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(a) 고분자 용기를 전도성 커버로 둘러싸는 단계, (b) 진공조 내의 시료대 위에 고분자 용기를 위치시키는 단계, (c) 고분자 용기와 시료대를 절연체로 가리는 단계, (d) 목적하는 표면 개질에 따라 선택된 플라즈마원 기체를 진공조 내에 도입하는 단계, 및 (e) 상기 기체를 방전시켜 플라즈마를 형성시킨 후, 상기 전도성 커버와 시료대에 음의 고전압 펄스를 가하여 기체 플라즈마 이온을 고분자 용기 내부에 고에너지로 주입하거나, 또는 높은 압력에서 고분자 용기 내에 삽입되어 있는 접지된 전극과 시료대에 가해지는 고전압 펄스에 의한 강한 전기장을 이용하여 플라즈마를 발생시키면서 동시에 이온을 주입하는 단계를 포함하는, 고분자 용기 내부 표면의 처리 방법
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제1항에 있어서, 단계 (a)에서 전도성 커버의 안쪽면이 고분자 용기의 바깥면의 이격 거리가 5 mm 미만으로 밀착되게 고분자 용기를 전도성 커버로 둘러싸는 방법
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제1항에 있어서, 플라즈마원 기체가 산소, 질소, 수소, 아르곤, 네온, 헬륨, 크립톤, 크세논, 일산화탄소, 이산화탄소, 암모니아, 메탄, CF4, C2F6, C3F8 및 이들의 혼합 기체로 이루어진 군으로부터 선택된 것인 방법
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제1항에 있어서, 용기와 시료대에 가하는 고전압 펄스가 펄스 전압 -100 V 내지 -20 kV, 펄스-오프시 전압이 0 V 내지 -1 kV, 펄스 폭이 1 ㎲ 내지 50 ㎲, 펄스 주파수가 10 Hz 내지 10 kHz인 방법
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전지 접지에 접지된 진공조 (1); 진공 펌프 (2); 진공조 내의 플라즈마원 기체를 도입하기 위한 기체도입 장치 (13); 도입된 기체를 이용하여 플라즈마를 발생시키기 위한 안테나 (5); 진공조 접지 (14); 전원 장치 (3); 플라즈마 이온을 가속시켜 이온을 주입시키기 위한 음의 고전압 펄스가 인가되는 시료를 둘러싼 전도성 커버 (8); 전도성 커버를 지지하기 위한 시료대 (11); 시료와 시료대의 바깥 부분을 보호하는 절연체 (10); 접지된 전극 (9); 및 필요한 고전압 펄스를 발생시키는 고전압 펄스 발생 장치 (12)를 포함하는, 고분자 내부 표면의 처리 장치
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전지 접지에 접지된 진공조 (1); 진공 펌프 (2); 진공조 내의 플라즈마원 기체를 도입하기 위한 기체도입 장치 (13); 도입된 기체를 이용하여 플라즈마를 발생시키기 위한 안테나 (5); 진공조 접지 (14); 전원 장치 (3); 플라즈마 이온을 가속시켜 이온을 주입시키기 위한 음의 고전압 펄스가 인가되는 시료를 둘러싼 전도성 커버 (8); 전도성 커버를 지지하기 위한 시료대 (11); 시료와 시료대의 바깥 부분을 보호하는 절연체 (10); 접지된 전극 (9); 및 필요한 고전압 펄스를 발생시키는 고전압 펄스 발생 장치 (12)를 포함하는, 고분자 내부 표면의 처리 장치
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