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금속 마스킹을 이용한 산화아연 나노와이어의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 나노와이어 부재

  • 기술번호 : KST2014051843
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 마스킹을 이용한 산화아연 나노와이어(ZnO nanowire)의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 나노와이어 부재에 관한 것으로, 노광 공정 없이 촉매층 위에 금속 마스크층을 형성하여 성장되는 산화아연 나노와이어의 밀도를 조절하여 산화아연 나노와이어의 길이 및 직경을 개선 및 제어하기 위한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판 위에 산화아연 소재의 촉매층이 형성된다. 촉매층 위에 열처리를 통하여 복수의 성장 구멍을 갖는 금속 마스크층이 형성된다. 그리고 복수의 성장 구멍에 노출된 촉매층 부분을 기반으로 복수의 산화아연 나노와이어를 성장시킨다. 이때 금속 마스크층의 소재는 저융점 금속으로서, 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중에 하나가 사용될 수 있다. 이러한 금속 마스크층은 촉매층 위에 코팅된 금속 나노파티클 소재의 코팅층을 150 내지 700도에서 열처리하여 형성할 수 있다. 또는 금속 마스크층은 촉매층 위에 5 내지 20nm 두께로 형성된 금속층을 150 내지 700도에서 열처리하여 형성할 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020100128728 (2010.12.15)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1291147-0000 (2013.07.24)
공개번호/일자 10-2012-0067249 (2012.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130731) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.15)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경일 대한민국 경기도 과천시
2 조진우 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김성현 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김선민 대한민국 서울특별시 성동구
5 노임준 대한민국 인천광역시 남구
6 신백균 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0828520-55
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087272-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0034434-20
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0166053-09
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0166052-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0502709-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 준비 단계;상기 기판 위에 산화아연 나노와이어를 성장시키기 위한 산화아연 소재의 촉매층을 형성하는 촉매층 형성 단계;상기 촉매층 위에 열처리를 통하여 복수의 성장 구멍을 갖는 금속 마스크층을 형성하는 금속 마스크층 형성 단계;상기 복수의 성장 구멍에 노출된 상기 촉매층 부분을 기반으로 산화아연 나노와이어를 성장시키는 성장 단계; 를 포함하고,상기 촉매층 형성 단계는,0
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 마스크층의 소재는 금(Au), 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 중에 하나인 것을 특징으로 하는 금속 마스킹을 이용한 산화아연 나노와이어의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 금속 마스크층 형성 단계는,상기 촉매층 위에 금속 나노파티클이 포함된 수용액을 도포하여 20 내지 30nm 두께로 코팅층을 형성하는 단계;상기 코팅층을 150 내지 700도에서 열처리하여 상기 금속 마스크층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 마스킹을 이용한 산화아연 나노와이어의 제조 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 금속 마스크층 형성 단계는,상기 촉매층 위에 5 내지 20nm 두께로 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층을 150 내지 700도에서 열처리하여 상기 금속 마스크층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 마스킹을 이용한 산화아연 나노와이어의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 성장 단계는,질산 아연 수화물(Zinc nitrate hexahydrate)과 헥사메틸렌테트라민(Hexamethylenetetramine)을 같은 몰비로 혼합하여 수용액을 형성하는 단계;상기 수용액을 80 내지 95도로 가열하는 단계;가열된 상기 수용액에 상기 금속 마스크층이 형성된 상기 기판을 담수하여 상기 금속 마스크층에 형성된 상기 복수의 성장 구멍에 노출된 상기 촉매층 부분을 기반으로 상기 산화아연 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 마스킹을 이용한 산화아연 나노와이어의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 산업기술산업원천기술개발 액상공정 기반 나노구조체 제작 기술