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pH 4 내지 5 및 농도 10 내지 500mM의 코발트 염 함유 수용액 중에 상대전극(counter electrode)과 작업전극(working electrode)을 침지시킨 후 양 전극에 전압을 인가함으로써 작업전극 상에 코발트 금속 박막을 형성시키는 것을 포함하는, 전착법에 의한 코발트 금속 박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,0 내지 40℃의 온도에서 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는, 전착법에 의한 코발트 금속 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,인가 전압이 -0
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제 1 항에 있어서,코발트 염이 코발트 질산염(Co(NO3)2), 코발트 아세테이트(Co(C2H3O2)3), 코발트 설페이트(CoSO4) 및 코발트 클로라이드(CoCl2)로 이루어진 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는, 전착법에 의한 코발트 금속 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,작업전극 및 상대전극이 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 카드뮴(Cd), 백금(Pt), 금(gold), 인듐-주석-산화물(ITO) 코팅된 유리, 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 탄소 기판으로 이루어진 군으로부터 각각 선택된 기판임을 특징으로 하는, 전착법에 의한 코발트 금속 박막의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 전착된, 입방형 나노결정구조의 코발트 금속 박막
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제 6 항에 있어서,100 내지 200nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 코발트 금속 박막
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제 6 항에 있어서,다공성 판상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 코발트 금속 박막
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제 6 항에 따른 코발트 금속 박막을 촉매전극으로 이용하여 광에너지를 전기 또는 화학에너지로 전환하는 방법
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