간격을 두고 분리 형성된 두 하부 도전 전극과;상기 각 전극 위에 적층 형성된 금 촉매층과;상기 각 전극 위의 금 촉매층에 성장된 산화주석 나노선들과;전기적 신호 전달을 위하여 상기 각 전극에 연결 설치된 도전 와이어;를 포함하여 구성되고, 상기 두 전극의 금 촉매층 위에 성장된 양측의 산화주석 나노선들이 두 전극 사이에서 기판과 이격되게 부양된 상태로 양측 상호 간에 엮여져 접촉되는 네트워크 구조로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서
2 2
청구항 1에 있어서,상기 두 하부 도전 전극은 두께 3000 ~ 8000 Å, 간격 5 ~ 20 마이크로미터로 형성된 백금 전극인 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서
3 3
청구항 1에 있어서,상기 금 촉매층의 두께는 20 ~ 100 Å인 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서
4 4
산화주석 가스센서에 있어서,기판과;상기 기판 위에 서로 간격을 두고 분리 형성된 두 하부 도전 전극과;상기 각 전극 위에 적층 형성된 금 촉매층과;상기 각 금 촉매층 위에 적층 형성된 절연층과; 상기 각 전극 위의 금 촉매층에서 노출된 측면부위에 횡방향으로 성장된 산화주석 나노선들과;전기적 신호 전달을 위하여 상기 각 전극에 연결 설치된 도전 와이어;를 포함하여 구성되고, 상기 두 전극의 금 촉매층 측면부위에 횡방향으로 성장된 양측의 산화주석 나노선들이 두 전극 사이에서 기판과 이격되게 부양된 상태로 양측 상호 간에 엮여져 접촉되는 네트워크 구조로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서
5 5
청구항 4에 있어서,상기 두 하부 도전 전극은 두께 3000 ~ 8000 Å, 간격 5 ~ 20 마이크로미터로 형성된 백금 전극인 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서
6 6
청구항 4에 있어서,상기 금 촉매층의 두께는 20 ~ 100 Å인 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서
7 7
청구항 4에 있어서,상기 절연층은 SiO2, AlN, Si3N4, TiO2층 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서
8 8
산화주석 가스센서의 제조방법에 있어서,기판 위에 서로 간격을 두고 분리된 두 하부 도전 전극을 형성하는 단계와;상기 각 전극 위에 금 촉매층을 적층 형성하는 단계와;상기 각 전극 위의 금 촉매층에 산화주석 나노선들을 성장시키는 단계와;상기 각 전극에 전기적 신호 전달을 위한 도전 와이어를 연결 설치하는 단계;를 포함하고, 상기 산화주석 나노선들을 성장시키는 단계에서, 두 전극의 금 촉매층 위에 성장된 양측의 산화주석 나노선들이 두 전극 사이에서 기판과 이격되게 부양된 상태로 양측 상호 간에 엮여져 접촉되는 네트워크 연결 구조가 되도록 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 두 하부 도전 전극을 형성하는 단계에서, 상기 전극은 백금을 사용하여 형성하고, 그 두께는 3000 ~ 8000 Å으로 형성하며, 두 전극 사이의 간격은 5 ~ 20 마이크로미터로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서의 제조방법
10 10
청구항 8에 있어서,상기 금 촉매층은 20 ~ 100 Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서
11 11
청구항 8에 있어서,상기 산화주석 나노선들을 성장시키는 단계에서, 상기 금 촉매층이 활성화된 상태에서 산화주석 나노선들이 합성될 수 있도록, 나노선 합성을 위한 반응로를 20 ~ 40 ℃/min의 승온속도로 반응온도 700 ~ 900 ℃까지 상승시킨 후, 상기 반응온도에서 산소가스를 0
12 12
청구항 8에 있어서,상기 하부 도전 전극을 형성하는 단계에서 웨이퍼 위에 두 하부 도전 전극을 한 쌍으로 하여 복수개의 전극 쌍을 형성하고, 이후 전극 쌍들에 대하여 상기 금 촉매층을 적층 형성하는 단계, 산화주석 나노선들을 성장시키는 단계, 도전 와이어를 연결 설치하는 단계를 웨이퍼 단위로 실시한 다음, 웨이퍼 상에 복수개로 일괄 제조한 소자들을 각 소자별로 분리하기 위한 공정을 거쳐 가스센서를 완성하는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서의 제조방법
13 13
산화주석 가스센서의 제조방법에 있어서,기판 위에 서로 간격을 두고 분리된 두 하부 도전 전극을 형성하는 단계와;상기 각 전극 위에 금 촉매층을 적층 형성하는 단계와;상기 각 금 촉매층 위에 절연층을 적층 형성하는 단계와; 상기 각 전극 위의 금 촉매층에서 노출된 측면부위에 산화주석 나노선들을 성장시키는 단계와;상기 각 전극에 전기적 신호 전달을 위한 도전 와이어를 연결 설치하는 단계;를 포함하고, 상기 산화주석 나노선들을 성장시키는 단계에서, 두 전극의 금 촉매층 측면부위에 횡방향으로 성장된 양측의 산화주석 나노선들이 두 전극 사이에서 기판과 이격되게 부양된 상태로 양측 상호 간에 엮여져 접촉되는 네트워크 연결 구조가 되도록 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서의 제조방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 두 하부 도전 전극을 형성하는 단계에서, 상기 전극은 백금을 사용하여 형성하고, 그 두께는 3000 ~ 8000 Å으로 형성하며, 두 전극 사이의 간격은 5 ~ 20 마이크로미터로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서의 제조방법
15 15
청구항 13에 있어서,상기 금 촉매층은 20 ~ 100 Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서
16 16
청구항 13에 있어서,상기 절연층은 SiO2, AlN,Si3N4, TiO2 층 중에 선택된 것으로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서
17 17
청구항 13에 있어서,상기 산화주석 나노선들을 성장시키는 단계에서, 상기 금 촉매층이 활성화된 상태에서 산화주석 나노선들이 합성될 수 있도록, 나노선 합성을 위한 반응로는 승온속도를 20 ~ 40 ℃/min로 하여 반응온도 700 ~ 900 ℃까지 상승시킨 후, 상기 반응온도에서 산소가스를 0
18 18
청구항 13에 있어서,상기 하부 도전 전극을 형성하는 단계에서 웨이퍼 위에 두 하부 도전 전극을 한 쌍으로 하여 복수개의 전극 쌍을 형성하고, 이후 전극 쌍들에 대하여 상기 금 촉매층을 적층 형성하는 단계, 산화주석 나노선들을 성장시키는 단계, 도전 와이어를 연결 설치하는 단계를 웨이퍼 단위로 실시한 다음, 웨이퍼 상에 복수개로 일괄 제조한 소자들을 각 소자별로 분리하기 위한 공정을 거쳐 가스센서를 완성하는 것을 특징으로 하는 산화주석 나노선 가스센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.