[KST2015121578][한국과학기술연구원] |
전도성 질화물을 사이층으로 사용한 높은 스핀주입 효율을갖는 다층막 구조 및 그 제조방법 |
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[KST2015121197][한국과학기술연구원] |
강자성체를 이용한 스핀 트랜지스터 |
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[KST2014028228][한국과학기술연구원] |
다결정 금속산화물 반도체층을 이용한 전계효과 트랜지스터와 그 제조방법 |
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[KST2015121679][한국과학기술연구원] |
식각 선택비가 큰 버퍼층을 이용한 자기정렬 강유전체게이트 트랜지스터의 제조방법 |
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[KST2014028246][한국과학기술연구원] |
에픽택셜 성장 강자성체-반도체 접합을 이용한 스핀 트랜지스터 |
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[KST2014036363][한국과학기술연구원] |
상보성 스핀 트랜지스터 논리회로 |
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[KST2015120412][한국과학기술연구원] |
비스무쓰층상산화물강유전체박막의제조방법 |
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[KST2015121605][한국과학기술연구원] |
스핀 주입을 이용한 상보성 논리소자 |
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[KST2014036354][한국과학기술연구원] |
n-과 p-타입의 이중 전하 공급층 구조를 이용한 스핀 트랜지스터 |
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[KST2014051242][한국과학기술연구원] |
수직자화를 이용한 스핀 트랜지스터 |
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[KST2015123218][한국과학기술연구원] |
전개효과트랜지스터로구성된선형저항기 |
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[KST2015123788][한국과학기술연구원] |
나노선 다중채널 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법 |
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[KST2014051258][한국과학기술연구원] |
Ω 형상의 채널을 갖는 고이동도 트랜지스터 |
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[KST2015120750][한국과학기술연구원] |
집속이온빔을 이용하는 상온동작 단전자 터널링트랜지스터 제조방법 |
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[KST2015123537][한국과학기술연구원] |
산소 플라즈마 급속 열처리를 이용한 강유전체 게이트제조 방법 |
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[KST2015123275][한국과학기술연구원] |
높은 소자 수율을 갖는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 |
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[KST2015121831][한국과학기술연구원] |
전자빔으로 조절된 분역의 분극방향에 따른 식각속도차이를 이용한 강유전체 나노점의 제작 방법 |
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[KST2021013447][한국과학기술연구원] |
양자 연산자의 얽힘 생성 장치 |
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[KST2014051245][한국과학기술연구원] |
전도성 질화물을 사이층으로 사용한 높은 스핀주입 효율을 갖는 다층막 구조 |
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[KST2014051328][한국과학기술연구원] |
전착법을 이용한 나노결정구조의 코발트 금속 박막의제조방법 |
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[KST2014051333][한국과학기술연구원] |
극소화된 접촉 면적을 갖는 고집적 상변화 메모리 및 이의제조 방법 |
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